专利名称：Pmos晶体管结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种PMOS晶体管结构及其制造方法。
背景技术：
随着CMOS元件尺寸的缩小，载流子迁移率已经成为影响CMOS器件性能的重要因素。现有技术中一种提高MOS晶体管载流子迁移率的方法是通过向晶体管沟道区域有选择地施加应力，这种应力使半导体晶体晶格发生畸变，如向PMOS晶体管的沟道区施加压应力，半导体晶体晶格发生压缩，进而影响能带的排列和半导体电荷输送性能，通过控制在形成的器件中的应力大小和分布，以提高载流子迁移率，改善器件的性能。
现有技术中，可以通过在源/漏区埋置锗硅(SiGe)层造成半导体晶格失配，在晶体管沟道区域中引入应力，提高MOS晶体管载流子迁移率。对于PMOS器件制造，需要SiGe 层中的Ge是高浓度的，以增大沟道应力，而为了降低源漏区的薄层电阻和接触电阻，通常需要在SiGe层中掺杂硼。然而在SiGe层中的高浓度硼可能向外扩散至沟道区域，而导致短沟道晶体管中阈值电压Vth的滚降(roll-off)，出现严重的短沟道效应(SCE)。
因此，提供一种PMOS晶体管结构及其制造方法，能够提高PMOS晶体管载流子迁移率，是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。发明内容
本发明的目的在于提供一种PMOS晶体管结构及其制造方法，能提高沟道区域的应力，提高PMOS晶体管载流子迁移率 改善阈值电压的分布，降低短沟道效应。
为解决上述问题，本发明提出一种PMOS晶体管的制造方法，该方法包括如下步骤
提供硅衬底，所述硅衬底中形成有浅沟槽隔离结构、源区和漏区；
在所述源区和漏区中形成埋置锗硅(SiGe)层；
在所述源区和漏区之间的硅衬底中形成埋置碳硅(SiC)层；
在所述源区和漏区之间的硅衬底上方形成栅极结构。
进一步的，在所述源区和漏区之间的硅衬底中形成埋置碳硅(SiC)层的步骤，包括
刻蚀所述源区和漏区之间的硅衬底，形成一沟槽；
在所述沟槽中外延生长或沉积一层厚度小于该沟槽深度的碳硅(SiC)层；
在所述碳硅(SiC)层上外延生长或沉积一层顶部至少与沟槽顶部齐平的外延硅(Si)层。
进一步的，在所述源区和漏区之间的硅衬底中形成埋置碳硅(SiC)层的步骤，包括
向所述源区和漏区之间的硅衬底一定深度中注入碳(C)离子；
快速退火，以在所述源区和漏区之间的硅衬底中形成埋置碳硅(SiC)层。
进一步的，所述埋置碳娃(SiC)层的厚度为30nm 300nm。
进一步的，所述埋置碳硅(SiC)层中碳(C)离子的浓度为3% 10%。
进一步的,所述埋置碳娃(SiC)层上方的娃厚度为30nm lOOnm。
进一步的，在所述源区和漏区之间的硅衬底上方形成栅极结构之前或之后，还包括向所述埋置碳硅(SiC)层中注入氟(F)离子。
进一步的，所述氟离子的注入能量为3KeV IOKeV,注入剂量为5E12/cm2 5E13/2cm ο
进一步的，采用轻掺杂源/漏区(LDD)离子注入法向所述源区和漏区中注入锗离子形成所述埋置锗硅(SiGe)层。
进一步的，在所述源区和漏区之间的硅衬底上方形成栅极结构之前或之后，还包括向所述埋置锗硅(SiGe)层中注入硼离子。
进一步的，所述硅衬底为〈100〉、〈110〉或〈111〉晶格。
相应的，本发明还提供一种PMOS晶体管结构，包括
具有埋置锗硅层的源极区；
具有埋置锗硅层的漏极区；
具有埋置碳硅层的沟道区，位于所述源极区和漏极区之间。
与现有技术相比，本发明提供的PMOS晶体管结构及其制造方法，在源区和漏区形成埋置SiGe层以增大沟道区域的应力的基础上，进一步通过在沟道区域埋形成置碳硅层， 增大了沟道区域的应力，提高了 PMOS晶体管载流子迁移率；同时，埋置碳硅层还阻挡源漏区后续工艺中注入的硼离子的外扩散，有利于形成更浅的超浅结，从而改善阈值电压的分布，降低短沟道效应，进一步提高了器件性能。
图1是本发明一实施例的PMOS晶体管的制造方法的流程图2A至2D是本发明一实施例的PMOS晶体管的制造方法中各步骤对应的器件的剖面结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的PMOS晶体管结构及其制造方法作进一步详细说明。
如图1所示,本发明提供一种PMOS晶体管的制造方法,包括SlOl至S104所示步骤，下面结合图2A 2D所示的剖面结构示意图对本发明的PMOS晶体管的制造方法作详细的描述。
