专利名称：一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路领域，特别是涉及ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法。
背景技术：
为了满足超大規模集成电路(VLSI)发展的需要，新颖的3D堆叠式封装技术应运而生。它用最小的尺寸和最轻的重量，将不同性能的芯片和多种技术集成到单个封装体中，是ー种通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制造垂直电学导通，实现芯片之间互连的 最新的封装互连技术，与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同，所述的封装互连技术是采用TSV (穿硅通孔)代替了 2D-CU互连，能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。因此，日月光公司集团研发中心总经理唐和明博士在Chartered 2007技术研讨会上将TSV称为继线键合(Wire Bonding)、载带自动焊(TAB)和倒装芯片(FC)之后的第四代封装技木。硅基埋置型圆片级系统封装在微波频段的微波多芯片组件(MMCM，MicrowaveMonolithic Integrated Circuit)应用中取得了很好的效果，但为了达到更高密度的封装和集成能力，在封装尺寸，材料，エ艺，热、机械和电性能以及多种不同技术混合集成方面还面临ー些挑战。作为ー种新技术，其可靠性和散热性能方面还存在缺陷。尤其是由于エ艺复杂度(包括多层互连，无源器件集成，埋置芯片集成等制造过程)造成的成品率的限制，极大地影响了其更广泛的应用。例如，埋置入衬底埋置槽的MMIC芯片需要承受在之后的エ艺过程中失效的风险；而且当MMIC埋入后，ー些特殊的エ艺，如腐蚀、释放、高温退火等也可能对MMIC芯片造成伤害。TSV是解决上述问题的一个可选方案。作为当前三维封装领域最核心最基本的技木，TSV技术可以实现最短的穿硅互连长度，并且其集成密度数倍于单面集成。不仅可以减少损耗和寄生效应的影响，而且能够很容易地实现不同层次封装(芯片，晶圆，封装)器件的堆叠，芯片面对面安装堆叠所引起的串扰问题也容易避免。虽然针对TSV的研究很多，但是其在业界的应用仍受制于其エ艺的不成熟和极高的成本。并且，在微波频段系统级封装方面，由于较高的衬底损耗和难度极高的制造低损耗的传输线结构(如同轴线)的方法，TSV用于微波埋置型圆片级系统封装一直难以实现。鉴于此，为了克服上述现有技术中的种种缺点，如何提出一种新的封装结构及其制作方法成为目前亟待解决的问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法，用于解决现有技术中エ艺复杂、成品率低、信号串扰、高损耗、以及集成密度小的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，至少包括以下步骤I)提供一闻阻双抛娃晶圆，在所述娃晶圆表面热生长一层SiO2层；2)在所述SiO2层上进行光刻形成通孔图形，并利用HF腐蚀掉所述通孔图形对应的SiO2以暴露出其下方的硅晶圆，然后以SiO2层为掩膜，利用反应离子刻蚀エ艺对露出的硅晶圆进行刻蚀以形成穿硅通孔，并在所述穿硅通孔内壁热氧化生成ー层SiO2层；3)在所述硅晶圆一面上的SiO2层上进行光刻以形成埋置槽图形，并利用HF腐蚀掉所述埋置槽图形对应的SiO2以暴露出其下方的硅晶圆，然后将所述硅晶圆浸入KOH腐蚀液进行湿法刻蚀以形成预定深度的埋置槽，并在所述埋置槽底部及侧壁热氧化生成ー层SiO2 层；4)在所述硅晶圆上无所述埋置槽的一面制备依次包含有TiW层、Au层的第一种子层；
