专利名称：热处理装置、热处理方法和存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一边将被处理基板水平搬送，一边对上述被处理基板实施热处理的热处理装置和热处理方法。
背景技术：
例如，在FPD(平板显示器)的制造中，利用所谓光刻工序来形成电路图案。具体而言，在对玻璃基板等被处理基板形成规定的膜后，涂敷作为处理液的光致抗蚀剂(以下称“抗蚀剂”)来形成抗蚀膜，对应于电路图案将抗蚀膜曝光，并对其进行显影处理。不过，近年来，在该光刻工序中，出于提高吞吐量的目的，大多采用一边将被处理基板以大致水平姿势的状态搬送，一边对其被处理面实施抗蚀剂的涂敷、干燥、加热、冷却处理等各处理的结构。例如，在将基板加热，进行抗蚀膜的干燥和显影处理后的干燥的热处理装置中，已普及了如专利文献1所公开的那样，一边将基板在水平方向上水平搬送，一边利用沿着搬送路配置的加热器进行加热处理的结构。以图7(a) (d)作为一例进行具体说明，图示的热处理装置60具备通过可旋转地铺设多个搬送辊61而得的水平的基板搬送路62，并设置有沿着该基板搬送路62形成热处理空间的腔室65。在腔室65设置有狭缝状的基板搬入口 65a和基板搬出口 65b。S卩，在基板搬送路62上搬送的基板G (G1、G2、G3……)，被连续地从基板搬入口 65a 搬入到腔室65内实施规定的热处理，然后从基板搬出口 6 搬出。在腔室65内，连续地设置有对基板G(G1、G2、G3……)进行预加热，使基板G升温至规定温度的预加热部63，和用于维持基板温度的进行主加热的主加热部64。预加热部63具有设置于各搬送辊61之间的下部加热器66和设置于顶部的上部加热器67，主加热部64具有设置于各搬送辊61之间的下部加热器69和设置于顶部的上部加热器70。在这样构成的热处理装置60中，为了在预加热部63中将基板G加热到规定温度 (例如100°c )，下部加热器66和上部加热器67被设为规定的设定温度(例如160°C )。另一方面，对于主加热部64，为了维持已被预加热部63加热的基板G的温度，高效地进行热处理，下部加热器69和上部加热器70被设为规定的热处理温度(例如100°C )。然后，如图7(a) (d)的时序状态所示，多个基板G(G1、G2、G3……)以批次单位连续地从搬入口 6 被搬入到预加热部63，各基板G在该处被加热到规定温度(例如100°C )。在预加热部63中升温的各基板G，被接着搬送到主加热部64，在该处被维持着基板温度实施规定的热处理(例如使抗蚀剂中的溶剂蒸发的处理)，然后被连续地从搬出口 6 搬出。专利文献1 日本特开2007-158088号公报
发明内容
但是，在图7(a) 图7(d)所示的水平搬送结构的热处理装置中，经预加热部63 预加热后的基板温度，存在在基板G的前部区域和后部区域与中央部的区域不相同的倾向。具体而言，基板G的前部区域由于前方没有延续的基板面(吸收热的面)，所以会搬入到蓄热较多状态的腔室内，受到比中央部区域多的热量，变得更高温。另一方面，对于基板G的后部区域，由于后方没有延续的基板面(吸收热的面)，所以会在蓄热较多状态的腔室内搬送，受到比中央部区域多的热量，变得更高温。因此，当在主加热部64中对已被预加热部63升温的基板G实施规定的加热处理时，存在基板面内的温度偏差导致配线图案的线宽变得不均勻的问题。本发明鉴于上述现有技术的问题而实施，提供一种一边将被处理基板水平搬送一边实施热处理的热处理装置和热处理方法，其能够抑制基板面内的热处理温度的偏差，使基板面内的配线图案的线宽更加均勻。