紫外线感测元件以及制作方法
【专利摘要】本发明提供一种紫外线感测元件，可供使用于三晶体管影像感测电路中，其包括第一导电型基材、第二导电型掺杂区、以及高浓度第一导电型掺杂区。第一导电型基材具有受光面。第二导电型掺杂区设置于第一导电型基材内且邻接于受光面。高浓度第一导电型掺杂区，邻接于第二导电型掺杂区下方。本发明亦提供可使用于四晶体管影像感测电路中的另一种紫外线感测元件，其与连接三晶体管影像感测电路的紫外线感测元件相较，更增加高浓度第一导电型表面掺杂区，夹置于受光面与第二导电型掺杂区之间。此外，前述的紫外线感测元件的制作方法亦被提出。
【专利说明】紫外线感测元件以及制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种紫外线感测元件，且特别是一种具有高讯噪比的紫外线感测元件。
【背景技术】
[0002]应用于传统半导体的光感测元件，例如光二极管(Photo Diode)，常应用于可见光或红外线的侦测感应用途。相对地，紫外线的波长较短(OlOOnm)，仅能穿透半导体在较浅层区域以产生光电子，而可见光以及红外线则可穿透半导体较深区域并产生光电子以致漂移至较浅层区域。须侦测受感测光中的紫外线波段时，来自较长波段光线的漂移光电子常对紫外线波段的感测讯号判读造成干扰；故受感测光须排除不必要波段光线的影响，以得到高讯噪比(S/N ratio)的讯号质量。现有技术的解决方式为加多层滤光膜于光感应元件上方以滤除不必要的较长波段光线；当感测元件接受的受感测光仅有紫外线波段，可降低来自较长波段光线的干扰。
[0003]然而，多层滤光膜的制程良率极低，此因于每堆栈滤光膜一次都增加一次不良率的损耗；此外，堆栈次数越多，良率就越低；且多层膜的材料成本昂贵，例如银等贵金属。因此，如何提升紫外线感测元件的讯噪比，降低制作成本，改善生产良率，实为相关领域的人员所重视的议题之一。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种紫外线感测元件及制作方法，其可有效地提高紫外线感测的质量，达到高讯噪比的效果。
[0005]本发明的其它目的和优点可以从本发明所揭露的技术特征中得到进一步的了解。
[0006]为达上述之一或部分或全部目的或是其它目的，本发明的一实施例提出一种紫外线感测元件，例如可供使用于一三晶体管(three-transistor, 3T)影像感测电路中，其包括一第一导电型基材、一第二导电型掺杂区、以及一高浓度第一导电型掺杂区。第一导电型基材具有一受光面。第二导电型掺杂区设置于第一导电型基材内且邻接于受光面。高浓度第一导电型掺杂区，邻接于第二导电型掺杂区下方。
[0007]在本发明的一实施例中，提出另一种可供使用于三晶体管影像感测电路中的紫外线感测元件，此紫外线感测元件较前实施例还至少包括一高浓度第二导电型掺杂区，此高浓度第二导电型掺杂区邻接于高浓度第一导电型掺杂区下方。
[0008]在本发明的又一实施例中提出另一种紫外线感测元件，例如可供使用于一四晶体管(four-transistor, 4T)影像感测电路中，其包括一第一导电型基材、一高浓度第一导电型表面掺杂区、一第二导电型掺杂区、以及一高浓度第一导电型掺杂区。第一导电型基材，具有一受光面。高浓度第一导电型表面掺杂区，设置于第一导电型基材内且邻接于受光面。第二导电型掺杂区，邻接于高浓度第一导电型表面掺杂区下方。高浓度第一导电型掺杂区，邻接于第二导电型掺杂区下方。[0009]在本发明的一实施例中，提出另一种可供使用一四晶体管影像感测电路中的紫外线感测元件，此紫外线感测元件较前项实施例还至少包括一高浓度第二导电型掺杂区，此高浓度第二导电型掺杂区邻接于高浓度第一导电型掺杂区下方。
[0010]本发明的另一实施例提出一种紫外线感测元件的制作方法，其至少包括以下步骤:首先，提供一第一导电型基材，其具有一受光面；之后，在受光面下方形成一第二导电型掺杂区；以及，形成一高浓度第一导电型掺杂区，其设置于第二导电型掺杂区下方。
