一种绒面ZnO基薄膜的盐溶液腐蚀方法

文档序号:7000882阅读:238来源:国知局
专利名称:一种绒面ZnO基薄膜的盐溶液腐蚀方法
技术领域
本发明涉及绒面ZnO基薄膜的腐蚀方法,尤其是绒面ZnO基薄膜的盐溶液腐蚀方法。
背景技术
绒面是薄膜表面形貌的一种状态,是薄膜陷光结构的具体表现,它的特征是具有比较大的表面粗糙度,通过对光折射和散射,将入射到薄膜中的光分散到各个角度,从而增加入射光在材料中的光程,增加光的吸收。例如,在薄膜太阳能电池中,透明电极对于提高电池的转换效率起着十分重要的作用,在玻璃衬底上制备满足光散射特性的绒面透明导电膜可以增大电池的短路电流和入射光在电池中的光程,从而提高电池的光电转换效率。ZnO在发光二极管(LED)、太阳能电池、镀膜薄膜、面发热膜等多个领域应用广泛。 在很多应用方面,如在太阳能电池领域,要求ZnO薄膜具有绒面化结构。ZnO基薄膜的绒面化主要采用酸性溶液腐蚀方法,比如盐酸溶液、醋酸溶液等。目前,还见有采用醋酸氨和氯化氨溶液腐蚀方法形成绒面ZnO基薄膜的报道,但尚没有以其它盐溶液为腐蚀液的报道。

发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种绒面ZnO基薄膜的盐溶液腐蚀方法。本发明的绒面ZnO基薄膜的盐溶液腐蚀方法,是用质量浓度为广25%的硫酸氨溶液或硝酸氨溶液对ZnO基薄膜腐蚀1秒至1小时,或者用质量浓度为广30%的磷酸氨溶液对ZnO基薄膜腐蚀腐蚀1秒至1. 5小时,在ZnO基薄膜表面形成绒面结构。上述的ZnO基薄膜为未掺杂的SiO、ZnMgO, ZnCdO, ZnBeO或SiCaO本征薄膜,或者为掺杂的 SiO、ZnMgO、ZnCdO, ZnBeO 或 SiCaO 薄膜。本发明的有益效果或特点在于
1)相对于目前主要使用的酸性溶液腐蚀方法,盐溶液的腐蚀速度适中,易于操作,可很好地控制其织构过程,制得的绒面ZnO基薄膜绒度为5% 30%。2)相对于已有报道的醋酸氨或氯化氨溶液腐蚀方法,本发明的盐溶液腐蚀方法其腐蚀速度更快,结构更加均勻,有利于提高产量和成品率,降低成本。3)利用盐溶液腐蚀形成的绒面ZnO基薄膜具有良好的光学和电学特性,且陷光作用显著,可获得实际应用。


图1是采用磷酸氨溶液腐蚀所形成的绒面ZnO基薄膜的扫描电镜(SEM)图。图2是采用硫酸氨溶液腐蚀所形成的绒面ZnO基薄膜的扫描电镜(SEM)图。
具体实施方式
以下结合附图,通过实施例对本发明做进一步的说明。实施例1
利用磁控溅射方法生长Al掺杂ZnO透明导电薄膜。以磷酸氨溶液为腐蚀溶液,采用质量浓度为5%的磷酸氨溶液对上述Al掺杂ZnO透明导电薄膜腐蚀5min,制得的绒面ZnO基薄膜在^Onm处绒度为10%,其SEM图如图1所示。实施例2:
利用磁控溅射方法生长Al掺杂ZnO透明导电薄膜。以硫酸氨溶液为腐蚀溶液,采用质量浓度为10%的硫酸氨溶液对上述Al掺杂ZnO透明导电薄膜腐蚀lmin,制得的绒面ZnO基薄膜在^Onm处绒度为14%,其SEM图如图2所示。
权利要求
1.一种绒面ZnO基薄膜的盐溶液腐蚀方法,其特征在于用质量浓度为广25%的硫酸氨溶液或硝酸氨溶液对ZnO基薄膜腐蚀1秒至1小时,或者用质量浓度为广30%的磷酸氨溶液对ZnO基薄膜腐蚀腐蚀1秒至1. 5小时,在ZnO基薄膜表面形成绒面结构。
2.根据权利要求1所述的绒面ZnO基薄膜的盐溶液腐蚀方法,其特征是所述的ZnO基薄膜为未掺杂的SiO、ZnMgO、ZnCdO, ZnBeO或SiCaO本征薄膜,或者为掺杂的SiO、ZnMgO、 ZnCdO, ZnBeO 或 ZnCaO 薄膜。
全文摘要
本发明公开了一种绒面ZnO基薄膜的盐溶液腐蚀方法。采用硫酸氨、硝酸氨或磷酸氨溶液,对本征或掺杂的ZnO、ZnMgO、ZnCdO、ZnBeO或ZnCaO薄膜进行腐蚀,形成绒面结构。本发明的盐溶液腐蚀方法,腐蚀速度适中,易于操作,可很好地控制其织构过程,所得绒面ZnO基薄膜具有良好的光学和电学特性,陷光作用显著。
文档编号H01L31/18GK102270568SQ201110123598
公开日2011年12月7日 申请日期2011年5月13日 优先权日2011年5月13日
发明者叶志镇, 吕建国, 王倩 申请人:浙江大学
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