为解决上述课题，本发明的热处理装置，是对水平搬送的基板进行热处理的热处理装置，其特征在于，包括形成基板搬送路，将上述基板沿着上述基板搬送路水平搬送的基板搬送机构；覆盖上述基板搬送路的规定区域，并形成对在上述基板搬送路搬送的上述基板的热处理空间的第一腔室；能够将上述第一腔室内加热或冷却的第一加热·冷却机构；设置于上述第一腔室的前段，对在上述基板搬送路搬送的基板进行检测的基板检测机构；和被供给上述基板检测机构的检测信号，并能够控制上述基板搬送机构的基板搬送速度的控制机构，其中，上述控制机构根据上述基板检测机构的检测信号取得基板的搬送位置，按照沿着基板搬送方向分成多个区域的基板的每个区域，切换上述基板搬送机构的基板搬送速度，控制在上述第一腔室内的停留时间。此外，上述控制机构优选进行控制以使上述第一腔室内的基板的前部区域和后部区域的停留时间比基板的中央部区域短。通过采用这样的结构，在搬送基板时能够实现下述控制，S卩，例如其中央部以正常的搬送速度在第一腔室内搬送，而在将基板前部搬入到第一腔室的期间和将基板后部从第一腔室搬出的期间，以比正常的搬送速度快的速度搬送。由此，相对于基板的中央部停留在第一腔室中的时间，基板前部和基板后部的停留时间变短，基板整体受到的热量变得均勻，基板面内的温度偏差受到抑制。其结果是，能够使基板面内的配线图案的线宽更加均勻。此外，为解决上述课题，本发明的热处理方法，将基板沿着基板搬送路水平搬送， 搬入到将上述基板加热或冷却的第一腔室内，并对搬入上述第一腔室内的基板进行热处理，该热处理方法的特征在于，包括在搬入上述第一腔室前，对在上述基板搬送路搬送的基板进行检测的步骤；和根据上述基板的检测取得基板的搬送位置，按照沿着基板搬送方向分成多个区域的基板的每个区域切换基板搬送速度，控制在上述第一腔室内的停留时间的控制步骤。此外，在控制上述第一腔室内的停留时间的步骤中，优选进行控制以使上述第一腔室内的基板的前部区域和后部区域的停留时间比基板的中央区域短。根据这种方法，在搬送基板时能够实现下述控制，S卩，例如其中央部以正常的搬送
5速度在第一腔室内搬送，而在将基板前部搬入第一腔室的期间和将基板后部从第一腔室搬出的期间，以比正常的搬送速度快的速度搬送。由此，相对于基板的中央部停留在第一腔室中的时间，基板前部和基板后部的停留时间变短，基板整体受到的热量变得均勻，基板面内的温度偏差受到抑制。其结果是，能够使基板面内的配线图案的线宽更加均勻。根据本发明，能够获得一种一边将被处理基板水平搬送一边实施热处理的热处理装置和热处理方法，其能够抑制基板面内的热处理温度的偏差，使基板面内的配线图案的线宽均勻。
图1是表示本发明的一个实施方式的整体概略结构的截面图。图2是表示本发明的一个实施方式的整体概略结构的俯视图。图3是表示本发明的热处理装置的动作流程的流程图。图4(a) (c)是用于说明与图3的流程对应的热处理装置的动作的截面图。图5是表示接着图3的流程实施的本发明的热处理装置的动作流程的流程图。图6(a) (c)是用于说明与图5的流程对应的热处理装置的动作的截面图。图7(a) (d)是用于说明现有的热处理装置的课题的截面图。图8是用于基板温度测定器的位置的俯视图。图9是表示离开基板的端部的距离与该位置处的基板温度的关系的图。图10是表示基板的规定位置的温度与该位置开始加热处理后经过的时间的关系的图。附图标记说明1 加热处理单元(热处理装置)2 基板搬送路8 腔室8A 第一腔室8B 第二腔室17 下部面状加热器(第一加热·冷却机构)18 上部面状加热器(第二加热·冷却机构)20 辊(基板搬送机构)40 控制部(控制机构)45 基板检测传感器(基板检测机构)G 基板(被处理基板)