[0011]在本发明的一实施例中，提出另一种紫外线感测元件的制作方法，较前实施例还至少包括:形成一高浓度第二导电型掺杂区，其设置于高浓度第一导电型掺杂区下方。
[0012]本发明的一实施例提出一种紫外线感测元件的制作方法，其至少包括以下步骤:首先，提供一第一导电型基材，其具有一受光面；在受光面下方形成一高浓度第一导电型表面掺杂区；形成一第二导电型掺杂区，其设置于高浓度第一导电型表面掺杂区下方；以及，形成一高浓度第一导电型掺杂区，其设置于第二导电型掺杂区下方。
[0013]在本发明的一实施例中，提出另一种紫外线感测元件的制作方法，较前实施例还至少包括:形成一高浓度第二导电型掺杂区，其设置于高浓度第一导电型掺杂区下方。
[0014]基于上述，在本发明的紫外线感测元件，利用邻接于第二导电型掺杂区下的高浓度第一导电型掺杂区，形成一电位障碍，使来自较长波段光线的漂移光电子不易通过电位障碍而进入浅层的第二导电型掺杂区，进而干扰紫外线波段的讯号判读。另外，本紫外线感测元件通过标准半导体制程进行制作，因此可有效地降低紫外线感测元件的制作成本并具有较为简单的制作步骤。
[0015]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1为本发明一实施例的使用于影像感测电路的紫外线感测元件的局部剖视图；
[0017]图2为本发明另一实施例的使用于影像感测电路的紫外线感测元件的局部剖视图；
[0018]图3为本发明又一实施例的使用于影像感测电路的紫外线感测元件的局部剖视图；
[0019]图4为本发明再一实施例的使用于影像感测电路的紫外线感测元件的局部剖视图；
[0020]图5为本发明一实施例的使用于影像感测电路的紫外线感测元件的局部剖视图；
[0021]图6为本发明另一实施例的使用于影像感测电路的紫外线感测元件的局部剖视图；
[0022]图7为本发明又一实施例的使用于影像感测电路的紫外线感测元件的局部剖视图；
[0023]图8为本发明再一实施例的使用于影像感测电路的紫外线感测元件的局部剖视图。
[0024]图中符号说明
[0025]10、20、30、40、50、60、70、80 紫外线感测元件[0026]111、211、311、411、511、611、711、811 受光面
[0027]LI受感测光
[0028]11、21、31、41、51、61、71、81 第一导电型基材
[0029]12、22、32、42、52、62、72、82 第二导电型掺杂区
[0030]13、23、33、43、53、63、72、82高浓度第一导电型掺杂区
[0031]24、44、64、84高浓度第二导电型掺杂区
[0032]321、421、431、7121、721、8121、821、831 侧壁
【具体实施方式】
[0033]有关本发明的前述及其它技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图的一较佳实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如:上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加图式的方向。本发明中的图式均属示意，主要意在表示各装置以及各元件之间的功能作用关系，至于形状、厚度与宽度则并未依照比例绘制。
[0034]图1为本发明一实施例的紫外线感测元件的剖视图。请参考图1，本实施例的一种紫外线感测元件10，例如但不限于可供使用于一三晶体管(3T)影像感测电路中(图式未显不)，其包括一第一导电型基材11、一第二导电型掺杂区12、以及一高浓度第一导电型掺杂区13。第一导电型基材11具有一受光面111。第二导电型掺杂区12设置于第一导电型基材11内且邻接于受光面111。高浓度第一导电型掺杂区13,邻接于第二导电型掺杂区12下方。如此，来自较长波段光线(例如可见光或红外线以上波长的光线)的漂移光电子会因高浓度第一导电型掺杂区13所形成的高电位障碍而被阻隔于紫外光感应产生光电子的第二导电型掺杂区12外，如此接收的受感测光LI可排除不必要波段光线的影响，达到高讯噪比的紫外线感测功能。
