专利名称：利用平版印刷术及间隔物形成图案的方法
技术领域：
本发明 涉及利用平版印刷术及间隔物形成图案的方法。
背景技术：
存在需要形成具有极短间距的重复图案的众多应用。举例来说，集成电路制造可包括形成存储器存储单元(即，NAND单位单元、动态随机存取[DRAM]单位单元、交叉点存储器单位单元等)的重复图案。集成电路制造可包括在半导体衬底上方形成图案化掩模，继之以借助一次或一次以上蚀刻将图案从所述掩模转印到所述衬底中。赋予到所述衬底中的图案可用以形成集成电路的个别组件。集成电路制造的持续目标为增大集成电路密度，且因此减小个别集成电路组件的大小。因此，存在形成具有不断增大的个别特征密度的图案化掩模的持续目标。在图案化掩模包含重复特征图案的情况下，存在以较高密度(或换句话说，减小的间距)形成重复图案的持续目标。将需要开发形成图案的新方法，其使得能够以高密度形成重复图案。
图1到图9为实例实施例的各工艺阶段处所展示的半导体晶片构造的一部分的图解横截面图。图10到图17为另一实例实施例的各工艺阶段处所展示的半导体晶片构造的一部分的图解横截面图。
具体实施例方式一些实施例包括利用两个离散平版印刷步骤形成重复图案的方法。所述平版印刷步骤中的每一者具有可利用所述步骤的特定平版印刷技术获得的最小特征大小。举例来说，如果平版印刷步骤为光刻步骤，则可由在所述光刻术期间所利用的波长指定最小特征大小。两个离散平版印刷步骤的利用使重复图案能够以比可由单独利用的任一平版印刷步骤实现的间距小的间距形成。可通过利用邻近于以平版印刷方式形成的特征提供的间隔物来进一步减小所述重复图案的所述间距。参看图1到图17来描述实例实施例。参看图1，其说明半导体构造10的一部分。半导体构造10包含基底12及处于所述基底上方的材料14。基底12可对应于半导体晶片，例如单晶硅晶片。材料14表示待图案化以形成集成电路的材料。材料14可为电绝缘材料(例如， 可包含氮化硅、二氧化硅等中的一者或一者以上)、导电材料(例如，可包含各种金属、含金属组合物、以导电方式掺杂的半导体材料等中的一者或一者以上)或半导电材料(例如， 硅、锗等)。虽然仅单一材料14被展示为由基底12支撑，但在一些实施例中，在图1的处理阶段处，可由所述基底支撑多种材料。举例来说，如果需要在基底12上方形成NAND单位单元，则可存在堆叠于基底12上方的多种栅极材料；其中所述栅极材料最终同时经图案化以形成由基底12支撑的多个栅极构造。作为另一实例，如果需要形成交叉点存储器，则可存在堆叠于基底12上方的多种材料；其中所述材料最终同时经图案化以形成跨越基底12 延伸的多条线。作为又一实例，如果需要形成DRAM，则可存在堆叠于基底12上方的多种材料；其中所述材料最终同时经图案化以形成跨越基底12延伸的多条字线及/或位线。在一些实施例中，可省略材料14，且掩蔽图案(下文参看图8论述)可直接形成于基底12的半导体材料上。所述掩蔽图案接着可用以界定随后蚀刻到基底12中的开口的位置。基底12及材料14可一起称作半导体衬底。术语“半导电衬底”及“半导体衬底”意指包含半导电材料的任何结构，包括(但不限于)例如半导电晶片等块状半导电材料(单独地或呈其上包含其它材料的组合件的形式)及半导电材料层(单独地或呈包含其它材料的组合件的形式)。术语“衬底”指代任何支撑结构，包括(但不限于)上文描述的半导电衬底。参看图2，以平版印刷方式在材料14上方形成第一组掩蔽特征16。举例来说，所述第一组掩蔽特征可包含光致抗蚀剂，且可通过光刻处理来形成。具体地说，光致抗蚀剂层可形成于材料14上方，且接着暴露于光化辐射及适当显影剂以留下特征16的所说明图案。 或者，可通过例如压印平版印刷术等其它平版印刷方法形成掩蔽特征16。