具体实施例方式以下基于附图对本发明的热处理装置的实施方式进行说明。另外，本实施方式中， 以将热处理装置应用于对作为被处理基板的玻璃基板(以下称“基板G”)进行加热处理的加热处理单元的情况为例进行说明。此外，以下说明中使用的基板G的前部(区域)是指，例如对于基板全长来说从基板前端起到四分之一左右(若基板全长为2000mm则为500mm)的区域，基板G的后部(区域)是指，对于基板全长来说从基板后端起到四分之一左右的区域。另外，基板G的中央部 (区域)是上述基板G的除去前部和后部的区域。图1是表示加热处理单元1的整体的概略结构的截面图，图2是加热处理单元 1(表示平面方向的截面)的俯视图。该加热处理单元1如图1、图2所示，具有利用可旋转地铺设的多个辊20将基板G 向着X方向搬送的基板搬送路2。沿着该基板搬送路2，从上游侧依次配置(向着X方向) 有基板搬入部3、进行预加热的预加热部4、进行主加热的主加热部5和基板搬出部6。基板搬送路2如图2所示，具有多个在Y方向延伸的圆柱状的辊20 (基板搬送机构)，这些多个辊20在X方向上隔开规定的间隔，分别可旋转地配置。此外，由多个辊20， 从基板搬入部3至基板搬出部6形成的基板搬送路2，沿着基板搬送方向被划分成多个区域。具体而言，由设置在基板搬入部3的多个辊20形成第一搬送部加。此外，由设置在预加热部4内的上游区域的辊20形成第二搬送部2b。其中，该第二搬送部2b的基板搬送方向上的长度，即从预加热部4的开始位置起的长度，设置得至少比基板G的前部的长度长。另外，由设置在预加热部4内的中央区域的辊20形成第三搬送部2c，由设置成从预加热部4内的下游区域起至主加热部5内的中央区域的辊20形成第四搬送部2d。其中，第四搬送部2d的预加热部4内的基板搬送方向上的长度，设置得至少比基板G的后部的长度长。另外，由设置成从主加热部5内的下游区域起至基板搬出部6的辊20形成第五搬送部2e。上述第一搬送部加 第五搬送部2e的各自的驱动系统独立设置。S卩，如图2所示，第一搬送部加的多个辊20设置成其旋转轴21的旋转能够在传送带22a的作用下联动，一个旋转轴21与电动机等辊驱动装置IOa连接。此外，第二搬送部2b的多个辊20设置成其旋转轴21的旋转能够在传送带22b的作用下联动，一个旋转轴21与电动机等辊驱动装置IOb连接。此外，第三搬送部2c的多个辊20设置成其旋转轴21的旋转能够在传送带22c的作用下联动，一个旋转轴21与电动机等辊驱动装置IOc连接。此外，第四搬送部2d的多个辊20设置成其旋转轴21的旋转能够在传送带22d的作用下联动，一个旋转轴21与电动机等辊驱动装置IOd连接。此外，第五搬送部2e的多个辊20设置成其旋转轴21的旋转能够在传送带2 的作用下联动，一个旋转轴21与电动机等辊驱动装置IOe连接。另外，各辊20设置成其周面与基板G的整个宽度相接，并且，外周面部由树脂等热传导率低的材料，例如PEEK(聚醚醚酮)形成，以使被加热后的基板G的热不容易传递。此外，辊20的旋转轴21由铝、不锈钢、陶瓷等高强度且低热传导率的材料形成。另外，加热处理单元1具有用于形成规定的热处理空间的腔室8。腔室8形成为将基板搬送路2的周围覆盖的薄型的箱状，在该腔室8内，对辊搬送的基板G连续进行预加热部4的预加热和主加热部5的主加热。另外，在本实施方式中，腔室8包括形成预加热部4的热处理空间的第一腔室8A ；和与该第一腔室8A的后端相连地形成的，形成主加热部 5的热处理空间的第二腔室8B。如图1所示，在腔室8的前部侧壁，设置有在Y方向上延伸的狭缝状的搬入口 51。 基板搬送路2上的基板G通过该搬入口 51，搬入到腔室8内。此外，在腔室8的后部侧壁，设置有基板搬送路2上的基板G能够通过的在Y方向上延伸的狭缝状的搬出口 52。即，基板搬送路2上的基板G通过该搬出口 52，从腔室8搬
