专利名称：一种led等高电极的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种LED等高电极的制作方法。
背景技术：
LED的内在特征决定了它具有很多优点，(1)体积小，LED基本上是一块很小的晶片被封装在环氧树脂里面，所以它非常小，非常轻。(2)耗电量低，LED耗电相当低，直流驱动，超低功耗(单管0. 03-0. 06瓦)，电光功率转换接近100%。一般来说LED的工作电压是 2-3. 6V，工作电流是0. 02-0. 03A ；这就是说，它消耗的电能不超过0. 1W，相同照明效果比传统光源节能80%以上。(3)使用寿命长，有人称LED光源为长寿灯。它为固体冷光源，环氧树脂封装，灯体内也没有松动的部分，不存在灯丝发光易烧、热沉积、光衰等缺点，在恰当的电流和电压下，使用寿命可达6万到10万小时，比传统光源寿命长10倍以上。(4)高亮度、 低热量，LED使用冷发光技术，发热量比普通照明灯具低很多。(5)环保，LED是由无毒的材料作成，不像荧光灯含水银会造成污染，同时LED也可以回收再利用。光谱中没有紫外线和红外线，既没有热量，也没有辐射，眩光小，冷光源，可以安全触摸，属于典型的绿色照明光源。(6)坚固耐用，LED被完全封装在环氧树脂里面，比灯泡和荧光灯管都坚固。灯体内也没有松动的部分，使得LED不易损坏。现有技术下，在横向结构的LED芯片中，由于需要蚀刻出N型区域，导致P型电极和N型电极存在 1.2um的高度差，所以在做倒装结构时，需要置入金属金或锡金球，通过金球的形变同时连接PN电极和电路。但是金属球很难做成球状，通常是扁平状，这样给倒装的芯片和电路连接带来困难，同时可能带来可靠性问题。
发明内容
为了克服现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种实现电极等高度，提高倒装芯片和电路连接的可靠性的LED等高电极的制作方法。为达到以上目的，本发明提供了一种LED等高电极的制作方法，包括如下步骤
1)在LED的P型区域和/或N型区域的上方沉积LED保护薄膜；
2)对已沉积好的LED保护薄膜进行平坦化处理，使所述的LED保护薄膜的上表面形成水平平面；
3)在所述的LED保护薄膜内开出至少两个孔，所述的孔的顶部在所述的LED保护薄膜的外表面处与外部相连通，所述的孔的底部与所述的P型区域或N型区域相连接；
4)在所述的孔内沉积金属电极；
5)将所述的金属电极高于所述的LED保护薄膜上表面的区域去除。本发明的更进一步改进在于，本发明所述的LED保护薄膜为Si02保护薄膜，Si02 保护薄膜具有良好的硬度、光学、介电性质及耐磨、抗蚀等特性。本发明的更进一步改进在于，在沉积LED保护膜步骤前还设置有对LED进行蚀刻， 蚀刻出N型区域的步骤，增加蚀刻步骤可以是LED芯片应用于横向结构的LED芯片中。
本发明的更进一步改进在于，所述的孔为两个，一个孔设置在P型区域的上方并与P型区域相连接，一个开在N型区域的上方并与N型区域相连接。本发明的进一步改进在于，对已沉积好的LED保护薄膜进行平坦化处理的方法为回蚀刻或机械研磨。本发明的进一步改进在于，将所述的金属电极高于所述的LED保护薄膜上表面的区域去除的方法为回蚀刻或机械研磨。由于采用了以上技术方案，首先对LED保护薄膜进行平坦化处理，在通过设置LED 保护薄膜使电极在生长后也进行平坦化处理，保证了在LED保护薄膜中生长的电极都具有和LED保护薄膜一样的高度，从而保证LED各电极等高。
附图1为本发明一种LED等高电极的制作方法实施例一中蚀刻出N型区域后的结构示意附图2为本发明一种LED等高电极的制作方法实施例一中沉积Si02保护薄膜后的结构示意附图3为本发明一种LED等高电极的制作方法实施例一中对Si02保护薄膜进行平坦化处理后的结构示意附图4为本发明一种LED等高电极的制作方法实施例一中在Si02保护薄膜上开孔后的结构示意附图5为本发明一种LED等高电极的制作方法实施例一中生成等高电极后的结构示意图。
具体实施例方式下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。以下结合本发明的具体实施例说明LED等高电极的制作方法。实施例一
参见附图1至附图5，一种LED等高电极的制作方法，包括如下步骤
1)参见附图Ij^LED进行蚀刻，蚀刻出N型区域；
2)参见附图2，在LED的P型区域和N型区域上方同时沉积Si02保护薄膜；
3)参见附图3，对已沉积好的Si02保护薄膜进行平坦化处理，即使用机械研磨方法对 Si02保护薄膜上表面进行研磨，使Si02保护薄膜的上表面形成水平平面；
4)参见附图4，在Si02保护薄膜内开出两个孔，孔的顶部在Si02保护薄膜的外表面处与外部相连通，孔的底部与N型区域相连接；本实施例中一个孔设置在P型区域的上方并与 P型区域相连接，一个开在N型区域的上方并与N型区域相连接。5)在两个孔内沉积金属电极；