可将所述掩蔽特征16称作第一掩蔽特征以将其与在后续处理中形成的其它掩蔽特征加以区别。所述个别掩蔽特征16中的每一者包含约3x的宽度，其中“X”为将最终赋予从特征16形成的结构的重复图案的尺寸(其中所述结构参看图8来展示并描述)。所述掩蔽特征可经形成以使得宽度3x对应于可借助用以形成所述掩蔽特征的平版印刷方法实现的最小宽度，且在一些实施例中所述宽度可为约30纳米到约60纳米。掩蔽特征16通过间隙18彼此间隔。可将所述间隙称作第一间隙以将其与随后形成的其它间隙加以区别。所述第一间隙具有约切的宽度。掩蔽特征16跨越材料14形成重复图案。所述重复图案具有对应于跨越掩蔽特征及邻近间隙的距离的间距，所述间距在所展示的实施例中为约8x。将图2的掩蔽特征中的两者分别表示为特征20及22。所述掩蔽特征表示彼此邻近的一对特征。可处理掩蔽特征16以致使其变得不溶于在特征16上方后续沉积光致抗蚀剂期间所利用的溶剂。所述处理可包含(例如)沿掩蔽特征16的暴露表面形成薄保护材料层(未图示)、遍及所述掩蔽特征诱发化学变化(例如化学交联)及/或沿所述掩蔽特征的暴露外表面诱发化学变化(例如通过暴露于等离子体中的卤素)。术语“溶剂浇铸”用以描述经图案化光致抗蚀剂特征在用于在所述特征上方沉积额外光致抗蚀剂的溶剂中的有问题溶解。 相应地，特征16的处理可称作致使所述特征变得对溶剂浇铸有抵抗性的处理。参看图3，以平版印刷方式在材料14上方形成第二组掩蔽特征M。掩蔽特征M 可对应于光致抗蚀剂特征，且可在特征16已被处理以致使其变得对溶剂浇铸有抵抗性之
7后利用光刻处理被形成为所展示的图案。在图3中借助交叉影线展示第二掩蔽特征24以辅助读者将第二掩蔽特征与第一掩蔽特征加以区别。第二掩蔽特征的交叉影线及第一掩蔽特征的交叉影线缺少并不指示第一掩蔽特征 与第二掩蔽特征之间所利用的材料的差别；且在一些实施例中，第一掩蔽特征及第二掩蔽特征可为彼此相同的组合物，且在其它实施例中可为不同组合物。在图3的横截面中，第二掩蔽特征24与第一掩蔽特征16交替。虽然将全部所说明的第二掩蔽特征展示为与第一掩蔽特征交替，但在其它实施例中，可形成不与第一掩蔽特征交替的一些第二掩蔽特征。个别第二掩蔽特征24包含约3x的宽度，且以约5x的距离彼此间隔。因此，在所展示的实施例中，以约8x的间距形成第二掩蔽特征(类似于第一掩蔽特征)。将第二掩蔽特征24中的每一者展示为大致居中位于邻近的第一掩蔽特征16之间的间隙18 (图2)内。 举例来说，第二掩蔽特征中的一者由标记25表示，且大致居中位于邻近的第一掩蔽特征20 与22之间的间隙中。第二掩蔽特征通过具有约χ的宽度的介入空间而与邻近第一掩蔽特征间隔。在一些实施例中，可将第一掩蔽特征及第二掩蔽特征一起视为通过介入空间26彼此分开的多个离散特征。参看图4及图5，使掩蔽特征16及24经受横向修整以将所述掩蔽特征的横向厚度从约3x减小到约χ。通过展示最终将从所述掩蔽特征移除的虚线区域而在图4中以图解方式说明所述横向修整，且图5展示横向修整完成之后的掩蔽特征。图5的经修整的掩蔽特征具有宽度X，且以3x的距离彼此间隔。换句话说，所述横向修整已将所述介入空间26的大小从χ增大到3x。虽然将横向修整展示为使所述掩蔽特征16及24的宽度减小约三分之二，但在其它实施例中，所述横向修整可使所述宽度减小其它量(例如约三分之二到约四分之三)。在一些实施例中，所述横向修整可使掩蔽特征16及24的宽度减小约10%到约80%。在所展示的实施例中，所述横向修整仅减小所述掩蔽特征的横向宽度，且不减小所述掩蔽特征的高度。此情形可为理想实施例，且在其它实施例中，所述掩蔽特征的高度可受横向修整影响以致高度稍微减小。