专利名称：单片功率运算放大器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种运算放大器，尤其是单片功率运算放大器。
背景技术：
通用运算放大器封装形式一般为金属圆壳，陶瓷双列直插；金属圆壳封装结 到环境的热阻为e = 150°c /w,陶瓷双列直插封装结到环境的热阻为e M = ioo 187°C /ff ；通用运算放大器在士 15V电源电压下安全工作电流为5mA 10mA，不能满足电压 调节器、音频放大器、伺服放大电路和功率驱动电路的要求。
发明内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种输出电流大的单片功率运算放大器，以 满足电压调节器、音频放大器、伺服放大电路和功率驱动电路的要求。本实用新型涉及的单片功率运算放大器，包括金属管壳和单片运算放大器芯片， 其特殊之处是所述的金属管壳为菱形功率管壳，在单片运算放大器芯片背面设有钛镍银 多层电极，所述的单片运算放大器芯片通过铅锡银合金粘片粘接在金属管壳上，在金属管 壳上还设有二个薄膜过渡基片，在薄膜过度基片上面设有导带，在单片运算放大器芯片上 对应键合点和导带之间以及在管腿和对应的导带之间键合有硅铝丝。本实用新型的优点是一、通过在单片运算放大器芯片背面溅射钛镍银多层电极并且采用铅锡银合金粘 片，减少了管芯到管壳的热阻，使该单片功率运算放大器在士 15V电源电压下可以长时间 工作在150mA 200mA的输出电流的状态，并且可以输出大于325mA的电流，完全满足了电 压调节器、音频放大器、伺服放大电路和功率驱动电路的要求。二、选用菱形功率管壳封装，该封装形式在合金粘片工艺下，壳到环境的热阻大大 降低，仅为9 JA = 35°C /ff0三、通过沉积在薄膜过渡基片的导带，缩短了键合引线的长度，提高了产品的可靠 性。
图1是本实用新型的结构示意图；图2是图1的俯视图。图中金属管壳1，单片运算放大器芯片2，铅锡银合金粘片3，硅铝丝4，过渡基片 5，硅铝丝6，过渡基片7，导带8，膜粘片9。
具体实施方式
如图所示，本实用新型有一个金属管壳1和单片运算放大器芯片2，所述的金属管 壳1为菱形功率管壳，所述的单片运算放大器芯片2的厚度为300 士 20 y m，且在单片运算放大器芯片2背面设有钛镍银多层电极，单片运算放大器芯片2通过铅锡银合金粘片3粘接 在金属管壳1上，在金属管壳1上通过膜粘片9设有过渡基片5和过渡基片7，所述的过渡 基片5、7采用微晶玻璃且在其表面设有导带8，在单片运算放大器芯片2上对应键合点和导 带8之间以及在管腿和对应的导带8之间键合有硅铝丝4、6。
权利要求一种单片功率运算放大器，包括金属管壳和单片运算放大器芯片，其特征是所述的金属管壳为菱形功率管壳，在单片运算放大器芯片背面设有钛镍银多层电极，所述的单片运算放大器芯片通过铅锡银合金粘片粘接在金属管壳上，在金属管壳上还设有二个薄膜过渡基片，在薄膜过度基片上面设有导带，在单片功率运算放大器芯片上对应键合点和导带之间以及在管腿和对应的导带之间键合有硅铝丝。
专利摘要一种单片功率运算放大器，包括金属管壳和单片运算放大器芯片，其特殊之处是所述的金属管壳为菱形功率管壳，在单片运算放大器芯片背面设有钛镍银多层电极，所述的单片运算放大器芯片通过铅锡银合金粘片粘接在金属管壳上，在金属管壳上还设有二个薄膜过渡基片，在薄膜过度基片上面设有导带，在单片功率运算放大器芯片上对应键合点和导带之间以及在管腿和对应的导带之间键合有硅铝丝。其优点是输出电流大，可靠性高，在±15V电源电压下可以长时间工作在150mA～200mA的输出电流的状态，并且可以输出大于325mA的电流，完全满足了电压调节器、音频放大器、伺服放大电路和功率驱动电路的要求。
文档编号H03F3/20GK201601656SQ201020100559
公开日2010年10月6日 申请日期2010年1月19日 优先权日2010年1月19日
发明者彭焕先, 罗志勇 申请人:锦州七七七微电子有限责任公司