专利名称：一种硅双向瞬态电压抑制二极管及制作方法
技术领域：
本发明涉及到一种硅双向瞬态电压抑制二极管及制作方法，属于半导体二极管制作技术领域。
背景技术：
瞬态电压抑制二极管是一种高效能的电路保护器件。近年来，航空、航天用电子元器件朝着小型化方向发展，原有的金属封装、玻璃钝化封装瞬态电压抑制二极管已不能满足要求，要求有体积更小的瞬态电压抑制二极管以满足电子设备小型化的要求。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种硅双向瞬态电压抑制二极管及制作方法，以缩小硅双向瞬态电压抑制二极管的体积、便于工程安装，从而克服现有技术的不足。本发明的技术方案是这样构成的本发明的一种硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法是在P型硅片两面扩散出两个N区，在两个N区表面镀镍，划片后得正六边形芯片， 将芯片封装在管壳内，引出电极得硅双向瞬态电压抑制二极管。前述的硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法中，所述扩散采用扩散台面工艺进行磷扩散。前述的硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法中，所述P型硅片为P型无错位硅单晶片，电阻率在0. 09 0. 15 Ω. cm之间，厚度在290 310 μ m之间。前述的硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法中，所述N区厚度在40 50 μ m之间。前述的硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法中，所述N区表面喷砂后镀镍。前述的硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法中，所述正六边形的顶角为3mm。前述的硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法中，所述封装采用贴片式封装。按照前述的制作方法制成的硅双向瞬态电压抑制二极管，包括管壳，管壳内设有芯片，芯片的一个N区直接与A极连接，芯片的另一个N区经连接片与B极连接。前述的硅双向瞬态电压抑制二极管中，所述管壳与A极和B极之间均设有绝缘体， A极与B极之间也设有绝缘体。前述的硅双向瞬态电压抑制二极管中，所述管壳上设有盖板。与现有技术相比，本发明采用贴片式封装，具有体积小，重量轻、瞬间吸收功率大及可靠性高的特点。随着武器装备系统向着小型化、智能化方向发展，具有更小体积和更便于安装的表贴类瞬态电压抑制二极管有更好的发展前景；并且该器件在研制过程中采用了非常先进的平行缝焊封装技术，使得器件内部气氛能够控制在更低的水平，很好的提升的器件的使用寿命，具有更好的可靠性。
图1是本发明芯片的结构示意图 图2是本发明的封装结构示意图。附图中的标记为1-管壳，2-芯片，3-A极，4-连接片，5-B极，6-绝缘体，7-盖板。
具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明，但不作为对本发明的任何限制。
具体实施例方式本发明的一种硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法是在P型硅片两面扩散出两个N区，在两个N区表面镀镍，划片后得正六边形芯片，将芯片封装在管壳内，引出电极得硅双向瞬态电压抑制二极管。所述扩散采用扩散台面工艺进行磷扩散。所述P型硅片为P型无错位硅单晶片，电阻率在0. 09 0. 15 Ω . cm之间，厚度在290 310 μ m 之间。所述N区厚度在40 50μπι之间。所述N区表面喷砂后镀镍。所述正六边形的顶角为3mm。所述封装采用贴片式封装。按照本发明的制作方法制成的硅双向瞬态电压抑制二极管，其结构示意图如图1 和图2所示，本发明的制作方法制成的硅双向瞬态电压抑制二极管包括管壳1，制作时，在管壳1内设有芯片2，将芯片2的一个N区直接与A极3连接，芯片1的另一个N区经连接片4与B极5连接；在管壳1与A极3和B极5之间均设有绝缘体6，在A极与B极之间也设有绝缘体6 ；然后再管壳1上安装上盖板7即成。本发明的硅双向瞬态电压抑制二极管型号为SY023型，属瞬态电压保护器，在整机中做过压保护用，其技术指标要求瞬间吸收功率大、反向漏电流小，外形需采用YE0-01A (SMD-0. 5)贴片式封装，其外形尺寸较小，综合产品特点和我厂实际生产情况，我们采用了扩散工艺制作PN结。该器件为双向器件，要求击穿电压V (BE) :37V 40. 3V，电压一致性要求高，反向漏电流Ik < 3μ Α，ΙΡ=9. 9Α，Vc彡53. 3V。瞬态电压抑制器的特点是在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。根据器件的特点，设计时必须考虑瞬时大能量的吸收问题。当器件管芯尺寸选定后，如何降低瞬态热阻是提高器件瞬态脉冲功率的关键。根据瞬态热阻公式
权利要求
1.一种硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法，其特征在于该方法是在P型硅片两面扩散出两个N区，在两个N区表面镀镍，划片后得正六边形芯片，将芯片封装在管壳内，引出电极得硅双向瞬态电压抑制二极管。
2.根据权利要求1所述的硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法，其特征在于所述扩散采用扩散台面工艺进行磷扩散。
3.根据权利要求1所述的硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法，其特征在于所述P 型硅片为P型无错位硅单晶片，电阻率在0. 09 0. 15 Ω . cm之间，厚度在290 310 μ m之间。
4.根据权利要求1所述的硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法，其特征在于所述N 区厚度在40 50 μ m之间。
5.根据权利要求1所述的硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法，其特征在于所述N 区表面喷砂后镀镍。
6.根据权利要求1所述的硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法，其特征在于所述正六边形的顶角为3mm。
7.根据权利要求1所述的硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法，其特征在于所述封装采用贴片式封装。
8.按照权利要求1 7任一权利要求所述的制作方法制成的硅双向瞬态电压抑制二极管，其特征在于包括管壳(1)，管壳(1)内设有芯片(2)，芯片(2)的一个N区直接与A极 (3)连接，芯片(1)的另一个N区经连接片(4)与B极(5)连接。
9.根据权利要求8所述的硅双向瞬态电压抑制二极管，其特征在于所述管壳(1)与A 极(3 )和B极(5 )之间均设有绝缘体(6 )，A极与B极之间也设有绝缘体(6 )。
10.根据权利要求8所述的硅双向瞬态电压抑制二极管，其特征在于所述管壳(1)上设有盖板(7)。
全文摘要
本发明公开了一种硅双向瞬态电压抑制二极管及制作方法，该方法是在P型硅片两面扩散出两个N区，在两个N区表面镀镍，划片后得正六边形芯片，将芯片封装在管壳内，引出电极得硅双向瞬态电压抑制二极管。本发明采用贴片式封装，具有体积小，重量轻、瞬间吸收功率大及可靠性高的特点。随着武器装备系统向着小型化、智能化方向发展，具有更小体积和更便于安装的表贴类瞬态电压抑制二极管有更好的发展前景；并且该器件在研制过程中采用了非常先进的平行缝焊封装技术，使得器件内部气氛能够控制在更低的水平，很好的提升的器件的使用寿命，具有更好的可靠性。
文档编号H01L21/329GK102543720SQ20101057516
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月7日 优先权日2010年12月7日
发明者吴贵松, 周廷荣, 周鹏 申请人:中国振华集团永光电子有限公司