而且，所述横向修整可改变所述掩蔽特征的形状，使得所述掩蔽特征在所述横向修整之后最终稍微呈圆顶形状。可通过任何适当工艺实现所述横向修整。在一些实施例中，所述掩蔽特征由光致抗蚀剂组成，且所述横向修整利用具有一种或一种以上钝化添加剂(例如，CH2F2)的O2基等离子体。参看图6，在所述掩蔽特征16及24上方及在所述掩蔽特征16及24之间形成间隔物材料30。间隔物材料30以约χ的厚度形成，且因此所述间隔物材料部分地填充所述介入空间26。具体地说，所述间隔物材料30沿掩蔽特征16及24的暴露表面形成约厚度χ 的层，且在所述介入空间26内留下约宽度χ的间隙。可通过任何适当工艺形成间隔物材料30，所述工艺包括(例如)旋涂式方法、原子层沉积(ALD)及化学气相沉积(CVD)中的一者或一者以上。间隔物材料30为不同于掩蔽特征16及24的组合物的组合物，使得在后续处理中可相对于所述间隔物材料选择性地移除所述掩蔽特征。在一些实施例中，所述间隔物材料可包含例如二氧化硅等氧化物，基本上由例如二氧化硅等氧化物组成或由例如二氧化硅等氧化物组成。参看图7，各向异性地蚀刻所述间隔物材料30以沿掩蔽特征16及M的侧壁形成多个离散间隔物32。参看图8，相对于间隔物32选择性地移除掩蔽特征16及M(图7)。在所述掩蔽特征包含光致抗蚀剂且所述间隔物包含二氧化硅的实施例中，所述移除可利用所述光致抗蚀剂的氧化。图8的间隔物32跨越材料14形成重复图案。具体地说，所述间隔物中的每一者具有约X的宽度，且所述间隔物通过也具有约X的宽度的间隙34彼此分开。所述间隔物32 因此形成具有约h的间距(或换句话说，为在图2的处理阶段处的第一组掩蔽特征16的初始间距的约四分之一的间距)的重复图案。间隔物32的图案可用以形成4F2布局。参看图9，借助一次或一次以上适当蚀刻将间隔物32的图案转印到下伏材料14 中。如上文论述，在一些实施例中，可将基底12及材料14 一起视为半导体衬底。因此，在一些实施例中，可将所述图案转印到下伏材料14中视为所述图案转印到半导体衬底中。虽然将所述间隔物的图案展示为仅转印到材料14中，但在其它实施例中，可借助一次或一次以上适当蚀刻将所述图案转印穿过材料14且转印到下伏基底12中。在一些实施例中，材料14可表示用于存储器架构(例如，NAND, DRAM及/或交叉点存储器)的制造的一种或一种以上材料。在所述实施例中，所述图案从间隔物32转印到材料14中可表示一种或一种以上材料图案化成存储器架构的结构。举例来说，材料14的图案化可表示NAND单位单元的一种或一种以上栅极材料的图案化；可表示交叉点存储器单元的多条线的图案化；及/或可表示DRAM的字线及/或位线的图案化。图1到图9的实施例包含以平版印刷方式形成所述第一掩蔽特征及所述第二掩蔽特征，且接着在形成间隔物材料之前在共同工艺步骤中横向修整所述第一掩蔽特征及所述第二掩蔽特征。在其它实施例中，可在形成所述第二掩蔽特征之前形成所述第一掩蔽特征且将其横向修整。可接着在与用于横向修整所述第一掩蔽特征的工艺步骤分开的工艺步骤中横向修整所述第二掩蔽特征。图10到图17说明在相对于彼此分开的处理阶段中横向修整第一掩蔽特征及第二掩蔽特征的实例工艺。在适当时，与上文用以描述图1到图9的编号类似的编号将用以描述图10到图17。参看图10，其说明在与上文参看图2所论述的处理阶段相同的处理阶段处的构造 10。相应地，展示在已以平版印刷方式形成于材料14上方之后的第一掩蔽特征16。所述第一掩蔽特征可包含光致抗蚀剂，且可通过光刻处理来形成。所述第一掩蔽特征对应于跨越材料14延伸的第一组掩蔽特征。在所述掩蔽特征由光致抗蚀剂构成的实施例中，所述掩蔽特征可称作光致抗蚀剂特征。