专利名称：一种真空填孔技术的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种晶圆填孔技术，尤其涉及一种真空填孔技术。
背景技术：
终端产品的发展趋势和规格需求，始终是组件技术发展的驱动力。若以三大信息产品类别——信息、通讯和消费性产品的发展以及其对组件的主要需求来看，始终仍不脱离小型化、高速/高效能、低成本、高容量、同/异质性整合等几个构面区追求。在整个WLCSP 或者是3D IC成本中，填充孔洞占总成本41 %，是非常重要的一环。TSV即是将晶圆穿孔(镭射贯孔或蚀刻)后，将电子回路经由此孔由晶圆表面贯穿至晶圆背后，以达到使用晶圆背面制作回路的目的，并达到WLCSP的目的。目前的填孔技术主要有挤压法和电镀法挤压法是将充满纳米金属的导电金属胶以涂布挤压的方式，将银胶挤入孔中，形成导通状况。其无法解决的问题是在挤压(数次) 的过程中无法避免气泡或孔中银胶不连续链接的问题；电镀法是先行以Sputter电镀或 Plasma电浆方式将导电物质打入孔中，在利用电镀electroplate方式将导电金属镀入孔中；难度非常高，有时会破坏晶圆，亦有不均勻的状况产生，成本及设备非常高，有污染性。
发明内容
本发明的目的是提供一种真空填孔技术，它无须以电镀方式进行加工，可依降低对环境的冲击，且投资成本大幅降低；挤压法无法处里的不连续见面和气孔，真空填孔技术可以轻易解决；真空填孔技术完全以物理特性方式进行加工，无化学反应中隐含的不稳定因素。为了解决背景技术所存在的问题，本发明是采用以下技术方案它的工艺流程为 1)将充满纳米金属液体，倒在晶圆表面，以晶圆旋转方式，使得纳米金属液体漫布在晶圆表面；2)在晶圆背面以覆盖一层滤网，利用真空方式将纳米金属液体经由贯孔吸出液体，而将纳米金属留在贯孔中；3)移除滤网，清除表面残留纳米金属；4)将整个晶圆，以真空将剩余液体升华，另一方面以高温，纳米金属则融化并固化。本发明的优点是它无须以电镀方式进行加工，可依降低对环境的冲击，且投资成本大幅降低；挤压法无法处里的不连续见面和气孔，真空填孔技术可以轻易解决；真空填孔技术完全以物理特性方式进行加工，无化学反应中隐含的不稳定因素。
具体实施例方式本具体实施方式
采用以下技术方案它的工艺流程为1)将充满纳米金属液体， 倒在晶圆表面，以晶圆旋转方式，使得纳米金属液体漫布在晶圆表面；2)在晶圆背面以覆盖一层滤网，利用真空方式将纳米金属液体经由贯孔吸出液体，而将纳米金属留在贯孔中； 3)移除滤网，清除表面残留纳米金属；4)将整个晶圆，以真空将剩余液体升华，另一方面以高温，纳米金属则融化并固化。
本具体实施方式
的优点是它无须以电镀方式进行加工，可依降低对环境的冲击， 且投资成本大幅降低；挤压法无法处里的不连续见面和气孔，真空填孔技术可以轻易解决； 真空填孔技术完全以物理特性方式进行加工，无化学反应中隐含的不稳定因素。
权利要求
1. 一种真空填孔技术，其特征在于它的工艺流程为1)将充满纳米金属液体，倒在晶圆表面，以晶圆旋转方式，使得纳米金属液体漫布在晶圆表面；2)在晶圆背面以覆盖一层滤网，利用真空方式将纳米金属液体经由贯孔吸出液体，而将纳米金属留在贯孔中；3)移除滤网，清除表面残留纳米金属；4)将整个晶圆，以真空将剩余液体升华，另一方面以高温，纳米金属则融化并固化。
全文摘要
一种真空填孔技术，它涉及一种晶圆填孔技术。它的工艺流程为1)将充满纳米金属液体，倒在晶圆表面，以晶圆旋转方式，使得纳米金属液体漫布在晶圆表面；2)在晶圆背面以覆盖一层滤网，利用真空方式将纳米金属液体经由贯孔吸出液体，而将纳米金属留在贯孔中；3)移除滤网，清除表面残留纳米金属；4)将整个晶圆，以真空将剩余液体升华，另一方面以高温，纳米金属则融化并固化。它无须以电镀方式进行加工，可依降低对环境的冲击，且投资成本大幅降低；挤压法无法处里的不连续见面和气孔，真空填孔技术可以轻易解决；真空填孔技术完全以物理特性方式进行加工，无化学反应中隐含的不稳定因素。
文档编号H01L21/768GK102403262SQ20101028156
公开日2012年4月4日 申请日期2010年9月15日 优先权日2010年9月15日
发明者李应煌, 涂嘉晋 申请人:李应煌, 涂嘉晋