高压大功率运算放大器的制作方法

文档序号:6965134阅读:539来源:国知局
专利名称:高压大功率运算放大器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种半导体混合集成电路器件,尤其是涉及一种高压大功率运算 放大器。
背景技术
由于运算放大器多为功率较小,工作电压较低,输出功率较小。因而,无法直接应 用于某些工作电压较高,负载较大的环境。目前,大多数是通过多个元件组合使用来实现电 路功能,且需要外加晶体管散热片,占用空间大,组装繁琐。尤其在一些恶劣环境下,例如超 高温、超低温、高湿度、强振动等条件下,普通元件无法工作;且一般的混合集成电路是将所 有元件均粘接在同一基片上,导致散热效果较差。
发明内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种将多个元件同时集成在一起,既实现高 压运算放大器的功能,又保证良好的散热效果的高压大功率运算放大器。本实用新型涉及的高压大功率运算放大器,包括管壳,粘接在管壳上的陶瓷基片, 运算放大器芯片,构成扩流电路的大功率晶体管、电阻和电容,构成扩压电路的二极管及三 极管、电阻及电容,其特殊之处是所述的运算放大器芯片、二极管及三极管采用环氧树脂 胶粘接在陶瓷基片上,所述的电容为贴片电容并且采用焊锡焊接在陶瓷基片上,所述的电 阻直接印制在陶瓷基片上,在陶瓷基片上还印制有金导带,所述的大功率晶体管芯片通过 合金焊料直接烧结在管壳上并由管壳作为该高压大功率运算放大器的输出端,陶瓷基片上 各元件以及大功率晶体管之间采用金属丝互连。上述的高压大功率运算放大器,所述的陶瓷基片为半圆形,并且在陶瓷基片上对 应管脚位置设有圆孔,以保证良好的散热效果,适合某些特殊的使用环境。本实用新型的优点是占用空间小,方便使用,特别是将大功率晶体管与陶瓷基 片分开粘接,大功率晶体管直接烧结在管壳上并由管壳作为高压大功率运算放大器的输出 端,可大大减小接触电阻,减小发热量,将大功率晶体管产生的热量直接传导到产品外壳, 并迅速散到外界,从而满足大功率晶体管的散热要求,可适用于-40°C +85°C的工作环
境 o

图1是本实用新型的结构示意图;图2是图1 (去掉管帽)的俯视图;图3是本实用新型的电路方框图。图中管壳1、粘结膜2、陶瓷基片3、金导带301、电阻302、圆孔303、运算放大器芯 片4、环氧树脂胶5、贴片电容6、焊锡7、二极管及三极管8、大功率晶体管9、金属丝10、合金 焊料11。
具体实施方式
如图所示,本实用新型包括由管座和管帽构成的管壳1、陶瓷基片3、运算放大器 芯片4,构成扩流电路的大功率晶体管9、电阻和电容,构成扩压电路的二极管及三极管8、 电阻及电容,所述的电阻为采用丝网印刷技术印制在陶瓷基片3表面的电阻302,在陶瓷基 片3表面还印制有金导带301,陶瓷基片3为半圆形并通过粘结膜2粘接在管壳1上,陶瓷 基片3可采用二氧化硅、氮化铝、氧化铝、氧化铍中的一种作为基板材料,在陶瓷基片3上对 应管脚位置设有六个圆孔303,运算放大器芯片4、二极管及三极管8用环氧树脂胶5粘接 在陶瓷基片3上,所述的电容采用贴片电容6并且通过焊锡7焊接在陶瓷基片3上,大功率 晶体管9通过合金焊料11采用高温合金烧结工艺直接烧结在管壳1上,并由管壳1作为该 高压大功率运算放大器的输出端。陶瓷基片3上各元件及大功率晶体管9之间采用金属丝 10互连。
权利要求一种高压大功率运算放大器,包括管壳,粘接在管壳上的陶瓷基片,运算放大器芯片,构成扩流电路的大功率晶体管、电阻和电容,构成扩压电路的二极管及三极管、电阻及电容,其特征是所述的运算放大器芯片、二极管及三极管采用环氧树脂胶粘接在陶瓷基片上,所述的电容为贴片电容并且采用焊锡焊接在陶瓷基片上,所述的电阻直接印制在陶瓷基片上,在陶瓷基片上还印制有金导带,所述的大功率晶体管芯片通过合金焊料直接烧结在管壳上并由管壳作为该高压大功率运算放大器的输出端,陶瓷基片上各元件以及大功率晶体管之间采用金属丝互连。
2.根据权利要求1所述的高压大功率运算放大器,其特征是陶瓷基片为半圆形,并且 在陶瓷基片上对应管脚位置设有圆孔。
专利摘要一种高压大功率运算放大器,包括管壳,陶瓷基片,运算放大器芯片,构成扩流电路的大功率晶体管、电阻和电容,构成扩压电路的二极管及三极管、电阻及电容,其特征是运算放大器芯片、二极管及三极管粘接在陶瓷基片上,电容为贴片电容并且采用焊锡焊接在陶瓷基片上,所述的电阻直接印制在陶瓷基片上,在陶瓷基片上还印制有金导带,所述的大功率晶体管芯片通过合金焊料直接烧结在管壳上,陶瓷基片上各元件以及大功率晶体管之间采用金属丝互连。优点是占用空间小,方便使用,可大大减小接触电阻,减小发热量,将大功率晶体管产生的热量直接传导到产品外壳,并迅速散到外界,从而满足大功率晶体管的散热要求,适用于-40℃~+85℃的工作环境。
文档编号H01L25/16GK201584416SQ20102015005
公开日2010年9月15日 申请日期2010年4月1日 优先权日2010年4月1日
发明者任志伟, 薛晓东, 赵恂, 赵海峰 申请人:锦州七七七微电子有限责任公司
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