所述个别掩蔽特征16中的每一者包含约3x的宽度(在一些实施例中，其可为约3x到约4x)，且所述掩蔽特征16通过具有约切的宽度(在一些实施例中，其可为约4x到约切)的第一间隙18彼此间隔。所述掩蔽特征16跨越材料14形成重复图案，其中所述重复图案具有约8x的间距。因此，所述掩蔽特征16具有为所展示实施例中的间距的约八分之三的宽度。参看图11，横向修整光致抗蚀剂特征16以使所述光致抗蚀剂特征的宽度减小约三分之二。相应地，剩余光致抗蚀剂特征16具有约χ的宽度。所述光致抗蚀剂特征的宽度的减小将间隙18的宽度增大到约7x。所述光致抗蚀剂特征16及间隙18 —起形成重复图案，所述重复图案保留于图10的重复图案的间距8x上，但现具有占据间距的约八分之一而非原先由特征16在图10的处理阶段处占据的间距的八分之三的光致抗蚀剂特征16。
可通过任何适当工艺实现所述横向修整。在一些实施例中，所述掩蔽特征由光致抗蚀剂组成，且所述横向修整利用具有一种或一种以上钝化添加剂(例如，CH2F2)的O2基等离子体。参看图12，处理掩蔽特征16以致使经修整特征变得对用于第二掩蔽图案(所述第二掩蔽图案展示于图13中)的材料的溶剂浇铸有抵抗性，且致使所述特征变得对在后续处理(具体地说，所述处理在下文参看图14来描述)中将使用的横向修整有抵抗性。掩蔽特征16的处理可为致使所述掩蔽特征变得对后续溶剂浇铸及横向修整有抵抗性的任何适当处理。在所展示的实施例中，沿掩蔽特征16的所有暴露表面形成保护材料 50的薄层。保护材料50可为氧化物，且在一些实施例中可包含二氧化硅，基本上由二氧化硅组成或由二氧化硅组成。保护材料50可形成为足够薄以使得保护材料及掩蔽特征16的组合宽度仍为约χ ；且在一些实施例中，保护材料50的厚度可小于约50埃，例如为约10埃到约30埃。保护材料50可通过任何适当处理形成，且在一些实施例中可通过ALD形成。用于处理掩蔽特征16以致使其变得对后续溶剂浇铸及横向修整有抵抗性的另一方法为对掩蔽特征进行热处理以遍及掩蔽特征诱发化学变化。举例来说，掩蔽特征16可形成为包含交联剂，且掩蔽特征的处理可包含将掩蔽特征加热到遍及所述掩蔽特征诱发交联的温度。用于处理掩蔽特征16以致使其变得对后续溶剂浇铸及横向修整有抵抗性的又一方法为对掩蔽特征的外表面进行化学处理以沿掩蔽特征的暴露外表面诱发化学变化。所述化学处理可包含暴露于等离子体中的卤素(例如，氟)以致使暴露表面变得对后续溶剂浇铸及横向修整有抵抗性。用于致使所述掩蔽特征变得对后续横向修整及/或溶剂浇铸有抵抗性的各种方法可称作掩蔽特征的“冻结”，因为在所述特征暴露于后续溶剂浇铸及/或横向修整条件时，所述方法大致上将所述特征冻结在特定配置中。参看图13，在材料14上方形成第二掩蔽特征24。所述第二掩蔽特征可对应于以光刻方式形成的光致抗蚀剂特征，且与第一掩蔽特征16交替。在所展示的实施例中，第二掩蔽特征24形成于保护材料50上方。在其中图12的第一掩蔽特征的处理包括“冻结”处理但不包含利用保护材料的其它实施例中，第二掩蔽特征24可直接抵靠着材料14形成。第二掩蔽特征24具有宽度3x (在一些实施例中，其可为约3x到约4x的宽度)，且以间距8x形成。第二掩蔽特征24形成于间隙18内(图12)且居中位于所述间隙内。相应地，第二掩蔽特征24通过具有约2x的宽度(在一些实施例中，其可为约χ到约2x的宽度)的介入间隙52与第一掩蔽特征16间隔。参看图14，横向修整所述第二掩蔽特征24以使所述第二掩蔽特征的横向宽度减小约三分之二。剩余掩蔽特征24因此具有约χ的横向宽度。在所述第二掩蔽特征24的横向宽度的减小期间大致上未改变所述第一掩蔽特征16，这是归因于第一掩蔽特征16受上文参看图12所论述的处理保护(其中在所展示的实施例中，所述处理为形成保护层50)。第二掩蔽特征24的横向修整将间隙52的宽度扩展到现为约3x。