[0035]请参照图2，其为本发明另一实施例的紫外线感测元件的剖视图。与图1中前实施例的结构类似，其中的紫外线感测元件20亦例如但不限于可供使用于一三晶体管影像感测电路中(图式未显示)。本实施例的紫外线感测元件20，其包括一第一导电型基材21、一第二导电型掺杂区22、一高浓度第一导电型掺杂区23、以及一高浓度第二导电型掺杂区
24。第一导电型基材11具有一受光面111，此受光面111接受一受感测光LI。与图1的实施例相较，紫外线感测元件20还至少包括高浓度第二导电型掺杂区24，此高浓度第二导电型掺杂区24邻接于高浓度第一导电型掺杂区23下方。此结构的目的为除了类似前实施例的高浓度第一导电型掺杂区23所形成的高电位障碍外，还增加了高浓度第二导电型掺杂区24所形成的低电位陷阱，让较长波段光线的漂移光电子陷于此区而不易漂移至第二导电型掺杂区22，增强阻绝效果。所以，本实施例利用高浓度第一导电型掺杂区23以及一高浓度第二导电型掺杂区24更可降低较长波段光线的漂移光电子的干扰。
[0036]关于图1、2显示的两组实施例，其中第二导电型掺杂区12、22以及高浓度第二导电型掺杂区24例如可为N型杂质掺杂区，掺杂的杂质例如可为磷或砷；而第一导电型基材
11、21以及高浓度第一导电型掺杂区13、23例如为P型杂质掺杂区，掺杂的杂质例如可为硼。
[0037]参考图3，其为本发明又一实施例的紫外线感测元件的剖视图，其中的紫外线感测元件30亦例如可供使用于一三晶体管影像感测电路中(图式未显示)。类似于图1的实施例，紫外线感测元件30包括一第一导电型基材31、一第二导电型掺杂区32、以及一高浓度第一导电型掺杂区33。第一导电型基材31具有一受光面311，此受光面311接受一受感测光LI。第二导电型掺杂区32设置于第一导电型基材31内且邻接于受光面311。高浓度第一导电型掺杂区33邻接于第二导电型掺杂区32下方，且包覆第二导电型掺杂区32的侧壁321并延伸至受光面311，形成一环绕井的几何形状。此结构中，高浓度第一导电型掺杂区33可供外接于一预设电位，以加强对较长波段光电子的阻绝效果。从半导体制程的角度而言，制作第二导电型掺杂区32所使用的屏蔽开口范围，较制作高浓度第一导电型掺杂区33的屏蔽开口范围为小。
[0038]参考图4，其为本发明又一实施例的紫外线感测元件的剖视图，其中的紫外线感测元件40亦例如可供使用于一三晶体管影像感测电路中(图式未显示)。类似于图2的实施例，紫外线感测元件40包括一第一导电型基材41、一第二导电型掺杂区42、一高浓度第一导电型掺杂区43，以及一高浓度第二导电型掺杂区44。第一导电型基材41具有一受光面411，此受光面411接受一受感测光LI。第二导电型掺杂区42设置于第一导电型基材41内且邻接于受光面411。高浓度第一导电型掺杂区43，邻接于第二导电型掺杂区42下方，且包覆第二导电型掺杂区42的侧壁421并延伸至受光面411，形成一环绕井的几何形状。高浓度第二导电型掺杂区44邻接于高浓度第一导电型掺杂区43下方，且包覆高浓度第一导电型掺杂区43的侧壁431并延伸至受光面411，也形成一环绕井的几何形状。其中，高浓度第一导电型掺杂区43以及高浓度第二导电型掺杂区44可各自外接于预设电位，以加强对较长波段光电子的阻绝效果。从半导体制程的角度而言，制作第二导电型掺杂区42所使用的屏蔽开口范围，较高浓度第一导电型掺杂区43的屏蔽开口范围小。而制作高浓度第一导电型掺杂区43的屏蔽开口，又较高浓度第二导电型掺杂区44的屏蔽开口范围小。