5)提供ー陪片，在所述陪片一面制备依次包含有TiW层、Au层的第二种子层，然后将该第二种子层Au面与所述第一种子层Au面进行键合；6)利用电镀エ艺在所述穿硅通孔中形成高于所述硅晶圆表面的铜柱，然后利用湿法刻蚀和化学机械抛光エ艺去除所述陪片，接着利用离子束刻蚀エ艺去除所述硅晶圆表面的第一种子层和第二种子层键合形成的金属层；7)在所述硅晶圆双面分别制备依次包含有TiW层、Au层的第三种子层，然后在所述第三种子层上喷涂ー层光刻胶进行光刻形成特定的布线图形，接着通过电镀エ艺在显影后的所述第三种子层上沉积一定厚度的Au层以形成特定的地屏蔽布线层，最后利用离子束刻蚀エ艺去除没有被所述电镀Au层所覆盖的第三种子层；8)在所述硅晶圆上无埋置槽的一面制备多层包含光敏BCB层、布线层、层间互连线、与所述布线层相连接的各种无源器件、以及形成于最顶层的若干焊盘或焊球；9)在所述硅晶圆上具有埋置槽的一面使用导电胶将芯片背面粘接于所述埋置槽底部，实现该芯片和所述娃晶圆的粘合；10)在所述硅晶圆上具有埋置槽的一面制备多层包含光敏BCB层、布线层、层间互连线、与所述布线层相连接的各种无源器件、以及形成于最顶层的若干焊盘或焊球；11)在所述焊盘上表贴元器件或倒装芯片。可选地，所述步骤I)中硅晶圆的电阻率为1000Ω ·αιι 3000Ω · cm，厚度为200 μ m 300 μ m。可选地，热氧化生长的所述SiO2层的厚度均为2 μ m。可选地，所述步骤3)中的KOH腐蚀液的温度为50°C，浓度为40wt%，所腐蚀出的埋置槽的深度为95 μ m 105 μ m。可选地，所述第一、第二、第三种子层的制备方法均采用磁控溅射エ艺；所述第一种子层中TiW层和Au层的厚度分别为40nm 60nm和150nm 250nm ;所述第二种子层中Tiff层和Au层的厚度分别为40nm 60nm和150nm 250nm。可选地，所述步骤5)中的陪片为硅晶圆，且所述硅晶圆的厚度为150μπι 250 μ m。可选地,所述步骤6)中铜柱高出所述娃晶圆表面的高度不大于5 μ m。可选地，所述硅晶圆双面的第三种子层的厚度相等，其中TiW层厚度为20nm 30nm, Au层为IOOnm 150nm ;所述电镀エ艺形成的Au层的厚度均为3 μ m 4 μ m ;所述光敏BCB层的厚度均为25 μ m 35 μ m。可选地，所述步骤10)中匪IC和所述硅晶圆粘合后还要放入140°C 160°C烘箱内烘烤50分钟 70分钟固化导电胶，以实现该芯片和所述硅晶圆粘合。可选地，所述步骤8)还包括8-1)在所述硅晶圆上无埋置槽的一面旋涂光敏BCB介质层，然后对所述BCB介质层进行光刻エ艺以露出其下方的铜柱、以及地屏蔽布线层作为后续引线；8-2)在所述光刻过的光敏BCB介质层上溅射依次包含有Cr层、Au层的第四种子层，然后在所述第四种子层上喷涂光刻胶对该第四种子层进行光刻形成特定的布线图，以实现将所述步骤8-1)中的引线和TSV铜柱引出，同时ー些无源器件和布线层在此步形成；8-3)通过电镀エ艺在所述光刻露出的第四种子层上沉积一定厚度的Au层，去胶后利用离子束刻蚀エ艺去除之前被光刻胶覆盖而没有被电镀Au的第四种子层； 8-4 )在所述步骤8-3 )基础上再次旋涂光敏BCB介质层，然后对所述BCB介质层进行光刻エ艺以露出其下方的引线；8-5)多次连续重复所述步骤8-2)、8-3)、以及8_4)可以实现多层包含光敏BCB层、布线层、层间互连线、与所述布线层相连接的各种无源器件、以及最終形成于顶层的若干焊盘。可选地，所述第四种子层以及所述步骤8-5)中多次重复制备的种子层中的Cr层和Au层的厚度分别为为40nm 60nm和250nm 400nm,且其制备方法均采用电子束蒸发ェ艺。可选地，所述步骤10)还包括10-1)在所述硅晶圆上具有埋置槽的一面旋涂光敏BCB介质层，然后对所述BCB介质层就行光刻エ艺以露出其下方的铜柱、埋置芯片引脚、以及地屏蔽布线层作为后续引线；10-2)在所述光刻过的光敏BCB介质层上沉积依次包含有Cr层、Au层的第五种子层，然后在所述第五种子层上喷涂光刻胶对该第五种子层进行光刻形成特定的布线图后，以实现将所述步骤10-1)中的引线引出，同时，一些无源器件和布线层在此步形成；10-3)通过电镀エ艺在所述光刻过的第五种子层上沉积一定厚度的Au层，去胶后利用离子束刻蚀エ艺去除之前被光刻胶覆盖而没有被电镀Au的第五种子层；10-4)在所述步骤10-3)的基础上再次旋涂光敏BCB介质层，然后对所述BCB介质层就行光刻エ艺以露出其下方的引线；10-5)多次连续重复所述步骤10-2)、10-3)、以及10_4)可以实现多层包含光敏BCB层、布线层、层间互连线、与所述布线层相连接的各种无源器件、以及最終形成于顶层的若干焊盘或焊球。可选地，所述第五种子层以及所述步骤10-5)中多次重复制备的种子层中的Cr层和Au层的厚度分别为为40nm 60nm和250nm 400nm,且其制备方法均采用电子束蒸发エ艺；所形成的无源器件至少包括电阻、电感、电容、滤波器、以及功分器。此外，本发明的另一目的是提供ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构，至少包括、