经修整的第二掩蔽特征M及经修整的第一掩蔽特征16 —起跨越材料14形成重复图案。所述重复图案包含具有约X的宽度的掩蔽特征M及16，且包含具有约3x的宽度的间隙52。所述重复图案具有约虹的间距。在描述所述第一掩蔽特征及所述第二掩蔽特征的重复图案的工艺中，在整个线宽中可考虑保护材料50或可不考虑保护材料50。这是因为保护材料50可经形成为足够薄以使得其不显著影响对应于掩蔽特征M及16的重复图案。参看图15，在所述掩蔽特征16及M上方及在所述掩蔽特征16及M之间形成间隔物材料30。间隔物材料30以约χ的厚度形成，且因此所述间隔物材料部分地填充所述介入空间52。具体地说，所述间隔物材料30沿掩蔽特征16及M的暴露表面形成约厚度χ 的层，且在所述介入空间52内留下约宽度χ的间隙。在一些实施例中，所述间隔物材料可包含例如二氧化硅等氧化物，基本上由例如二氧化硅等氧化物组成或由例如二氧化硅等氧化物组成。参看图16，各向异性地蚀刻所述间隔物材料30以沿掩蔽特征16及M的侧壁形成多个离散间隔物32。在所展示的实施例中，所述间隔物32直接抵靠着第二掩蔽特征M的侧壁，且通过保护材料50与掩蔽特征16的侧壁间隔。在所述掩蔽特征16经处理以实现对通过不包括形成保护材料50的方法进行的修整有抵抗性(其中所述处理在上文参看图12 来论述)的实施例中，所述间隔物32可直接抵靠着所述掩蔽特征16。所述间隔物32具有约χ的厚度。参看图17，相对于间隔物32选择性地移除掩蔽特征16及M(图16)。在所述掩蔽特征包含光致抗蚀剂且所述间隔物包含二氧化硅的实施例中，所述移除可利用光致抗蚀剂的氧化。在所展示的实施例中，从掩蔽特征16(图16)上方移除少量保护材料50以暴露所述特征以使得其随后可借助相对于间隔物32选择性地蚀刻来移除。在保护材料50包含二氧化硅的实施例中，少量保护材料50的移除可包含短暂暴露于氧化物蚀刻剂。图17的间隔物32跨越材料14形成重复图案。具体地说，所述间隔物中的每一者具有约χ的宽度，且所述间隔物通过也具有约χ的宽度的间隙34彼此分开。所述间隔物32 因此形成具有约h的间距(或换句话说，为在图10的处理阶段处的第一组掩蔽特征16的初始间距的约四分之一的间距)的重复图案。图17中的间隔物的重复图案类似于上文参看图8所论述的重复图案。然而，在图17中所展示的实施例中，所述间隔物32在保护材料50上方，且已邻近于第一掩蔽特征 16 (图16)形成的间隔物沿其侧壁也具有保护材料50。材料50可经形成为足够薄以使得其大致上不改变由所述间隔物形成的重复图案，使得图17的图案可与图8的图案相同地使用。在其它实施例中，可省略材料50且通过其它方法处理第一掩蔽特征16以致使所述掩蔽特征16变得对横向修整有抵抗性(所述其它方法在上文参看图12来论述)。在所述其它实施例中，图17的构造可等同于图8的构造。图17的构造可经受类似于图9的后续处理的后续处理以使所述间隔物的图案延伸到下伏于所述间隔物之下的衬底中。所述图案化待用以形成需要重复图案的任何物体， 且在一些实施例中，可用以形成例如NAND架构、DRAM架构及/或交叉点存储器架构等存储器架构。
权利要求
