专利名称：带有可升降挡板的多层腔体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体行业晶片湿法处理领域，具体为一种带有可升降挡板的多层 腔体装置。
背景技术：
目前，多层腔体湿法处理时承片台需要升降，而在承片台处于低位时，排风主 要排走了腔体上部的气体，对于低位的晶片上方的气流影响不大，此时在晶片上方容易 形成湍流，可能引起液滴的反溅，污染晶片。
发明内容
为了克服上述的种种不足，本发明的目的在于提供一种带有可升降挡板的多层 腔体装置，解决现有技术中晶片上方会形成湍流等问题。本发明的技术方案是一种带有可升降挡板的多层腔体装置，在每层腔体外侧的排风口处设有可单独 控制升降的环形挡风板。所述的带有可升降挡板的多层腔体装置，该装置设有腔体上层、腔体中层、腔 体底层，腔体上层、腔体中层、腔体底层上下设置，形成层叠式结构的多层腔体。所述的带有可升降挡板的多层腔体装置，与每层腔体的环形挡风板相应设置有 伸缩气缸，环形挡风板与伸缩气缸的伸出端连接。通过伸缩气缸的动作自由关闭或开启 排风口。所述的带有可升降挡板的多层腔体装置，多层腔体为中空结构，多层腔体的中 空部分为供承片台升降的通道，承片台底部设置于电机的输出端，承片台顶部设置晶 片，晶片上方与用于喷洒化学液的化学液臂相对应。本发明的优点及有益效果是1、本发明通过在湿法处理所用的多层腔体结构的排风口处增加了环形档风板， 从而可以有效的分别控制每层腔体的气体进出，有利于在腔体内部调整出更稳定流畅的 气流。
2、本发明采用气缸控制环形档风板的升降，具有反应迅速、安装方便、价格低 廉等特点。3、本发明能实现环形档风板两种位置的自动转换，并且采用气动的方法实现， 具有方便、快速和清洁等特点。4、本发明用以控制湿法处理时腔体内部的气流形态和速度，以达到控制液滴飞 溅方向的目的。根据承片台的位置自动调整每个环形挡风板的升降，每层的环形挡风板 可以独立动作，从而可以自由控制排气口开合，使承片台在每个位置时晶片上方都有流 畅的气流通过，不会形成湍流。
图1是本发明的剖面示意图。图2是本 发明的俯视示意图。其中，1、腔体底层；2、排风管；3、气流方向；4、伸缩气缸；5、环形挡风 板；6、化学液；7、腔体上层；8、腔体中层；9、晶片；10、承片台；11、排风口； 12、电机；13、化学液臂。
具体实施例方式下面结合附图对本发明作详细描述。如图1-2所示，本发明带有可升降挡板的多层腔体装置主要包括腔体底层1、 排风管2、气流方向3、伸缩气缸4、环形挡风板5、化学液6、腔体上层7、腔体中层8、 晶片9、承片台10、排风口 11、电机12、化学液臂13等，具体结构如下腔体上层7、腔体中层8、腔体底层1上下设置，形成层叠式结构的多层腔体， 腔体中层8可以为至少一层，可根据工艺需要自由增减层数。在每层腔体外侧的排风口 11处设有环形挡风板5、伸缩气缸4，伸缩气缸4的伸出端与环形挡风板5连接，伸缩气 缸4可带动环形挡风板5升降，可以通过伸缩气缸4的动作自由关闭或开启排风口 11。多层腔体为中空结构，多层腔体的中空部分为供承片台10升降的通道，承片台 10底部设置于电机12的输出端，承片台10顶部用于设置晶片9，晶片9上方与用于喷洒 化学液6的化学液臂13相对应。当晶片9处于某一工作位(某层腔体)时，此层腔体的排风口打开，其他层腔体 的排风口关闭，使气流集中在这一层通过多层腔体外侧的排风管2排出，减少了湍流的 产生，可有效防止化学液飞溅污染晶片。每层腔体独立设置环形挡风板5和伸缩气缸4，每层腔体的环形挡风板5均可由 伸缩气缸4单独控制升降，互相间不受干扰。环形挡风板5处于高位时可完全遮挡住排 气口 11，环形挡风板5位于低位时可完全露出排气口 11。本发明的工作过程如下多层腔体主要由腔体底层1、腔体中层8、腔体上层7构成，承片台10可带动晶 片9在腔体内部升降，停在不同的工艺层完成不同的工艺处理。当承片台10停在某一层 的位置上时，化学液臂13伸出，在晶片上喷洒某种化学液6。同时，其他层腔体处的环 形挡风板5升起，挡柱排风口 11，使上部进入的气流只能从本层的排风口气流方向3通 过，最终经排风管2吸走。这样，就增大了晶片上方的气流速度，将飞溅的化学液随气 流方向带走。减少对晶片表面的污染。该多层腔体全部采用PTFE材质制作，可以在需要强酸强碱对晶片处理的场合使 用，故使用范围非常广泛。
权利要求
1.一种带有可升降挡板的多层腔体装置，其特征在于在每层腔体外侧的排风口处 设有可单独控制升降的环形挡风板。
2.按照权利要求1所述的带有可升降挡板的多层腔体装置，其特征在于该装置设 有腔体上层、腔体中层、腔体底层，腔体上层、腔体中层、腔体底层上下设置，形成层 叠式结构的多层腔体。
3.按照权利要求1所述的带有可升降挡板的多层腔体装置，其特征在于与每层腔 体的环形挡风板相应设置有伸缩气缸，环形挡风板与伸缩气缸的伸出端连接。通过伸缩 气缸的动作自由关闭或开启排风口。
4.按照权利要求1所述的带有可升降挡板的多层腔体装置，其特征在于多层腔体 为中空结构，多层腔体的中空部分为供承片台升降的通道，承片台底部设置于电机的输 出端，承片台顶部设置晶片，晶片上方与用于喷洒化学液的化学液臂相对应。
全文摘要
本发明涉及半导体行业晶片湿法处理领域，具体为一种带有可升降挡风板的多层腔体装置，用以更好的控制处理晶片的腔体内部气流形态。该装置设有若干环形挡风片、伸缩气缸、若干层腔体等。腔体为层叠式结构，可根据工艺需要自由增减层数。每层腔体排风口处配有一环形挡风板，可以通过伸缩气缸的动作自由关闭或打开排风口。当晶片处于某一工作位时，此层腔体的排风口打开，其他层腔体的排风口关闭，使气流集中在这一层通过，减少了湍流的产生，可有效防止化学液飞溅污染晶片。本发明通过在湿法处理所用的多层腔体结构的排风口处增加了环形档风板，从而可以有效的分别控制每层腔体的气体进出，有利于在腔体内部调整出更稳定流畅的气流。
文档编号H01L21/02GK102024682SQ20101028459
公开日2011年4月20日 申请日期2010年9月17日 优先权日2010年9月17日
发明者谷德君 申请人:沈阳芯源微电子设备有限公司