出ο此外，腔室8的上下左右的壁部具有双重壁结构，该双重壁结构包括相互隔开空间设置的内壁12和外壁13，内壁12和外壁13间的空间14，作为将腔室8内外绝热的空气绝热层发挥作用。此外，在外壁13的内侧面设置有绝热材料15。另外，如图2所示，在腔室8中，在Y方向上相对的侧壁(包括上述内壁12和外壁 13)设置有轴承22，通过该轴承22，基板搬送路2的辊20各自被可旋转地支承。另外，如图1所示，在腔室8中，在搬入口 51附近的上壁部设置有排气口 25，在下壁部设置有排气口 26，分别与排气量可变的排气装置31、32连接。此外，在腔室8的搬出口 52附近的上壁部设置有排气口 27，在下壁部设置有排气口 28，分别与排气量可变的排气装置33、34连接。即，通过使上述排气装置31 ；34运转，来经由排气口 25 观进行腔室8内的排气，使腔室内温度更加稳定化。另外，如图1所示，预加热部4作为第一加热机构，具有沿着基板搬送路2排列在腔室8内的，多个下部面状加热器17和上部面状加热器18。这些下部面状加热器17和上部面状加热器18分别通过供给驱动电流而发热。下部面状加热器17分别由长条状的板构成，各板以从下方加热基板G的方式，铺设在相邻的辊部件20之间。此外，上部面状加热器18分别由长条状的板构成，如图1所示，以从上方加热基板 G的方式，铺设在腔室8的顶部。另外，通过加热器电源36向下部面状加热器17和上部面状加热器18供给驱动电流，加热器电源36为由计算机构成的控制部40 (控制机构)所控制。另一方面，主加热部5作为第二加热机构，具有由沿着基板搬送路2设置在腔室8 内的长条状的板构成的下部面状加热器23和上部面状加热器M。其中，下部面状加热器 23以从基板G的下方进行加热的方式，铺设在相邻的辊部件20之间，上部面状加热器对以从基板G的上方进行加热的方式，铺设在腔室8的顶部。通过加热器电源39向上述下部面状加热器23和上部面状加热器M供给驱动电流，加热器电源39为控制部40所控制。此外，在该加热处理单元1中，在基板搬入部3的规定位置，设置有用于检测在基板搬送路2上搬送的基板G的基板检测传感器45 (基板检测机构)，将其检测信号向控制部 40输出。该基板检测传感器45，例如从腔室8的搬入口 51向前方侧空开规定距离设置，在基板G的规定部位(例如前端)通过传感器上经过规定时间后，基板G从搬入口 51搬入到腔室8内(预加热部4)。此外，在腔室8内，在主加热部5的中央区域，设置有对搬入该主加热部5的基板G，例如通过红外线照射来非接触地进行基板温度的检测的基板温度检测传感器46(基板温度检测机构)，将其检测信号向控制部40输出。S卩，控制部40能够基于基板温度检测传感器46的输出，取得被预加热部4加热后的基板G的温度。接着，使用图3 图6对如此构成的加热处理单元1的一系列热处理工序进一步进行说明。其中，图3和图5是表示加热处理单元1的基板搬送控制的流程的流程图，图4 和图6是表示加热处理单元1的基板搬送状态的截面图。首先，通过来自加热器电源36的驱动电流的供给，预加热部4的下部面状加热器 17和上部面状加热器18的温度被设定为预加热温度(例如160°C )。此外，通过来自加热器电源39的驱动电流的供给，主加热部5的下部面状加热器23和上部面状加热器M的温度被设定成用于维持已被预加热部4加热的基板G的温度的热处理温度(例如100°C )。通过该加热器温度设定，使腔室8内的气氛为，预加热部4比主加热部5高规定温度的状态。即，基板G通过成为高温(160°C )气氛的预加热部4，由此使其基板温度升温到规定的热处理温度(例如100°C )，在通过主加热部5的期间，基板温度得以维持。如上所述，当基板搬入前对腔室8内的气氛温度进行调整后，第一搬送部加 第五搬送部加被施加正常速度(例如50mm/sec)的驱动，将作为被处理基板的基板G在基板搬入部3的基板搬送路2上搬送。然后，如图4(a)所示，当通过基板检测传感器45检测到基板G时(图3的步骤 Si)，该基板检测信号被供给到控制部40。控制部40基于上述基板检测信号和基板搬送速度，开始取得(检测)基板G的搬送位置。然后，在如图4(a)所示，基板G被从腔室8的搬入口 51搬入到预加热部4的时刻 (图3的步骤S2)，控制部40控制辊驱动装置10a、10b以使第一、第二搬送部h、2b的搬送速度上升规定速度(图3的步骤S3)。