双抛硅晶圆，具有TSV垂直互连结构，至少包括ー个埋置于其内部的芯片；屏蔽层，形成于所述硅晶圆双面之上，至少具有多个电气连接点；介质层,旋涂于所述 娃晶圆双面和地屏蔽布线层之上；布线层，形成于所述硅晶圆双面上的介质层之上，具有多个两个电气连接点，与所述TSV互连结构、埋置于其内部的芯片、以及地屏蔽布线层的互连，包括多个无源器件、以及焊盘或焊球。可选地，埋置于所述硅晶圆内部的芯片为微波多芯片组件。可选地，所述硅晶圆与屏蔽层之间具有SiO2绝缘层。可选地,所述屏蔽层由TiW层、以及Au层组成,且TiW层位于所述娃晶圆表面SiO2绝缘层上。可选地，所述介质层的材质为BCB或聚酰亚胺。如上所述，本发明的ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法，具有以下有益效果本发明提出了ー种能用于微波频段的，利用TSV实现双面集成的系统级封装结构，包括匪IC芯片、倒装芯片和集成无源器件(例如电容，电感，滤波器等)都可集成在同一封装体内。衬底使用高阻硅减少了衬底损耗。在此系统级封装中，特殊的TSV传输结构可实现低损耗的穿硅微波信号传输，而BCB/金属组成的微带线实现2D平面的微波传输，从而降低了整个封装结构的微波损耗，实现了 TSV三维封装技术应用于微波埋置型圆片级系统封装中，达到更高的封装和集成密度的能力，提高制造エ艺和产品的可靠性。此外，本发明提出了ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，该方法在需要集成MMIC芯片时，不必在布线之前就埋入衬底，其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时，在制作过程中的注入腐蚀、释放和高温退火等エ艺可以在MMIC集成之前使用，需要使用特殊エ艺的元器件可以在衬底的另一面事先组装和集成。因而包括有源和无源器件、MEMS器件、以及光电器件等的衬底在集成MMIC之前可以很方便地大規模制造，并且エ艺相对简单，成本降低，是目前极为先进、可靠的制造方法。
图Ia至Im所示为本发明中的ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作エ艺流程示意图。图2显示为本发明的ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构示意图。元件标号说明10、40硅晶圆100穿硅通孔101埋置槽11SiO2 层110浅孔111浅槽形状12第一种子层13陪片
14第二种子层15铜柱16第三种子层17,41地屏蔽布线层410,430电气连接点18光敏BCB介质层1819,43布线层 20层间互连线21焊球22第四种子层23电阻24电感25电容26功分器27第五种子层28表贴元件或倒装芯片29MMIC 芯片290MMIC 芯片引脚30导电胶31,400TSV垂直互连结构42介质层44芯片45无源器件46焊盘或焊球47表贴元器件或倒装芯片
具体实施例方式以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式
加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。请參阅图Ia至图lm、以及图2。需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为ー种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图Ia至图Im所示，本发明提出ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，包括以下步骤SI :如图Ia所示，提供一高阻双抛硅晶圆10，电阻率为1000 Ω .cm 3000 Ω .Cm,厚度为200 μ m 300 μ m,在本实施例中，所述高阻双抛硅晶圆10的厚度为250 μ m,利用热氧化工艺在所述硅晶圆10表面生成ー层厚度为2μπι的SiO2层11。