[0039]图1、2、3、4中的实施例，其中第二导电型掺杂区的杂质距离受光面的掺杂深度较佳宜介于0.2微米以及2微米之间，亦即深于或等于0.2微米、且浅于或等于2微米。高浓度第一导电型掺杂区的杂质距离受光面的掺杂深度较佳宜介于0.6微米以及3微米之间，亦即深于或等于0.6微米、且浅于或等于3微米。高浓度第二导电型掺杂区距离受光面的的杂质掺杂深度较佳宜介于3微米以及6微米之间，亦即深于或等于3微米、且浅于或等于6微米。
[0040]请参考图5，其为本发明又一实施例的紫外线感测元件的剖视图，其中的紫外线感测元件50例如但不限于可供使用于一四晶体管(4T)影像感测电路中(图式未显示)，其包括一第一导电型基材51、一高浓度第一导电型表面掺杂区512、一第二导电型掺杂区52、以及一高浓度第一导电型掺杂区53。第一导电型基材51,具有一受光面511,接受一受感测光LI。高浓度第一导电型表面掺杂区512,设置于第一导电型基材51内且邻接于受光面511。第二导电型掺杂区52邻接于高浓度第一导电型表面掺杂区512下方。高浓度第一导电型掺杂区53,邻接于第二导电型掺杂区52下方。其中，设置高浓度第一导电型表面掺杂区512的主要目的为与四晶体管影像感测电路相连，其它原理类似于图1的实施例。
[0041]图6为本发明另一实施例的紫外线感测元件的剖视图。与图5中前实施例的结构类似，其中的紫外线感测元件60亦例如但不限于可供使用于一四晶体管影像感测电路中(图式未显不)。本实施例的紫外线感测兀件60,其包括一第一导电型基材61、高浓度第一导电型表面掺杂区612、一第二导电型掺杂区62、一高浓度第一导电型掺杂区63、以及一高浓度第二导电型掺杂区64。第一导电型基材61具有一受光面611，此受光面611接受一受感测光LI。高浓度第一导电型表面掺杂区612,设置于第一导电型基材61内且邻接于受光面611。第二导电型掺杂区62邻接于高浓度第一导电型表面掺杂区512下方。高浓度第一导电型掺杂区63，邻接于第二导电型掺杂区62下方。高浓度第二导电型掺杂区64邻接于高浓度第一导电型掺杂区63下方。与图5的实施例相较，紫外线感测元件60还至少包括高浓度第二导电型掺杂区64。此结构的目的为除了类似前实施例的高浓度第一导电型掺杂区63所形成的高电位障碍外，更增加了高浓度第二导电型掺杂区64所形成的低电位陷阱，让较长波段光线的漂移光电子陷于此区而不易漂移至第二导电型掺杂区62。
[0042]关于图5、6显示的两组实施例，其中第二导电型掺杂区52、62以及高浓度第二导电型掺杂区64例如可为N型杂质掺杂区，掺杂的杂质例如可为磷或砷；而第一导电型基材
51、61、高浓度第一导电型掺杂区53、63、以及高浓度第一导电型掺杂区例如为P型杂质掺杂区，掺杂的杂质例如可为硼。
[0043]请参考图7，其为本发明再一实施例的紫外线感测元件的剖视图，其中的紫外线感测元件70可供使用于一四晶体管影像感测电路中(图式未显示)，其包括一第一导电型基材71、一高浓度第一导电型表面掺杂区712、一第二导电型掺杂区72、以及一高浓度第一导电型掺杂区73。第一导电型基材51,具有一受光面511,接受一受感测光LI。高浓度第一导电型表面掺杂区712，设置于第一导电型基材71内且邻接于受光面711。第二导电型掺杂区72邻接于高浓度第一导电型表面掺杂区712下方。高浓度第一导电型掺杂区73，邻接于第二导电型掺杂区72下方，且包覆高浓度第一导电型掺杂区72的侧壁721以及高浓度第一导电型表面掺杂区712的侧壁7121，并延伸至受光面711，形成一环绕井的几何形状。其中，设置高浓度第一导电型表面掺杂区712的主要目的为与四晶体管影像感测电路相连，而高浓度第一导电型掺杂区73可外接于预设电位，以加强对较长波段光电子的阻绝效果。其它作用原理请参照图1与图5的实施例。