S101，提供硅衬底，所述硅衬底中形成有浅沟槽隔离结构、源区和漏区。
请参考图2A，首先，提供硅衬底200，所述硅衬底200可以为〈100〉、〈110〉、〈111〉 或其他晶格。在所述硅衬底200中形成有浅沟槽隔离结构201、源区202和漏区203。
S102，在所述源区和漏区中形成埋置SiGe层。
请参考图2B，在源区202和漏区203中形成埋置SiGe层204a、204b，具体地，可以采用轻掺杂源/漏区(LDD)离子注入法向所述源区202和漏区203中注入锗离子，并快速退火形成所述埋置SiGe层204a、204b ;也可以采用刻蚀源区202和漏区203形成预定义厚度的凹槽，然后在凹槽中外延生长或沉积一定厚度的SiGe层，然后在SiGe层上生长不低于凹槽顶部的外延硅层，以形成埋置SiGe层204a、204b。埋置SiGe层204a、204b使得半导体晶格失配，生成了沟道区域内的单轴压应力，提高了 PMOS晶体管的载流子迁移率。
S103，在所述源区和漏区之间的硅衬底中形成埋置SiC层。
请参考图2C，在源区202和漏区203之间的硅衬底200a中形成埋置SiC层205，即在源区202和漏区203之间的沟道区域形成了应变SiC/Si层，再次扩大半导体晶格失配， 在埋置SiGe层204a、204b增大沟道区域的应力的基础上进一步增大沟道区域的应力，再次提高了 PMOS晶体管载流子迁移率。优选的，所述埋置SiC层205的厚度为30nm 300nm， C离子的浓度为3% 10%，上方的硅206厚度为30nm lOOnm。
请继续参考图2C，在本步骤中，形成埋置SiC层205时可以采用如下方法，包括
首先，刻蚀所述源区202和漏区203之间的硅衬底200a，形成一沟槽；
接着，在所述沟槽中外延生长或沉积一层厚度小于该沟槽深度的SiC层；
然后，在所述SiC层上外延生长或沉积一层顶部至少与沟槽顶部齐平的外延Si层 206，以形成所述埋置SiC层205，本实施例中，所述外延Si层206与沟槽顶部齐平，厚度为 30nm lOOnm。
请继续参考图2C，在本步骤中，形成埋置SiC层205时还可以采用如下方法，包括
首先，向源区202和漏区203之间的硅衬底200a —定深度中的注入C离子；
然后，快速退火，以在所述源区202和漏区203之间的硅衬底200a中形成埋置SiC 层 205。
S104，在所述源区和漏区之间的硅衬底上方形成栅极结构。
请参考图2D，在所述源区202和漏区203之间的硅衬底200a上方形成栅极结构 207。
需要说明的是，本发明优选的采用后栅极工艺(gate-last-process),即在SlOl 步骤之前可以先在所述源区202和漏区203之间的硅衬底200a上方形成虚拟栅极以及侧墙，然后移除虚拟栅极，然后在执行SlOl至S104步骤，其中，在SlOl至S104步骤中所指的在所述源区202和漏区203之间的硅衬底200a也就是原虚拟栅极的两侧墙之间并位于原虚拟栅极下方的硅衬底。如何形成虚拟栅极以及侧墙并移除虚拟栅极，为本领域技术人员所熟知的技术内容，在此不再赘述。
此外，在所述源区和漏区之间的硅衬底上方形成栅极结构207之前或之后，一方面，可以向埋置SiGe层204a、204b中注入硼离子，以降低源区202和漏区203的薄层电阻和接触电阻，此时，埋置SiC层205阻挡了注入的硼离子的外扩散，有利于形成更浅的超浅结，从而改善阈值电压的分布，降低短沟道效应，进一步提高了器件性能；另一方面，还可以向埋置SiC层205中注入氟(F)离子，注入能量为3KeV IOKeV,注入剂量为5E12/cm2 5E13/cm2，减少埋置SiC层205中C离子掺杂引起的结构缺陷，进一步提高器件性能。
相应的，本发明还提供一种PMOS晶体管结构，包括
具有埋置锗硅层的源极区；
具有埋置锗硅层的漏极区；
具有埋置碳硅层的沟道区，位于所述源极区和漏极区之间。
请继续参考图2D，具有埋置锗硅层的源极区以及具有埋置锗硅层的漏极区可以通过向形成埋置SiGe层204a的源区202和形成埋置SiGe层204b的漏区203中注入硼等离子，快速退火形成。