S2 :如图Ib至图Ic所示，在所述SiO2层11上旋涂光刻胶，通过曝光、显影、及坚膜等光刻エ艺在所述SiO2层11上形成所需图形，然后利用HF腐蚀掉所述图形对应的SiO2层11形成浅孔110以暴露出其下方的硅晶圆10，然接着以SiO2层11为掩膜，利用反应离子刻蚀エ艺对露出的所述硅晶圆10进行刻蚀以形成穿硅通孔100，并在所述穿硅通孔100内壁热氧化生成ー层2μπι的厚SiO2层11。S3 :如图Id至图Ie所示，在所述硅晶10—面上的SiO2层11再次旋涂光刻胶，通过曝光、显影、及坚膜等光刻エ艺在所述SiO2层11上形成所需图形，然后利用HF腐蚀掉所述图形对应的SiO2层11以形成浅槽形状111以暴露出其下方的硅晶圆10，接着将所述晶
圆10浸入温度为50°C，浓度为40wt%的KOH腐蚀液中进行湿法刻蚀，并控制刻蚀的速度以形成9511111 10511111的埋置槽101，本实施例中，所形成的埋置槽101的深度选为IOOym;最后利用热氧化工艺在所述埋置槽底部及侧壁生成ー层厚度为2 μ m的SiO2层11。需要说明的是本实施例中的埋置槽101用来埋置MMIC芯片，其形状及深度与所述丽IC芯片相对应，但不限于此，在其它实施例中也可以埋置其它种类的芯片，所述埋置槽101的形状及深度随芯片的形状及厚度改变。S4 :如图If利用磁控溅射エ艺在所述硅晶圆10上无所述埋置槽101的一面制备依次包含有TiW层、Au层的第一种子层12，且该第一种子层12中TiW层和Au层的厚度分别为40nm 60nm和150nm 250nm,本实施例中，所述第一种子层12中TiW层和Au层的厚度分别取50nm和200nm。需要说明的是，所述第一种子层12中的TiW层起到增强与硅晶圆粘附力作用，而Au层主要起到键合时的键合介质以及种子层导电的作用。在本实施例后面中所提及的其它种子层的作用与该步骤中的第一种子层12相同，其它地方不再赘述。S5 :如图Ig至Ih所示，提供另ー硅晶圆作为陪片13，厚度为本实施例中，所述陪片的厚度选为200 μ m，该陪片13为后面TSV电镀提供保障。利用磁控溅射エ艺在所述陪片13 —面制备依次包含有TiW层、Au层的第二种子层14，且该第二种子层14中TiW层和Au层的厚度分别为40nm 60nm和150nm 250nm,本实施例中，所述第二种子层14中TiW层和Au层的厚度分别取50nm和200nm ;然后将该第二种子层14的Au面与所述第一种子层12的Au面进行键合。S6 :如图Ii所示，利用电镀エ艺在所述穿硅通孔100中形成高于所述硅晶圆10表面的铜柱15，且所述铜柱15高出所述硅晶圆10表面的部分不大于5μπι;然后利用湿法刻蚀和化学机械抛光エ艺去除所述陪片13，然后利用离子束刻蚀エ艺去除剰余的所述硅晶圆10表面的第一种子层12和第二种子层14键合形成的金属层，重新在所述硅晶圆10的双面溅射依次包含有TiW层、Au层的第三种子层16，且该第三种子层16中TiW层和Au层的厚度分别为20nm 30nm和IOOnm 150nm,本实施例中，所述第三种子层16中TiW层和Au层的厚度分别取25nm和120nm。S7 :如图Ij所示，在所述硅晶圆10双面上的第三种子层16上喷涂ー层光刻胶进行光刻形成特定的布线图形，接着通过电镀エ艺在显影后的所述第三种子层16上沉积厚度为3 μ m 4 μ m的Au层形成特定的地屏蔽布线层17，去胶后利用离子束刻蚀エ艺去除没有被所述电镀Au层所覆盖的第三种子层16。需要说明的是，在该步骤中由于所述第三种子层16很薄，且其被电镀Au层覆盖的地方比较厚，因此在进行离子束刻蚀エ艺时，较薄的没有被所述电镀Au层所覆盖的其它第三种子层16被刻蚀掉。S8 :如图Ik至11所示，在所述硅晶圆10上无埋置槽101的一面制备多层包含光敏BCB介质层18、布线层19、层间互连线20、与所述布线层19相连接的各种无源器件、以及形成于最顶层的若干焊盘或焊球21。具体エ艺如下I)如图Ik所示，在所述硅晶圆上无埋置槽101的一面旋涂ー层厚度为25μπι 35 μ m光敏BCB介质层18，本实施例中，所述光敏BCB介质层18的厚度选为30 μ m,光敏BCB材料具有离子少、吸水率低、介电常数低、固化温度低、平整度高、热稳定性好、抗腐蚀性強、以及与各种金属化层的匹配性好的优点，因此本实施中暂选为该材料作为介质层。