专利名称：采用一次性存储代替外置参考电阻的温度补偿方法
技术领域：
本发明用于模拟电路，采用一次性存储代替外置参考电阻的温度补偿方法，从而免去的片外参考电阻的需要。
背景技术：
在模拟电路的实现中，经常需要用到高精度的参考电阻，这种电阻通常需要外挂， 其原因是IC内置电阻由于工艺的原因，其精度和温度稳定性均不符合设计要求.然而，从应用角度来看，外置电阻是不可取的，为了降低系统成本和管脚数，取消外置电阻是必然趋势·
发明内容
本发明是应用一次性烧录存储器OTP电路在IC出厂时烧录参考电阻在若干工作温度区的补偿值.并用插值法根据片上温度计所计算的温度计算出所在温度的补偿值，再由串并联电阻网进行补偿。要点如下补偿架构补偿架构有电阻串并联网组成.通常采取一个片内电阻和若干片内电阻与CMOS 开关组成的.补偿网络补偿系数的设定。补偿系数在晶元测试(wafer sort)时设定，可采用开环或闭环的设定方式，不管哪种方式，均需测定在各关心温度的补偿值和在关心区间中的补偿法插值系数(即斜率).在开环方式中，可直接测试待补偿电阻的漂移变化计算出补偿值，在闭环方法中，可以还由测试仪自动搜索补偿值直到得到所需电阻值为止.求得的补偿系数，按所在温度区间烧录OTP的对应地址内.补偿系数的计算在通电重起后，烧录于OTP中的补偿系数按所在温度经地址解码后依次存入寄存器，然后由逻辑电路完成插值计算
图1是一种电阻补偿网络架构A是片内置的电阻主体B是用与补偿的并联电阻(应保持一致性)C 是 CMOS 开关D是补偿系数由图2之解码电路供应图2是补偿系数的解码电路A是用于存储器补偿参数的OTP存储器B是读得的参数的寄存器
C是电路重起电路D是逻辑运算电路E是所求得所在温度补偿系数的寄存器(控制图1中的开关电路C)F是片上温度计G是由温度转化OTP地址的地址解码器
具体实施例方式可使用一般的OTP IP实现，必要时也可以用其他不挥发存储(NVM)实现。
权利要求
1.一种模拟电路用参考电阻的实现方法，采用一次写入存储器(OTP)对片内电阻进行全温度区间的校正，从而免去的片外参考电阻的需要
2.根据权利要求1所述的模拟电路用参考电阻的实现方法，其特征是用片内电阻取代片外电阻。
3.根据权利要求1所述的模拟电路用参考电阻的实现方法，其特征是采用一次写入存储器(OTP)，内部存储补偿系数
4.根据权利要求1所述的模拟电路用参考电阻的实现方法，其特征是由经MOS开关选择的电阻串并联网络完成对片内电阻的校正
5.根据权利要求1所述的模拟电路用参考电阻的实现方法，其特征是在通电重起后， 烧录于OTP中的补偿系数按所在温度经地址解码后依次存入寄存器，然后由逻辑电路完成插值计算，
6.根据权利要求1所述的模拟电路用参考电阻的实现方法，其特征是片上温度计提供所在温度信息给插值计算电路，也通过地址解码器选择OTP中的参数。
全文摘要
本发明用于模拟电路，采用一次性存储代替外置参考电阻的温度补偿方法，从而免去的片外参考电阻的需要。
文档编号H01C1/16GK102446611SQ20101050610
公开日2012年5月9日 申请日期2010年10月12日 优先权日2010年10月12日
发明者王健伟 申请人:深圳市浩博光电有限公司