6)参见附图5，利用机械掩膜的方法对将金属电极高于Si02保护薄膜上表面的区域去除，这时P型区域和N型区域中的电极剩余部分的上表面都与Si02保护薄膜的上表面等高，即可在P型区域和N型区域上方形成LED等高电极。在本实施例中，仅在P型区域和N型区域各开了一个孔形成金属电极，这种情况下在做倒装结构时，置入金属金或锡金球，通过金球的形变同时连接PN电极和电路。因为金属球很难做成球状，通常是扁平状，所以等高的P型区域和N型区域金属电极与金属球形状相匹配，不会给倒装的芯片和电路连接带来困难，保证了产品连接的可靠性。根据不同的需要还可以同时在P型区域和N型区域各开多个孔，P型区域沉积的金属电极的数目等于N型区域沉积的金属电极数目，之后再分别连接每一对金属电极。P型区域和N型区域开的孔数目和沉积的金属电极的数目不限定本发明的保护范围。当然本发明不仅限于同时在P型区域和N型区域上形成LED等高电极，也同样适用于仅在P型区域或N型区域上形成等高电极的情况，以下使用两个实施例详细说明仅在 P型区域和仅在N型区域上形成等高电极的实施步骤。需要特别提及的是，对Si02保护薄膜和金属电极平坦化就可以采用回蚀刻和机械研磨的方式，可以根据不同的需要对两种方式进行组合使用，而且除了采用回蚀刻和机械研磨的方式外，还可以采取其他方式使Si02保护薄膜和/或金属电极平坦化，平坦化的手段的不同不限定本发明的保护范围。
实施例二
一种在N型区域上形成等高电极的制作方法，包括如下步骤
1)对LED进行蚀刻，蚀刻出N型区域；
2)在LED的N型区域上方沉积Si02保护薄膜；
3)对已沉积好的Si02保护薄膜进行平坦化处理，即使用回蚀刻的方法Si02保护薄膜进行蚀刻，使Si02保护薄膜的上表面形成水平平面；
4)在Si02保护薄膜内开出两个孔，孔的顶部在Si02保护薄膜的外表面处与外部相连通，孔的底部与N型区域相连接；
5)在孔内沉积金属电极；
6)将金属电极高于Si02保护薄膜上表面的区域去除，即使用回蚀刻的方法对多余的金属电极进行去除，即可在N型区域上方形成等高电极。实施例三
一种在P型区域上形成等高电极的制作方法，包括如下步骤
1)在LED的P型区域上方沉积Si02保护薄膜；
2)对已沉积好的Si02保护薄膜进行平坦化处理，即使用回蚀刻的方法Si02保护薄膜进行蚀刻，使Si02保护薄膜的上表面形成水平平面；
3)在Si02保护薄膜内开出两个孔，孔的顶部在Si02保护薄膜的外表面处与外部相连通，孔的底部与P型区域相连接；
4)在孔内沉积金属电极；
5)将金属电极高于Si02保护薄膜上表面的区域去除，即使用机械研磨的方法对多余的金属电极进行研磨，即可在P型区域上方形成等高电极。通过上述实施方式，不难看出本发明是一种实现PN电极等高度，提高倒装芯片和电路连接的可靠性的等高电极的制作方法。以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰均涵盖在本发明的保护范围内。
权利要求
1.一种LED等高电极的制作方法，其特征在于包括如下步骤1)在LED的P型区域和/或N型区域的上方沉积LED保护薄膜；2)对已沉积好的LED保护薄膜进行平坦化处理，使所述的LED保护薄膜的上表面形成水平平面；3)在所述的LED保护薄膜内开出至少两个孔，所述的孔的顶部在所述的LED保护薄膜的外表面处与外部相连通，所述的孔的底部与所述的P型区域或N型区域相连接；4)在所述的孔内沉积金属电极；5)将所述的金属电极高于所述的LED保护薄膜上表面的区域去除。
2.根据权利要求1所述的LED等高电极的制作方法，其特征在于所述的LED保护薄膜为Si02保护薄膜。
3.根据权利要求1所述的LED等高电极的制作方法，其特征在于在沉积LED保护膜步骤前还设置有对LED进行蚀刻，蚀刻出N型区域的步骤。
4.根据权利要求3所述的LED等高电极的制作方法，其特征在于所述的孔为两个，一个孔设置在P型区域的上方并与P型区域相连接，一个开在N型区域的上方并与N型区域相连接。
5.根据权利要求1所述的LED等高电极的制作方法，其特征在于对已沉积好的LED 保护薄膜进行平坦化处理的方法为回蚀刻或机械研磨。
6.根据权利要求1所述的LED等高电极的制作方法，其特征在于将所述的金属电极高于所述的LED保护薄膜上表面的区域去除的方法为回蚀刻或机械研磨。
全文摘要
本发明公开了一种LED等高电极的制作方法，包括如下步骤1)在LED的P型区域和/或N型区域的上方沉积LED保护薄膜；2)对已沉积好的LED保护薄膜进行平坦化处理，使所述的LED保护薄膜的上表面形成水平平面；3)在所述的LED保护薄膜内开出至少两个孔，所述的孔的顶部在所述的LED保护薄膜的外表面处与外部相连通，所述的孔的底部与所述的P型区域或N型区域相连接；4)在所述的孔内沉积金属电极；5)将所述的金属电极高于所述的LED保护薄膜上表面的区域去除。本发明解决了现有技术的缺点，提供了一种实现PN电极等高度，提高倒装芯片和电路连接的可靠性的LED等高电极的制作方法。
文档编号H01L33/36GK102468380SQ20101055452
公开日2012年5月23日 申请日期2010年11月23日 优先权日2010年11月23日
发明者孙智江 申请人:孙智江