一种电力电子器件封装装置的制作方法

文档序号:7159646阅读:400来源:国知局
专利名称:一种电力电子器件封装装置的制作方法
技术领域
本发明公开了一种电类封装装置,具体是一种电力电子器件封装装置,属于电子技术领域。
背景技术
先前技术封装体包含一导电罐体与一功率半导体晶粒。罐体通常是用导电材料形成,例如铜或铜基合金,且可涂上银、金或其类似物。晶粒可为垂直导电型功率半导体,其系具有汲极是用导电胶(例如,焊锡或导电环氧树脂,例如银胶)电气及机械式附着於罐体的内表面。晶粒的源极与闸极(两者系配置於与汲极相反的表面上)各有一可焊接体利於用导电胶各自直接连接至电路板的导电垫片,晶粒更包含钝化体,其系部份覆盖源极与闸极, 但包含数个开口以便至少可接近供电气连接用的可焊接部份,在封装体中,导电罐体包含腹板部、包围腹板部的墙体、以及两支位置相对且由墙体伸出的横杆。

发明内容
为了解决上述技术中存在的问题,本发明提供了一种封装装置,具体是一种电力电子器件封装装置。为了达到上述目的,本发明提供以下技术方案一种电力电子器件封装装置,包括封装体、导电罐体与一功率半导体晶粒,罐体通常是用导电材料形成,晶粒可为垂直导电型功率半导体,其具有汲极是用导电胶电气及机械式附着于罐体的内表面,晶粒的源极与闸极各有一可焊接体,晶粒更包含钝化体,其部份覆盖源极与间极,在封装体中,导电罐体包含腹板部、包围腹板部的墙体,晶粒与罐体的墙体隔开;晶粒与墙体之间有一壕沟,墙体的凸缘部分是露出的,晶粒有源电极与罐体之间的爬电距离等于壕沟的宽度。本发明的有益效果是结构简单,成本低廉,适合大量生产。


图1是本发明的结构示意图
图2是本发明具体实施例的封装体3是本发明具体实施例横截面图
图中10、封装体,12、导电罐体,13、腹板部,14、晶粒,15、墙体,16、汲极,17、 凸缘部分,18、导电胶,20、源极,22、闸极,30、钝化体,31、钝化体,36、壕沟,40、预锡, 42、第一钝化体,44、第二钝化体。
具体实施例方式下面结合附图对本发明作进一步说明。如图1所示,一种电力电子器件封装装置,包括封装体10、导电罐体12与一功率半导体晶粒14,罐体12通常是用导电材料形成,晶粒14可为垂直导电型功率半导体,其具有汲极16是用导电胶18电气及机械式附着于罐体12的内表面,晶粒14的源极20与闸极22 各有一可焊接体,晶粒14更包含钝化体30,其部份覆盖源极20与间极22,在封装体10中, 导电罐体12包含腹板部13、包围腹板部13的墙体15,晶粒14与罐体12的墙体13隔开; 晶粒14与墙体13之间有一壕沟36,墙体15的凸缘部分17是露出的,晶粒14有源电极与罐体12之间的爬电距离等于壕沟36的宽度。实施例1
如图2所示,源极20与间极22用焊锡体40预锡,封装体的预锡能确保在安装封装体时在晶粒14钝化体30与电路板焊垫之间有适当且控制良好的装置托起高度。预锡晶粒14 表面上的源极20、闸极22,也可改善回焊处理期间的焊锡沾湿性,且增加回焊处理窗口。供形成焊锡体40的较佳焊锡为无铅焊锡,焊锡体40可延伸超出钝化体30,且可具有任何想要的厚度,例如90微米或150微米,为了制作有数个焊锡体40的晶粒14,晶粒14的处理是在晶圆有焊锡体40印制在其上时,各个晶粒14有数个用一有预蚀刻孔之丝网印制其上的焊锡体40。通过小孔使焊锡印制在源极20、闸极22上的指定区域。实施例2
如图3所示,钝化体31包含第一钝化体42与在第一钝化体42上方的第二钝化体44, 第一钝化体42可为矽环氧树脂,而第二钝化体44可用碳基环氧树脂形成,这种组合特别适合用于在要用无铅焊锡使源极20或闸极22与电路板上的导电垫片连接时,第二钝化体44 可用作硬遮罩以打开第一钝化体42的接触开口,且用作附加的保护层。
权利要求
1. 一种电力电子器件封装装置,包括封装体(10)、导电罐体(12)与一功率半导体晶粒 (14),罐体(12)通常是用导电材料形成,晶粒(14)可为垂直导电型功率半导体,其具有汲极(16)是用导电胶(18)电气及机械式附着于罐体(12)的内表面,晶粒(14)的源极(20) 与闸极(22)各有一可焊接体,晶粒(14)更包含钝化体(30),其部份覆盖源极(20)与闸极 (22),其特征在于,在封装体(10)中,导电罐体(12)包含腹板部(13)、包围腹板部(13)的墙体(15),晶粒(14)与罐体(12)的墙体(13)隔开;晶粒(14)与墙体(13)之间有一壕沟 (36),墙体(15)的凸缘部分(17)是露出的,晶粒(14)有源电极与罐体(12)之间的爬电距离等于壕沟(36)的宽度。
全文摘要
本发明公开了一种电力电子器件封装装置,属于电子技术领域,包括封装体、导电罐体与一功率半导体晶粒,罐体通常是用导电材料形成,晶粒可为垂直导电型功率半导体,其具有汲极是用导电胶电气及机械式附着于罐体的内表面,晶粒的源极与闸极各有一可焊接体,晶粒更包含钝化体,其部份覆盖源极与闸极,在封装体中,导电罐体包含腹板部、包围腹板部的墙体,晶粒与罐体的墙体隔开;晶粒与墙体之间有一壕沟,墙体的凸缘部分是露出的,晶粒有源电极与罐体之间的爬电距离等于壕沟的宽度;有益效果是结构简单,成本低廉,适合大量生产。
文档编号H01L21/56GK102364667SQ20111027801
公开日2012年2月29日 申请日期2011年9月19日 优先权日2011年9月19日
发明者许庆贵 申请人:许庆贵
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