[0044]请参考图8，其为本发明再一实施例的紫外线感测元件的剖视图，其中的紫外线感测元件80亦例如但不限于可供使用于一四晶体管影像感测电路中(图式未显示)，其包括一第一导电型基材81、一高浓度第一导电型表面掺杂区812、一第二导电型掺杂区82、一高浓度第一导电型掺杂区83、以及高浓度第二导电型掺杂区84。第一导电型基材81，具有一受光面811,接受一受感测光LI。高浓度第一导电型表面掺杂区812,设置于第一导电型基材81内且邻接于受光面811。第二导电型掺杂区82邻接于高浓度第一导电型表面掺杂区812下方。高浓度第一导电型掺杂区83，邻接于第二导电型掺杂区82下方，且包覆高浓度第一导电型掺杂区82的侧壁821以及高浓度第一导电型表面掺杂区812的侧壁8121，并延伸至受光面811，形成一环绕井的几何形状。高浓度第二导电型掺杂区84邻接于高浓度第一导电型掺杂区83下方，且包覆高浓度第一导电型掺杂区83的侧壁831并延伸至受光面811，也形成一环绕井的几何形状。高浓度第一导电型掺杂区83和高浓度第二导电型掺杂区84可各自外接于预设电位，以加强对较长波段光电子的阻绝效果。其它作用原理请参照图4与图7的实施例。
[0045]图5、6、7、8中的实施例，其中高浓度第一导电型表面掺杂区的杂质距离受光面的掺杂深度较佳宜介于0.02微米以及0.1微米之间，亦即深于或等于0.02微米、且浅于或等于0.1微米。第二导电型掺杂区的杂质距离受光面的掺杂深度较佳宜介于0.05微米以及0.2微米之间，亦即深于或等于0.05微米、且浅于或等于0.2微米。高浓度第一导电型掺杂区的杂质距离受光面的掺杂深度较佳宜介于0.05微米以及0.5微米之间，亦即深于或等于
0.05微米、且浅于或等于0.5微米。高浓度第二导电型掺杂区的杂质距离受光面的掺杂深度较佳宜介于0.1微米以及I微米之间，亦即深于或等于0.1微米、且浅于或等于I微米。
[0046]基于上述，本发明亦提供紫外线感测元件的方法，而本实施例以制作图1中的紫外线感测元件10来举例说明。
[0047]首先，提供前述第一导电型基材11，此第一导电型基材11具有一受光面111。以屏蔽(未不出)定义范围之后，再以离子植入形成一第二导电型掺杂区12于第一导电型基材11内，其中第二导电型掺杂区12邻接于受光面111下方。并且，在第二导电型掺杂区12下方也以离子植入形成一高浓度第一导电型掺杂区13。其中，形成第二导电型掺杂区12和高浓度第一导电型掺杂区13的离子植入步骤次序可以互换，并且可以使用相同的屏蔽。
[0048]请参照图2，欲制作图2中的紫外线感测元件20时，除了与上述制作图1中紫外线感测元件10类似的步骤外，紫外线感测元件20的制作方法还至少包括:在高浓度第一导电型掺杂区23下方以离子植入形成一高浓度第二导电型掺杂区24。其中，形成第二导电型掺杂区22、高浓度第一导电型掺杂区23、高浓度第二导电型掺杂区24的离子植入步骤次序可以互换，并且可以使用相同的屏蔽。
[0049]请参照图3，欲制作图3中的紫外线感测元件30时，可采用与上述制作图1中紫外线感测元件10类似的步骤，其中，形成第二导电型掺杂区32和高浓度第一导电型掺杂区33的离子植入步骤次序可以互换，但宜使用不同的屏蔽、或给予不同的加热扩散时间。
[0050]请参照图4，欲制作图4中的紫外线感测元件40时，可采用与上述制作图2中紫外线感测元件20类似的步骤，其中，形成第二导电型掺杂区42、高浓度第一导电型掺杂区43、高浓度第二导电型掺杂区44的离子植入步骤次序可以互换，但宜使用不同的屏蔽、或给予不同的加热扩散时间。
[0051]图5显示本发明制作紫外线感测元件50的另一制作方法实施例。
[0052]首先，提供第一导电型基材51,此第一导电型基材51具有一受光面511。以屏蔽(未不出)定义范围之后，再以离子植入在受光面511下方形成一高浓度第一导电型表面掺杂区512。在高浓度第一导电型表面掺杂区512下方以离子植入形成一第二导电型掺杂区
52。以及,在第二导电型掺杂区52下方以离子植入形成一高浓度第一导电型掺杂区53。其中，形成高浓度第一导电型表面掺杂区512、第二导电型掺杂区52、和高浓度第一导电型掺杂区53的离子植入步骤次序可以互换，并且可以使用相同的屏蔽。