由此，基板G的前部被以比正常情况快的搬送速度 (例如100mm/sec)搬入到预加热部4。此外，在如图4(b)所示，基板G的中央部被搬入预加热部4的时刻(图3的步骤 S4)，控制部40控制辊驱动装置10a、10b以使第一、第二搬送部2a、2b的搬送速度恢复正常速度(50mm/sec)(图3的步骤S5)。由此，基板G的中央部被以正常速度(50mm/sec)搬入预加热部4。此外，在如图4 (c)所示，基板G的中央部被从预加热部4搬出，只有基板G的后部留在预加热部4内的时刻(图3的步骤S6)，控制部40控制辊驱动装置10d、IOe以使第四、 第五搬送部2dJe的搬送速度上升规定速度(图3的步骤S7)。由此，基板G的后部被以比正常情况快的搬送速度(例如lOOmm/sec)从预加热部4搬出，搬入到主加热部5 (图3的步骤S8)。另外，当如上所述基板G的整体被搬入主加热部5时，控制部40控制辊驱动装置 IOdUOe以使第四、第五搬送部2d、2e的搬送速度恢复正常速度(50mm/sec)(图3的步骤 S9)。由此，基板G被以正常的搬送速度(50mm/sec)在主加热部5中搬送。当如此地在加热处理单元1中搬送基板G时，其中央部以正常的搬送速度(50mm/ sec)在预加热部4中搬送，而在将基板前部搬入预加热部4的期间和将基板后部从预加热部4搬出的期间，以比正常的搬送速度高的速度(lOOmm/sec)搬送。其结果是，相对于基板G的中央部停留在预加热部4中的时间，基板前部和基板后部的停留时间变得更短，基板整体受到的热量变得均勻，基板面内的温度偏差受到抑制。此外，在如图6(a)所示，在主加热部5中，基板G的中央部区域通过基板温度检测传感器46的附近的时刻，控制部40取得基板中央部的温度(图5的步骤Ml)。此外，在如图6(b)所示，基板G的后部通过基板温度检测传感器46的附近的时刻，控制部40取得基板后部区域的温度(图5的步骤M2)。控制部40将取得的基板中央部的温度与基板后部的温度进行比较，在基板后部的温度较高的情况下(图5的步骤Μ； )，从图6(c)所示的状态起，控制辊驱动装置IOe以使基板后部比正常的搬送速度快地从主加热部5搬出(图5的步骤M4)。由此，基板G被以比正常情况高规定速度的速度(例如lOOmm/sec)在第五搬送部加中搬送，主加热部5 中的热处理时间变得更短(图5的步骤M6)。另一方面，在取得的基板中央部的温度比基板后部的温度高的情况下，控制部40 从图6(c)所示的状态起，控制辊驱动装置IOe以使基板后部比正常的搬送速度慢地从主加热部5搬出(图5的步骤乂幻。由此，基板G被以比正常情况低规定速度的速度(例如 30mm/sec)在第五搬送部加上搬出，主加热部5中的热处理时间变得更长(图5的步骤 St6)。此外，当取得的基板中央部的温度与基板后部的温度之差处于容许范围内的情况下，则直接搬出(图5的步骤M6)。如此，通过使主加热部5中的基板后部的停留时间可调整，使得基板面内温度更加均勻。如上所述，根据本发明的实施方式，当在加热处理单元1中搬送基板G时，其中央部以正常的搬送速度在预加热部4中搬送，而在将基板前部搬入预加热部4的期间和将基板后部从预加热部4搬出的期间，以比正常的搬送速度高的速度搬送。由此，相对于基板G的中央部停留在预加热部4中的时间，基板前部和基板后部的停留时间变短，基板整体受到的热量变得均勻，基板面内的温度偏差受到抑制。其结果是， 能够使基板面内的配线图案的线宽更加均勻。此外，在上述实施方式中，设置了基板前部和基板后部的搬送速度相对于预加热部4中的基板中央部的搬送速度为高速的期间，但其控制方法并没有限定。S卩，只要使基板前部和基板后部的搬送速度相对于基板中央部的搬送速度相对为高速即可，例如，也可以控制成使预加热部4内至少在搬送基板中央部时进行比正常情况低的速度的搬送。