综上所述，本发明提供的PMOS晶体管结构及其制造方法，在源区和漏区形成埋置 SiGe层以增大沟道区域的应力的基础上，进一步通过在沟道区域形成埋置碳硅层，进而增大了沟道区域的应力，提高了 PMOS晶体管载流子迁移率；同时，埋置碳硅层还阻挡源漏区后续工艺中注入的硼离子的外扩散，有利于形成更浅的超浅结，从而改善阈值电压的分布， 降低短沟道效应，进一步提高了器件性能。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括 提供硅衬底，所述硅衬底中形成有浅沟槽隔离结构、源区和漏区； 在所述源区和漏区中形成埋置锗硅层； 在所述源区和漏区之间的硅衬底中形成埋置碳硅层； 在所述源区和漏区之间的硅衬底上方形成栅极结构。
2.如权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，在所述源区和漏区之间的硅衬底中形成埋置碳硅层的步骤，包括 刻蚀所述源区和漏区之间的硅衬底，形成一沟槽； 在所述沟槽中外延生长或沉积一层厚度小于该沟槽深度的碳硅层； 在所述碳硅层上外延生长或沉积一层顶部至少与沟槽顶部齐平的外延硅层，以形成所述埋置碳硅层。
3.如权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，在所述源区和漏区之间的硅衬底中形成埋置碳硅层的步骤，包括 向所述源区和漏区之间的硅衬底中注入碳离子； 快速退火，以在所述源区和漏区之间的硅衬底中形成埋置碳硅层。
4.如权利要求1至3中任一项所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述埋置碳娃层的厚度为30nm 300nm。
5.如权利要求1至3中任一项所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述埋置碳硅层中碳离子的浓度为3% 10%。
6.如权利要求1至3中任一项所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述埋置碳娃层上方的娃厚度为30nm lOOnm。
7.如权利要求1至3中任一项所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，在所述源区和漏区之间的硅衬底上方形成栅极结构之前或之后，还包括向所述埋置碳硅层中注入氟离子。
8.如权利要求7所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述氟离子的注入能量为 3KeV IOKeV,注入剂量为 5E12/cm2 5E13/cm2。
9.如权利要求1至3中任一项所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，采用轻掺杂源/漏区离子注入法向所述源区和漏区中注入锗离子形成所述埋置锗硅层。
10.如权利要求1至3中任一项所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，在所述源区和漏区之间的硅衬底上方形成栅极结构之前或之后，还包括向所述埋置锗硅层中注入硼离子。
11.如权利要求1至3中任一项所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述硅衬底为〈100〉、〈110〉或〈111〉晶格。
12.—种PMOS晶体管结构，其特征在于，包括 具有埋置锗硅层的源极区； 具有埋置锗硅层的漏极区； 具有埋置碳硅层的沟道区，位于所述源极区和漏极区之间。
13.如权利要求12所述的PMOS晶体管结构，其特征在于，所述埋置碳硅层的厚度为30nm 300mn。
14.如权利要求12所述的PMOS晶体管结构，其特征在于，所述埋置碳硅层中碳离子的浓度为3% 10%。
15.如权利要求12所述的PMOS晶体管结构，其特征在于，所述埋置碳硅层上方的硅厚度为 30nm lOOnm。
全文摘要
本发明提供一种PMOS晶体管结构及其制造方法，在源区和漏区形成埋置SiGe层以增大沟道区域的应力的基础上，进一步通过在沟道区域形成埋置碳硅层，进而增大了沟道区域的应力，提高了PMOS晶体管载流子迁移率；同时，埋置碳硅层还阻挡源漏区后续工艺中注入的硼离子的外扩散，有利于形成更浅的超浅结，从而改善阈值电压的分布，降低短沟道效应，进一步提高了器件性能。
文档编号H01L29/06GK103000525SQ20111027032
公开日2013年3月27日 申请日期2011年9月13日 优先权日2011年9月13日
发明者赵猛 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司