但并不限于此，在其它实施例中亦可以选用其他适合的介质材料，例如聚酰亚胺(PI)等；然后对所述BCB介质层18进行光刻エ艺以露出其下方的铜柱15、以及地屏蔽布线层17作为后续引线。 2)在所述光刻过的光敏BCB介质层18上溅射依次包含有Cr层、Au层的第四种子层22 (图中未示出，第四种子层22以及后续在其表面电镀的金形成的布线层19均以实线表示)，所述第四种子层22以及后续所述步骤5)中多次重复制备的种子层中的Cr层和Au层的厚度分别为为40nm 60nm和250nm 400nm,且其制备方法均采用电子束蒸发エ艺。在本实施例中，所述第四种子层22以及后续所述步骤5)中多次重复制备的种子层中的Cr层和Au层的厚度分别为50nm和300nm ;然后在所述第四种子层22上喷涂光刻胶对其光刻形成特定的布线图形以及层间互连线图形。3)通过电镀エ艺在所述光刻过的第四种子层22上沉积厚度为3 μ m 4 μ m的Au层，以形成所需的布线层19、以及层间互连线20，去胶后利用离子束刻蚀エ艺去除没有被所述电镀Au层所覆盖的第四种子层22，同时，一些无源器件和布线层也可在此步形成。4)如图Ik所示，在所述步骤3)基础上再次旋涂厚度为25μπι 35μπι的光敏BCB介质层18，本实施例中，所述光敏BCB介质层18的厚度选为30 μ m,然后对所述BCB介质层18进行光刻エ艺以露出其下方的层间互连线20。5)多次连续重复所述步骤2)、3)、以及4)可以实现多层包含光敏BCB层18、布线层19、层间互连线20、与所述布线层19相连接的各种无源器件、以及最終形成于顶层的若干焊盘或焊球21，本实施例中暂以焊球21为例进行说明，但不限于此，在其它实施例中亦可选焊盘。具体地，在本实施例中，所述无源器件暂选为电阻23、电感24、电容25、以及功分器26，但不限于此，在其它实施例中亦可以为其它无源器件。需要说明的是，本实施例中在所述硅晶圆10的一面实现了两层包含光敏BCB层18与布线层19的封装结构，但不限于此，在其它实施例中根据步骤5)的方法亦可制作出多层包含光敏BCB层18与布线层的封装结构。S9:如图Im所示，在所述硅晶圆10上具有埋置槽101的一面使用导电胶30将丽IC芯片29的背面粘接于所述埋置槽101底部，实现丽IC芯片29和所述硅晶圆10的粘合；然后将粘合好丽IC芯片29的所述硅晶圆10放入140°C 160°C烘箱内烘烤50分钟 70分钟固化导电胶30。需要说明的是，在本实施例中埋置槽中的芯片选为丽IC芯片29，但不限于此，在其它实施例中亦可根据需要选用其它功能的芯片，特此声明。SlO :如图Im所示，在所述硅晶圆10上具有埋置槽101的一面制备多层包含光敏BCB层18、布线层19、层间互连线20、与所述布线层19相连接的各种无源器件、以及形成于最顶层的若干焊盘或焊球21。其具体エ艺流程中除了将埋置的MMIC芯片29的引脚290引出之外，其它エ艺及參数与步骤S8中的相同，在此不再赘述。在本实施例中，通过该步骤实现了在所述硅晶圆10另一面制作出两层包含光敏BCB层18与布线层19的封装结构，但不限于此，在其它实施例中亦可制作出多层包含光敏BCB层18与布线层19的封装结构，特此声明。Sll :如图Im所示，在封装结构顶层的所述焊球21上表贴元器件或倒装芯片28。综上所述，本发明提出了ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，该方法在需要集成MMIC芯片时，MMIC芯片不必在布线之前就埋入衬底，其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时，在制作过程中的注入腐蚀、释放和高温退火等エ艺可以在MMIC集成之前使用，需要使用特殊エ艺的元器件可以在衬底的另一面事先组装和集成。因而包括有源和无源器件、MEMS器件、以及光电器件等的衬底在集成MMIC之前可以很方便地大規模制造，并且エ艺相对简单，成本降低，是目前极为先进、可靠的制造方法。