此处，在本实施方式中，作为操作者(operator)设定(输入处理装置)的值，有4 个值a)基板前部的距离(将基板G的前端搬入到预加热部4后，提高基板G的搬送速度的距离)b) a)中的基板G的搬送速度c)基板后部的距离(将基板G从预加热部4搬出时提高基板G的搬送速度的距离)d) C)中的基板G的搬送速度在确定上述4个值时，预先进行下述操作。首先，测定基板G通过预加热部4内时的基板G的温度变化。具体而言，如图8所示，在预加热部4搬出口附近配置能够离开(不接触)地测定基板的温度的基板温度测定器80。将预加热部4设定为使用时的规定温度 (例如160°C )，以正常速度(例如50mm/sec)搬送基板G，并使用基板温度测定器80测定基板G的温度。将该测定结果绘图的图为图9。用图9决定a)基板前部的距离和c)基板后部的距离。具体而言，令其为，作为图9中温度变化大的部分的①和②+规定的值(为了有富余)例如50mm，则决定为a) = +50 (mm)......Hb)=②+50 (mm)......I。接着，使预加热部4保持该温度(160°C )并将主加热部5设定为规定的温度例如 100°C。然后，将用于测定温度的热电偶粘贴于基板G，一边以正常速度(例如50mm/sec)将基板G在预加热部4和主加热部5中搬送，一边测定基板G的温度。将该测定结果绘图的图为图10。在这里，图10是表示粘贴了热电偶的位置的基板G的温度与该位置开始加热处理后经过的时间的关系的图。首先，根据图9读取基板前部、基板后部各自比基板中央部高出多少。C的温度(图9中例如为6°C )。然后，为了使基板前部的温度不上升6°C，根据图 10的图的倾斜的部分的温度与时间的关系，通过计算能够求得例如为a) = 100mm/secb) = 100mm/sec。此外，决定基板G的正常搬送速度的方法，基于基板G的处理时间来决定。由于处理部的长度是一定的，所以如果决定了处理时间就决定了基板G的正常搬送速度。然后，将主加热部5温度设定为基板G的期望的处理温度(例如100°C )。预加热部4的温度，以用正常搬送速度搬送基板G，使基板G的中央在预加热部4的搬出口到达期望的处理温度(例如100°C )的方式进行设定(例如160°C )。如上所述，决定各个值并将这些值设定于处理装置，然后开始基板G的处理，由此，能够使处理中的基板G内的温度分布平均，能够提高产品的成品率。此外，在上述实施方式中，将本发明的热处理装置应用于对被处理基板G实施加热处理的加热处理单元1，但并不限定于此，也可以应用于对基板G实施冷却处理的基板冷却装置。这种情况下，作为冷却机构，能够使用例如由珀尔帖元件冷却的板。另外，在这种情况下，作为一直以来的课题，考虑到基板G的前端区域和后部区域的温度比中央部区域的温度低的情况。因此，与上述实施方式同样地，通过将腔室内的基板 G的前部区域和后部区域的搬送速度控制成比中央部区域的搬送速度快，能够抑制基板面内热处理(冷却)温度的偏差。此外，在上述实施方式中，使用辊20作为基板搬送机构，但不限定于此，也能够使用其它搬送机构。例如，也可以设置一边保持基板G —边使其在沿着基板搬送方向设置的轨道上滑动的机构，并分别控制第一搬送部加 第五搬送部加的搬送速度。
权利要求
1.一种热处理装置，对水平搬送的基板进行热处理，该热处理装置的特征在于，包括 形成基板搬送路，将所述基板沿着所述基板搬送路水平搬送的基板搬送机构；覆盖所述基板搬送路的规定区域，并形成对在所述基板搬送路搬送的所述基板的热处理空间的第一腔室；能够将所述第一腔室内加热或冷却的第一加热·冷却机构；设置于所述第一腔室的前段，对在所述基板搬送路搬送的基板进行检测的基板检测机构；和被供给所述基板检测机构的检测信号，并能够控制所述基板搬送机构的基板搬送速度的控制机构，其中，所述控制机构根据所述基板检测机构的检测信号取得基板的搬送位置， 按照沿着基板搬送方向分成多个区域的基板的每个区域，切换所述基板搬送机构的基板搬送速度，控制在所述第一腔室内的停留时间。