1.一种形成图案的方法，其包含以平版印刷方式在衬底上方形成第一组掩蔽特征，所述第一组中的一对特征彼此邻近且通过第一间隙彼此间隔；以平版印刷方式在所述衬底上方形成第二组掩蔽特征，所述第二组中的所述特征中的至少一者位于所述第一组中的所述邻近特征之间的所述间隙内；所述第一及第二组中的所述掩蔽特征为通过介入空间彼此分开的多个离散特征；在所述第一及第二组中的所述掩蔽特征上方及之间形成间隔物材料；各向异性地蚀刻所述间隔物材料以沿所述第一及第二组中的所述掩蔽特征形成间隔物；及移除所述第一及第二组中的所述掩蔽特征以在所述衬底上方留下所述间隔物的图案。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一及第二组掩蔽特征分别为第一及第二组光致抗蚀剂特征，且所述方法进一步包含在形成所述第二组光致抗蚀剂特征之前横向修整所述第一组光致抗蚀剂特征的光致抗蚀剂。
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包含在形成所述间隔物材料之前横向修整所述第二组光致抗蚀剂特征的光致抗蚀剂。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一及第二组掩蔽特征分别为第一及第二组光致抗蚀剂特征，且所述方法进一步包含在形成所述间隔物材料之前在共同工艺步骤中横向修整所述第一及第二组光致抗蚀剂特征的光致抗蚀剂。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底为半导体衬底。
6.一种形成图案的方法，其包含以光刻方式在衬底上方形成第一组光致抗蚀剂特征；以光刻方式形成第二组光致抗蚀剂特征，所述第二组中的所述特征中的至少一些特征沿延伸穿过所述第一及第二组中的光致抗蚀剂特征的至少一个横截面与所述第一组中的光致抗蚀剂特征交替；在所述第一及第二组中的所述光致抗蚀剂特征上方及之间形成间隔物材料；各向异性地蚀刻所述间隔物材料以沿所述第一及第二组中的所述光致抗蚀剂特征形成间隔物；及移除所述第一及第二组中的所述光致抗蚀剂特征以在所述衬底上方留下所述间隔物的图案。
7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包含在形成所述第二组光致抗蚀剂特征之前横向修整所述第一组光致抗蚀剂特征的光致抗蚀剂以使所述第一组中的所述光致抗蚀剂特征变窄。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述横向修整所述第一组光致抗蚀剂特征的光致抗蚀剂使所述第一组中的所述光致抗蚀剂特征变窄约三分之二到约四分之三。
9.根据权利要求7所述的方法，其进一步包含在形成所述间隔物材料之前横向修整所述第二组光致抗蚀剂特征的光致抗蚀剂以使所述第二组中的所述光致抗蚀剂特征变窄。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述横向修整所述第二组光致抗蚀剂特征的光致抗蚀剂使所述第二组中的所述光致抗蚀剂特征变窄约三分之二到约四分之三。
11.根据权利要求7所述的方法，其进一步包含处理所述第一组中的所述变窄的光致抗蚀剂特征以致使所述变窄的光致抗蚀剂特征变得对后续修整有抵抗性；在所述处理之后，在形成所述间隔物材料之前横向修整所述第二组光致抗蚀剂特征以便所述光致抗蚀剂特征变窄。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述处理包含对所述第一组中的所述变窄的光致抗蚀剂特征进行热处理以便以化学方式至少改变所述第一组中的所述变窄的光致抗蚀剂特征的暴露表面。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述处理包含沿所述第一组中的所述变窄的光致抗蚀剂特征的暴露表面原子层沉积含二氧化硅的材料。
14.根据权利要求6所述的方法，其进一步包含在形成所述间隔物材料之前在共同工艺步骤中横向修整所述第一及第二组光致抗蚀剂特征的光致抗蚀剂。