如图2所示，本发明还提供ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构，至少包括双抛硅晶圆40、地屏蔽布线层41、介质层42、以及布线层43。所述双抛娃晶圆具有TSV垂直互连结构400,至少包括一个埋置于其内部的芯片，本实施例中所述芯片暂选为MMIC芯片44，但不限于此，在其它实施例中，亦可以选用其它功能的芯片。所述地屏蔽布线层41形成于所述双抛硅晶圆40双面之上，且在所述地屏蔽布线层41与双抛硅晶圆40之间具有SiO2绝缘层45 ;具体地，所述地屏蔽布线层41由TiW层、以及Au层组成，且TiW层位于所述硅晶圆表面SiO2绝缘层45表面；进ー步具体地，所述地屏蔽布线层41至少具有多个电气连接点410，用于实现与位于其上层的布线层43的的电气连接。所述介质层42形成于所述娃晶圆40双面和地屏蔽布线层之上,本实施例中所述介质42的材质暂选为光敏BCB，但不限于此，在其它实施例中亦可以选用聚酰亚胺(PI)，特此声明。所述布线层43形成于所述介质层42之上，且具有多个电气连接点430 ;所述电气连接点430用于与所述TSV互连结构400、埋置于所述双抛硅晶圆40内部的芯片44、以及所述地屏蔽布线层41的互连。具体地，所述布线层43还包括多个无源器件45、以及焊盘或焊球46 ;进ー步具体地，所述焊盘或焊球46上用来表贴元器件或倒装芯片47。综上所述，本发明提出了ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法，用于微波频段。该结构包括MMIC芯片、倒装芯片和集成无源器件(例如电容，电感，滤波器等)都可集成在同一封装体内。衬底使用高阻硅减少了衬底损耗。在此系统级封装中，特殊的TSV传输结构可实现低损耗的穿硅微波信号传输，而BCB/金属组成的微带线实现2D平面的微波传输，从而降低了整个封装结构的微波损耗，实现了 TSV三维封装技术应用于微波埋置型圆片级系统封装中，达到更高的封装和集成密度的能力，提高制造エ艺和产品的可靠性。该方法在需要集成MMIC芯片时，MMIC芯片不必在布线之前就埋入衬底，其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时，在制作过程中的注入腐蚀、释放和高温退火等エ艺可以在MMIC集成之前使用，需要使用特殊エ艺的元器件可以在衬底的另一面事先组装和集成。因而包括有源和无源器件、MEMS器件、以及光电器件等的衬底在集成MMIC之前可以很方便地大規模制造，并且エ艺相对简单，成本降低，是目前极为先进、可靠的制造方法。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所掲示的精神与技术思想下所完 成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
权利要求
1.ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤 1)提供一高阻双抛硅晶圆，在所述硅晶圆表面热生长ー层SiO2层； 2)在所述SiO2层上进行光刻形成通孔图形，并利用HF腐蚀掉所述通孔图形对应的SiO2以暴露出其下方的硅晶圆，然后以SiO2层为掩膜，利用反应离子刻蚀エ艺对露出的硅晶圆进行刻蚀以形成穿硅通孔，并在所述穿硅通孔内壁热氧化生成ー层SiO2层； 3)在所述硅晶圆一面上的SiO2层上进行光刻以形成埋置槽图形，并利用HF腐蚀掉所述埋置槽图形对应的SiO2以暴露出其下方的硅晶圆，然后将所述硅晶圆浸入KOH腐蚀液进行湿法刻蚀以形成预定深度的埋置槽，并在所述埋置槽底部及侧壁热氧化生成ー层SiO2层； 4)在所述硅晶圆上无所述埋置槽的一面制备依次包含有TiW层、Au层的第一种子层； 5)提供ー陪片，在所述陪片一面制备依次包含有TiW层、Au层的第二种子层，然后将该第二种子层Au面与所述第一种子层Au面进行键合； 6)利用电镀エ艺在所述穿硅通孔中形成高于所述硅晶圆表面的铜柱，然后利用湿法刻蚀和化学机械抛光エ艺去除所述陪片，接着利用离子束刻蚀エ艺去除所述硅晶圆表面的第一种子层和第二种子层键合形成的金属层； 7)在所述硅晶圆双面分别制备依次包含有TiW层、Au层的第三种子层，然后在所述第三种子层上喷涂ー层光刻胶进行光刻形成特定的布线图形，接着通过电镀エ艺在显影后的所述第三种子层上沉积一定厚度的Au层以形成特定的地屏蔽布线层，最后利用离子束刻蚀エ艺去除没有被所述电镀Au层所覆盖的第三种子层； 8)在所述硅晶圆上无埋置槽的一面制备多层包含光敏BCB层、布线层、层间互连线、与所述布线层相连接的各种无源器件、以及形成于最顶层的若干焊盘或焊球； 9)在所述硅晶圆上具有埋置槽的一面使用导电胶将芯片背面粘接于所述埋置槽底部，实现该芯片和所述娃晶圆的粘合； 10)在所述硅晶圆上具有埋置槽的一面制备多层包含光敏BCB层、布线层、层间互连线、与所述布线层相连接的各种无源器件、以及形成于最顶层的若干焊盘或焊球； 11)在所述焊盘上表贴元器件或倒装芯片。