2.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于所述控制机构进行控制以使所述第一腔室内的基板的前部区域和后部区域的停留时间比基板的中央部区域短。
3.如权利要求2所述的热处理装置，其特征在于，包括沿着所述基板搬送路设置于所述第一腔室的后段，覆盖所述基板搬送路的规定区域， 并形成对在所述基板搬送路搬送的所述基板的热处理空间的第二腔室； 能够将所述第二腔室内加热或冷却的第二加热·冷却机构；和能够分别检测在所述第二腔室内搬送的所述基板的中央部区域和后部区域的温度，并向所述控制机构供给检测信号的基板温度检测机构，其中，所述控制部对由所述基板温度检测机构取得的所述基板的中央部区域的温度和后部区域的温度进行比较，基于其比较结果，决定将基板的后部区域从所述第二腔室搬出的基板搬送速度。
4.一种热处理方法，将基板沿着基板搬送路水平搬送，搬入到将所述基板加热或冷却的第一腔室内，并对搬入所述第一腔室内的基板进行热处理，该热处理方法的特征在于，包括在搬入所述第一腔室前，对在所述基板搬送路搬送的基板进行检测的步骤；和根据所述基板的检测取得基板的搬送位置，按照沿着基板搬送方向分成多个区域的基板的每个区域切换基板搬送速度，控制在所述第一腔室内的停留时间的控制步骤。
5.如权利要求4所述的热处理方法，其特征在于 在控制所述第一腔室内的停留时间的步骤中，进行控制以使所述第一腔室内的基板的前部区域和后部区域的停留时间比基板的中央区域短。
6.如权利要求5所述的热处理方法，其特征在于，包括在沿着所述基板搬送路设置于所述第一腔室的后段的第二腔室，一边对所述基板进行热处理一边搬送所述基板的步骤；分别检测在所述第二腔室内搬送的所述基板的中央部区域和后部区域的温度的步骤；将取得的所述基板的中央部区域的温度和后部区域的温度进行比较，基于其比较结果，确定将基板的后部区域从所述第二腔室搬出的基板搬送速度的步骤。
7. 一种存储介质，其特征在于 配置在热处理装置中，所述热处理装置包括形成基板搬送路，将所述基板沿着所述基板搬送路水平搬送的基板搬送机构； 覆盖所述基板搬送路的规定区域，并形成对在所述基板搬送路搬送的所述基板的热处理空间的第一腔室；能够将所述第一腔室内加热或冷却的第一加热·冷却机构；设置于所述第一腔室的前段，对在所述基板搬送路搬送的基板进行检测的基板检测机构；和被供给所述基板检测机构的检测信号，并能够控制所述基板搬送机构的基板搬送速度的控制机构，所述存储介质中存储有控制所述控制机构的程序，其对所述控制机构进行控制，使得所述控制机构，根据所述基板检测机构的检测信号取得基板的搬送位置， 按照沿着基板搬送方向分成多个区域的基板的每个区域，切换所述基板搬送机构的基板搬送速度，控制所述第一腔室内的停留时间。
全文摘要
本发明提供一种热处理装置、热处理方法和存储介质。包括形成基板搬送路(2)，将被处理基板(G)沿着基板搬送路水平搬送的基板搬送机构(20)；形成对被处理基板的热处理空间的第一腔室(8A)；能够将第一腔室内加热或冷却的第一加热·冷却机构(17、18)；设置于第一腔室的前段，对在基板搬送路搬送的被处理基板进行检测的基板检测机构(45)；和被供给基板检测机构的检测信号，并能够控制基板搬送机构的基板搬送速度的控制机构(40)，控制机构根据基板检测机构的检测信号取得被处理基板的搬送位置，按照沿着基板搬送方向分成多个区域的被处理基板的每个区域，切换基板搬送机构的基板搬送速度，控制第一腔室内的停留时间。
文档编号H01L21/00GK102270564SQ201110153709
公开日2011年12月7日 申请日期2011年6月3日 优先权日2010年6月4日
发明者前田阳一郎, 殿川胜洋, 矢田淳, 绪方庸元 申请人:东京毅力科创株式会社