15.一种形成图案的方法，其包含以光刻方式在衬底上方形成第一组光致抗蚀剂特征；所述第一组光致抗蚀剂特征通过第一间隙彼此间隔；所述第一组中的所述光致抗蚀剂特征处于第一间距处，其中所述第一间距为跨越第一光致抗蚀剂特征及第一间隙的距离；以光刻方式形成第二组光致抗蚀剂特征，所述第二组中的所述特征中的至少一些特征处于所述第一间隙内以使得所述第二组中的光致抗蚀剂特征沿延伸穿过所述第一及第二组中的光致抗蚀剂特征的至少一个横截面与所述第一组中的光致抗蚀剂特征交替；所述第二组光致抗蚀剂特征通过第二间隙彼此间隔；所述第二组中的所述光致抗蚀剂特征处于第二间距处，其中所述第二间距为跨越第二光致抗蚀剂特征及第二间隙的距离；所述第二间距约与所述第一间距相同；在所述第一及第二组中的所述光致抗蚀剂特征上方及之间形成间隔物材料；各向异性地蚀刻所述间隔物材料以沿所述第一及第二组中的所述光致抗蚀剂特征形成间隔物；及移除所述第一及第二组中的所述光致抗蚀剂特征以在所述衬底上方留下所述间隔物的图案。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一组光致抗蚀剂特征中的光致抗蚀剂特征包含所述第一间距的约八分之三。
17.根据权利要求15所述的方法，其进一步包含在形成所述间隔物材料之前横向修整所述第一及第二组光致抗蚀剂特征的光致抗蚀剂。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一及第二组光致抗蚀剂特征的所述光致抗蚀剂的所述横向修整发生于单一工艺步骤中。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一组光致抗蚀剂特征的所述光致抗蚀剂的所述横向修整发生于与所述第二组光致抗蚀剂特征的所述光致抗蚀剂的所述横向修整分开的工艺步骤中。
20.一种形成图案的方法，其包含以光刻方式在衬底上方形成第一组光致抗蚀剂特征；所述第一组光致抗蚀剂特征中的个别特征具有约3x到约4x的宽度且通过第一间隙彼此间隔；所述第一间隙具有约4x到约 5x的宽度；横向修整所述第一组光致抗蚀剂特征中的所述个别特征以形成经修整的第一光致抗蚀剂特征；所述经修整的第一光致抗蚀剂特征具有约X的宽度；所述第一光致抗蚀剂特征的所述修整使所述第一间隙的所述宽度扩展到约7X ；处理所述经修整的第一光致抗蚀剂特征以致使所述经修整的第一光致抗蚀剂特征变得对后续横向修整及/或溶剂浇铸有抵抗性；在处理所述经修整的第一光致抗蚀剂特征之后，以光刻方式在所述衬底上方形成第二组光致抗蚀剂特征，所述第二组中的所述特征中的至少一些特征处于所述经扩展的第一间隙内，使得所述第二组中的光致抗蚀剂特征沿延伸穿过所述第一及第二组中的光致抗蚀剂特征的至少一个横截面与所述第一组中的光致抗蚀剂特征交替；所述第二组光致抗蚀剂特征中的个别特征具有约3x到约4x的宽度且通过具有约χ到约2x的宽度的介入间隙与所述经修整的第一光致抗蚀剂特征间隔；横向修整所述第二组光致抗蚀剂特征中的所述个别特征以形成经修整的第二光致抗蚀剂特征；所述经修整的第二光致抗蚀剂特征具有约χ的宽度；所述第二光致抗蚀剂特征的所述修整使所述介入间隙的所述宽度扩展到约3x到约4x ；在所述经修整的第一及第二光致抗蚀剂特征上方及之间形成间隔物材料； 各向异性地蚀刻所述间隔物材料以沿所述经修整的第一及第二光致抗蚀剂特征形成间隔物，所述间隔物具有约χ的宽度； 及移除所述经修整的第一及第二光致抗蚀剂特征以在所述衬底上方留下所述间隔物的图案，所述图案包含以宽度χ的距离彼此间隔的宽度χ的间隔物。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述经修整的第一光致抗蚀剂特征的所述处理包含沿所述经修整的第一光致抗蚀剂特征的表面形成保护材料。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述保护材料的所述形成包含原子层沉积。