2.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于所述步骤I)中硅晶圆的电阻率为1000 Ω .cm 3000Ω ·ο ，厚度为200 μ m 300 μ m。
3.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于热氧化生长的所述SiO2层的厚度均为2 μ m。
4.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于所述步骤3)中的KOH腐蚀液的温度为50°C，浓度为40wt%，所腐蚀出的埋置槽的深度为95 μ m 105 μ m。
5.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在干所述第一、第二、第三种子层的制备方法均采用磁控溅射エ艺。
6.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于所述第一种子层中TiW层和Au层的厚度分别为40nm 60nm和150nm 250nm。
7.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于所述第二种子层中TiW层和Au层的厚度分别为40nm 60nm和150nm 250nm。
8.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于所述步骤5)中的陪片为硅晶圆，且所述硅晶圆的厚度为150μπι 250μπι。
9.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于所述步骤6)中铜柱高出所述娃晶圆表面的高度不大于5 μ m。
10.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于所述硅晶圆双面的第三种子层的厚度相等，其中TiW层厚度为20nm 30nm，Au层为IOOnm 150nmo
11.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于所述电镀エ艺形成的Au层的厚度均为3 μ m 4 μ m。
12.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于所述光敏BCB层的厚度均为25 μ m 35 μ m。
13.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于所述步骤10)中芯片和所述硅晶圆粘合后还要放入140°C 160°C烘箱内烘烤50分钟 70分钟固化导电胶，以实现该芯片和所述硅晶圆粘合。
14.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述步骤8)还包括 8-1)在所述硅晶圆上无埋置槽的一面旋涂光敏BCB介质层，然后对所述BCB介质层进行光刻エ艺以露出其下方的铜柱、以及地屏蔽布线层作为后续引线； 8-2)在所述光刻过的光敏BCB介质层上溅射依次包含有Cr层、Au层的第四种子层，然后在所述第四种子层上喷涂光刻胶对该第四种子层进行光刻形成特定的布线图，以实现将所述步骤8-1)中的引线和TSV铜柱引出，同时ー些无源器件和布线层在此步形成； 8-3)通过电镀エ艺在所述光刻露出的第四种子层上沉积一定厚度的Au层，去胶后利用离子束刻蚀エ艺去除之前被光刻胶覆盖而没有被电镀Au的第四种子层； 8-4)在所述步骤8-3)基础上再次旋涂光敏BCB介质层，然后对所述BCB介质层进行光刻エ艺以露出其下方的引线； 8-5)多次连续重复所述步骤8-2)、8-3)、以及8-4)可以实现多层包含光敏BCB层、布线层、层间互连线、与所述布线层相连接的各种无源器件、以及最終形成于顶层的若干焊盘。
15.根据权利要求14所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于所述第四种子层以及所述步骤8-5)中多次重复制备的种子层中的Cr层和Au层的厚度分别为为40nm 60nm和250nm 400nm,且其制备方法均采用电子束蒸发エ艺。
