专利名称：片式肖特基二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体器件，具体涉及肖特基二极管。
背景技术：
肖特基二极管是利用金属和半导体之间接触势垒进行工作的一种多子型器件。它 包括由重掺杂硅衬底及轻掺杂的硅外延层构成的硅外延片，衬底背面的欧姆接触电极，硅 外延的上方势垒金属(硅化物)周边围有掺B的P+环的势垒，上方设置有金属电极。在本 发明作出前，传统的硅肖特基二极管，衬底背面欧姆接触电极均采用Ag，限制了其后工序加 工手段及封装形式，从而使其应用场合受到了极大限制。
发明内容本实用新型的目的是提供一种能用于共晶焊的片式肖特基二极管。本实用新型的技术方案是包括由重掺杂硅衬底及硅外延层构成的外延片、欧姆 接触电极、周边围有P+环的势垒金属硅化物、势垒金属硅化物上的金属电极以及顶部钝化 层，其特征是，所述欧姆接触电极为镀覆在重掺杂硅衬底底面的金层；所述的硅外延层厚度 1-10 μ m。所述钝化层包括钝化层一和钝化层二 ；钝化层二的底面接触硅外延层和P+环，侧 面接触金属电极；钝化层一的底面接触钝化层二和金属电极。本实用新型采用了在掺砷衬底的底面镀覆Au的工艺，能有效的实现与框架的共 晶焊，实现器件外形片式样，小型样，从而拓宽了应用范围。P型环有效终结肖特基结边沿 处的电场，钝化层能更好的终断反向漏电流，特别是能抑制边沿处的漏电流，背面掺砷衬底 上镀Au电极使芯片实现与框架共晶，从而使器件片式化小型化。
图1是本实用新型的结构示意图。图中1是重掺杂硅衬底，2是硅外延层，3是欧姆接触电极，4是P+环，5是势垒金 属硅化物，6是金属电极，7是钝化层一，8是钝化层二。
具体实施方式
本实用新型如图1所示包括由重掺杂硅衬底1及硅外延层2构成的外延片、欧姆 接触电极3、周边围有P+环4的势垒金属硅化物5、势垒金属硅化物5上的金属电极6以及 顶部钝化层7、8，所述欧姆接触电极3为镀覆在重掺杂硅衬底1底面的金层；所述的硅外延 层2厚度1-10 μ m,硅外延层2中按浓度1 X IO15-I X IO17cnT3掺杂有磷。所述钝化层包括钝化层一和钝化层二 ；钝化层二的底面接触硅外延层2和P+环 4，侧面接触金属电极6 ；钝化层一的底面接触钝化层二和金属电极6。制作本实用新型时，硅外延层2掺杂为磷，重掺杂硅衬底1掺杂为砷。P+环4掺杂为硼。势垒金属硅化物5中的势垒金属为Cr、Ti或Mo。重掺杂硅衬底1底部欧姆接触电 极为在掺砷衬底底面上镀Au或多层Au。
权利要求片式肖特基二极管，包括由重掺杂硅衬底及硅外延层构成的外延片、欧姆接触电极、周边围有P+环的势垒金属硅化物、势垒金属硅化物上的金属电极以及顶部钝化层，其特征是，所述欧姆接触电极为镀覆在重掺杂硅衬底底面的金层；所述的硅外延层厚度1 10μm。
2.根据权利要求1所述的片式肖特基二极管，其特征在于，所述钝化层包括钝化层一 和钝化层二 ；钝化层二的底面接触硅外延层和P+环，侧面接触金属电极；钝化层一的底面 接触钝化层二和金属电极。
专利摘要片式肖特基二极管。涉及肖特基二极管。能用于共晶焊。包括由重掺杂硅衬底及硅外延层构成的外延片、欧姆接触电极、周边围有P+环的势垒金属硅化物、势垒金属硅化物上的金属电极以及顶部钝化层，其特征是，所述欧姆接触电极为镀覆在重掺杂硅衬底底面的金层；所述的硅外延层厚度1-10μm。本实用新型采用了在掺砷衬底的底面镀覆Au的工艺，能有效的实现与框架的共晶焊，实现器件外形片式样，小型样，从而拓宽了应用范围。P型环有效终结肖特基结边沿处的电场，钝化层能更好的终断反向漏电流，特别是能抑制边沿处的漏电流，背面掺砷衬底上镀Au电极使芯片实现与框架共晶，从而使器件片式化小型化。
文档编号H01L29/872GK201741701SQ20102018543
公开日2011年2月9日 申请日期2010年5月11日 优先权日2010年5月11日
发明者殷俊, 王毅, 陈晓华 申请人:扬州扬杰电子科技有限公司