[0053]请参照图6，欲制作图6中的紫外线感测元件60时，除了与上述制作图5中紫外线感测元件50类似的步骤外，紫外线感测元件60的制作方法还至少包括:在高浓度第一导电型掺杂区63下方形成一高浓度第二导电型掺杂区64。其中，形成高浓度第一导电型表面掺杂区612、第二导电型掺杂区62、高浓度第一导电型掺杂区63、及高浓度第二导电型掺杂区64的离子植入步骤次序可以互换，并且可以使用相同的屏蔽。
[0054]请参照图7，欲制作图7中的紫外线感测元件70时，可采用与上述制作图5中紫外线感测元件50类似的步骤，其中，形成高浓度第一导电型表面掺杂区712和第二导电型掺杂区72的离子植入步骤可以使用相同的屏蔽，而高浓度第一导电型掺杂区73则宜使用不同的屏蔽、或给予不同的加热扩散时间。形成高浓度第一导电型表面掺杂区712、第二导电型掺杂区72、和高浓度第一导电型掺杂区73的离子植入步骤次序可以互换。
[0055]请参照图8，欲制作图8中的紫外线感测元件80时，可采用与上述制作图6中紫外线感测元件60类似的步骤，其中，形成高浓度第一导电型表面掺杂区812和第二导电型掺杂区82的离子植入步骤可以使用相同的屏蔽，而形成高浓度第一导电型掺杂区83的离子植入步骤、和形成高浓度第二导电型掺杂区84的离子植入步骤则宜使用不同的屏蔽、或给予不同的加热扩散时间。形成高浓度第一导电型表面掺杂区812、第二导电型掺杂区82、高浓度第一导电型掺杂区83、及高浓度第二导电型掺杂区84的离子植入步骤次序可以互换。
[0056]综上所述，本发明的紫外线感测元件及其制作方法至少具有下列特点。首先，在紫外线感测元件中，高浓度第一导电型掺杂区以及高浓度第二导电型掺杂区具有阻隔来自较长波段光线的漂移光电子，达到高讯噪比的紫外线感测品质。另外，本紫外线感测元件通过标准半导体制程进行制作，因此可有效地降低制作成本并具有较为简单的制作步骤。
[0057]以上所述，仅为本发明的较佳实施例，当不能以此限定本发明实施的范围，即大凡依本发明权利要求书及发明说明内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利涵盖的范围内。另外本发明的任一实施例或权利要求不须达成本发明所揭露的全部目的或优点或特点。此外，摘要部分和标题仅是用来辅助专利文件检索之用，并非用来限制本发明的权利范围。
【权利要求】
1.一种紫外线感测元件，供使用于一影像感测电路中，其特征在于，该紫外线感测元件包括: 一第一导电型基材，具有一受光面以供接收受感测光； 一第二导电型掺杂区，设置于该第一导电型基材内且邻接于该受光面；以及 一高浓度第一导电型掺杂区，邻接于该第二导电型掺杂区下方， 由此，在该高浓度第一导电型掺杂区形成电位障碍而阻隔较长波段光线所感应产生的光电子。
2.如权利要求1所述的紫外线感测元件，其中，又包括一高浓度第二导电型掺杂区，该高浓度第二导电型掺杂区邻接于该高浓度第一导电型掺杂区下方，由此，在该高浓度第二导电型掺杂区形成电位陷阱而阻隔较长波段光线所感应产生的光电子。
3.如权利要求2所述的紫外线感测元件，其中，该高浓度第二导电型掺杂区还包覆该高浓度第一导电型掺杂区的侧壁并延伸至该受光面。
4.如权利要求3所述的紫外线感测元件，其中，该高浓度第二导电型掺杂区连接至一预设电位。
5.如权利要求1所述的紫外线感测元件，其中，该高浓度第一导电型掺杂区还包覆该第二导电型掺杂区的侧 壁并延伸至该受光面。
6.如权利要求5所述的紫外线感测元件，其中，该高浓度第一导电型掺杂区连接至一预设电位。
7.如权利要求2所述的紫外线感测元件，其中，该第二导电型掺杂区的杂质距离该受光面的掺杂深度介于0.2微米以及2微米之间，该高浓度第一导电型掺杂区的杂质距离该受光面的掺杂深度介于0.6微米以及3微米之间，该高浓度第二导电型掺杂区的杂质距离该受光面的掺杂深度介于3微米以及6微米之间。
8.如权利要求1所述的紫外线感测元件，其中，该紫外线感测元件供使用于一三晶体管影像感测电路中。