23.根据权利要求21所述的方法，其中所述保护材料在所述第一间隙内沿所述衬底延伸，且其中所述第二组中的所述光致抗蚀剂特征形成于所述保护材料上方。
24.根据权利要求20所述的方法，其中所述经修整的第一光致抗蚀剂特征的所述处理包含对所述经修整的第一光致抗蚀剂特征进行热处理以遍及所述经修整的第一光致抗蚀剂特征诱发化学变化。
25.根据权利要求20所述的方法，其中所述经修整的第一光致抗蚀剂特征的所述处理包含对所述经修整的第一光致抗蚀剂特征的外表面进行化学处理以沿所述经修整的第一光致抗蚀剂特征的所述外表面诱发化学变化。
26.根据权利要求20所述的方法，其中所述衬底为半导体衬底，且其中所述间隔物由二氧化硅组成。
27.一种形成图案的方法，其包含以光刻方式在衬底上方形成第一组光致抗蚀剂特征；所述第一组光致抗蚀剂特征中的个别特征具有约3x的宽度且通过第一间隙彼此间隔；所述第一间隙具有约5x的宽度；以光刻方式在所述衬底上方形成第二组光致抗蚀剂特征，所述第二组中的所述特征中的至少一些特征处于所述第一间隙内，使得所述第二组中的光致抗蚀剂特征沿延伸穿过所述第一及第二组中的光致抗蚀剂特征的至少一个横截面与所述第一组中的光致抗蚀剂特征交替；所述第二组光致抗蚀剂特征中的个别特征具有约3x的宽度且通过具有约χ的宽度的介入间隙与所述第一光致抗蚀剂特征间隔；横向修整所述第一及第二组光致抗蚀剂特征中的所述个别特征以形成经修整的第一及第二光致抗蚀剂特征；所述经修整的第一及第二光致抗蚀剂特征具有约X的宽度；所述第一及第二光致抗蚀剂特征的所述修整使所述介入间隙的所述宽度扩展到约3x ；在所述经修整的第一及第二光致抗蚀剂特征上方及之间形成间隔物材料；各向异性地蚀刻所述间隔物材料以沿所述经修整的第一及第二光致抗蚀剂特征形成间隔物，所述间隔物具有约X的宽度；及移除所述经修整的第一及第二光致抗蚀剂特征以在所述衬底上方留下所述间隔物的图案，所述图案包含以宽度X的距离彼此间隔的宽度X的间隔物。
28.根据权利要求27所述的方法，其进一步包含借助一次或一次以上蚀刻将所述间隔物的所述图案转印到所述衬底中。
29.根据权利要求观所述的方法，其中所述衬底为包含用于制造存储器架构的一种或一种以上材料的半导体衬底，且其中所述将所述图案转印到所述衬底中将所述一种或一种以上材料图案化成存储器架构的结构。
30.根据权利要求四所述的方法，其中所述存储器架构为NAND。
31.根据权利要求四所述的方法，其中所述存储器架构为DRAM。
32.根据权利要求四所述的方法，其中所述存储器架构包含交叉点存储器单元。
33.根据权利要求28所述的方法，其中所述间隔物由二氧化硅组成。
全文摘要
一些实施例包括形成图案的方法。以光刻方式在衬底上方形成第一组特征，且接着以光刻方式在所述衬底上方形成第二组特征。所述第二组中的所述特征中的至少一些特征与所述第一组中的特征交替。在所述第一及第二组中的所述特征上方及之间形成间隔物材料。各向异性地蚀刻所述间隔物材料以沿所述第一及第二组中的所述特征形成间隔物。接着移除所述第一及第二组中的所述特征以在所述衬底上方留下所述间隔物的图案。
文档编号H01L21/027GK102177570SQ200980140234
公开日2011年9月7日 申请日期2009年9月10日 优先权日2008年10月9日
发明者古尔特杰·S·桑胡, 斯科特·西里斯, 阿尔达万·尼鲁曼德, 马克·基尔鲍赫 申请人:美光科技公司