16.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在干所述步骤10)还包括 10-1)在所述硅晶圆上具有埋置槽的一面旋涂光敏BCB介质层，然后对所述BCB介质层就行光刻エ艺以露出其下方的铜柱、埋置芯片引脚、以及地屏蔽布线层作为后续引线； 10-2)在所述光刻过的光敏BCB介质层上沉积依次包含有Cr层、Au层的第五种子层，然后在所述第五种子层上喷涂光刻胶对该第五种子层进行光刻形成特定的布线图后，以实现将所述步骤10-1)中的引线引出，同时，一些无源器件和布线层在此步形成； 10-3)通过电镀エ艺在所述光刻过的第五种子层上沉积一定厚度的Au层，去胶后利用离子束刻蚀エ艺去除之前被光刻胶覆盖而没有被电镀Au的第五种子层； 10-4)在所述步骤10-3)的基础上再次旋涂光敏BCB介质层，然后对所述BCB介质层就行光刻エ艺以露出其下方的引线； 10-5)多次连续重复所述步骤10-2)、10-3)、以及10-4)可以实现多层包含光敏BCB层、布线层、层间互连线、与所述布线层相连接的各种无源器件、以及最終形成于顶层的若干焊盘或焊球。
17.根据权利要求16所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于所述第五种子层以及所述步骤10-5)中多次重复制备的种子层中的Cr层和Au层的厚度分别为为40nm 60nm和250nm 400nm,且其制备方法均采用电子束蒸发エ艺。
18.根据权利要求I所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所形成的无源器件至少包括电阻、电感、电容、滤波器、以及功分器。
19.ー种利用穿硅通孔的微波多芯片的封装结构，其特征在于，至少包括 双抛硅晶圆，具有TSV垂直互连结构，至少包括ー个埋置于其内部的芯片； 屏蔽层，形成于所述硅晶圆双面之上，至少具有多个电气连接点； 介质层，旋涂于所述硅晶圆双面和地屏蔽布线层之上； 布线层，形成于所述硅晶圆双面上的介质层之上，具有多个两个电气连接点，与所述TSV互连结构、埋置于其内部的芯片、以及地屏蔽布线层的互连，包括多个无源器件、以及焊盘或焊球。
20.根据权利要求19所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构，其特征在于埋置于所硅晶圆内部的芯片为微波多芯片组件。
21.根据权利要求19所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构，其特征在于所述硅晶圆与屏蔽层之间具有SiO2绝缘层。
22.根据权利要求19所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构，其特征在于所述屏蔽层由TiW层、以及Au层组成，且TiW层位于所述硅晶圆表面SiO2绝缘层上。
23.根据权利要求19所述的利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构，其特征在于所述介质层的材质为BCB或聚酰亚胺。
全文摘要
本发明提供一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法，该方法利用TSV实现双面集成的系统级封装结构，在需要集成MMIC芯片时，不必在布线之前就埋入衬底，其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时，在制作过程中的注入腐蚀、释放和高温退火等工艺可以在MMIC集成之前使用，需要使用特殊工艺的元器件可以在衬底的另一面事先组装和集成。因而包括有源和无源器件、MEMS器件、以及光电器件等的衬底在集成MMIC之前可以很方便地大规模制造，并且工艺相对简单，成本降低，是目前极为先进、可靠的制造方法。
文档编号H01L25/00GK102723306SQ201210219229
公开日2012年10月10日 申请日期2012年6月28日 优先权日2012年6月28日
发明者徐高卫, 汤佳杰, 罗乐, 陈骁 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所