9.一种紫外线感测元件，供使用于一影像感测电路中，其特征在于，该紫外线感测元件包括: 一第一导电型基材，具有一受光面以供接收受感测光； 一高浓度第一导电型表面掺杂区，设置于该第一导电型基材内且邻接于该受光面； 一第二导电型掺杂区，邻接于该高浓度第一导电型表面掺杂区下方；以及 一高浓度第一导电型掺杂区，邻接于该第二导电型掺杂区下方， 由此，在该高浓度第一导电型掺杂区形成电位障碍而阻隔较长波段光线所感应产生的光电子。
10.如权利要求9所述的紫外线感测元件，其中，还包括一高浓度第二导电型掺杂区，该高浓度第二导电型掺杂区邻接于该高浓度第一导电型掺杂区下方，由此，在该高浓度第二导电型掺杂区形成电位陷阱而阻隔较长波段光线所感应产生的光电子。
11.如权利要求10所述的紫外线感测元件，其中，该高浓度第二导电型掺杂区还包覆该高浓度第一导电型掺杂区的侧壁，并延伸至该受光面。
12.如权利要求11所述的紫外线感测元件，其中，该高浓度第二导电型掺杂区连接至一预设电位。
13.如权利要求9所述的紫外线感测元件，其中，该高浓度第一导电型掺杂区还包覆该第二导电型掺杂区的侧壁以及该高浓度第一导电型表面掺杂区的侧壁，并延伸至该受光面。
14.如权利要求13所述的紫外线感测元件，其中，该高浓度第一导电型掺杂区连接至一预设电位。
15.如权利要求9所述的紫外线感测元件，其中，该高浓度第一导电型表面掺杂区的杂质距离该受光面的掺杂深度介于0.02微米以及0.1微米之间，该第二导电型掺杂区的杂质距离该受光面的掺杂深度介于0.05微米以及0.2微米之间，以及该高浓度第一导电型掺杂区的杂质距离该受光面的掺杂深度介于0.05微米以及0.5微米之间。
16.权利要求1所述的紫外线感测元件，其中，该紫外线感测元件供使用于一四晶体管影像感测电路中。
17.一种紫外线感测元件的制作方法，该紫外线感测元件供使用于一影像感测电路中，其特征在于，包括: 提供一第一导电型基材，其具有一受光面以供接收受感测光； 在该受光面下方形成一第二导电型掺杂区；以及 在该第二导电型掺杂区下方形成一高浓度第一导电型掺杂区， 由此，在该高浓度第一导电型掺杂区形成电位障碍而阻隔较长波段光线所感应产生的光电子。
18.如权利要求17`所述的紫外线感测元件的制作方法，其中，该形成第二导电型掺杂区的步骤与该形成高浓度第一导电型掺杂区的步骤使用相同的屏蔽。
19.如权利要求17所述的紫外线感测元件的制作方法，其中，该高浓度第一导电型掺杂区包覆第二导电型掺杂区的侧壁并延伸至受光面，且该高浓度第一导电型掺杂区连接于一预设电位。
20.如权利要求17所述的紫外线感测元件的制作方法，其中，还包括: 在该高浓度第一导电型掺杂区下方形成一高浓度第二导电型掺杂区，由此，在该高浓度第二导电型掺杂区形成电位陷阱而阻隔较长波段光线所感应产生的光电子。
21.如权利要求20所述的紫外线感测元件的制作方法，其中，该形成第二导电型掺杂区的步骤、该形成高浓度第一导电型掺杂区的步骤、以及该形成高浓度第二导电型掺杂区的步骤使用相同的屏蔽。
22.如权利要求20所述的紫外线感测元件的制作方法，其中，该高浓度第二导电型掺杂区包覆该第一导电型掺杂区的侧壁并延伸至受光面，且该高浓度第二导电型掺杂区连接于一预设电位。
23.一种紫外线感测元件的制作方法，该紫外线感测元件供使用于一影像感测电路中，其特征在于，包括: 提供一第一导电型基材，其具有一受光面以供接收受感测光； 在该受光面下方形成一高浓度第一导电型表面掺杂区； 在该高浓度第一导电型表面掺杂区下方形成一第二导电型掺杂区；以及 在该第二导电型掺杂区下方形成一高浓度第一导电型掺杂区， 由此，在该高浓度第一导电型掺杂区形成电位障碍而阻隔较长波段光线所感应产生的光电子。
24.如权利要求23所述的紫外线感测元件的制作方法，其中，该形成高浓度第一导电型表面掺杂区的步骤、该形成第二导电型掺杂区的步骤、与该形成高浓度第一导电型掺杂区的步骤使用相同的屏蔽。
25.如权利要求23所述的紫外线感测元件的制作方法，其中，该高浓度第一导电型掺杂区包覆第二导电型掺杂区的侧壁并延伸至受光面，且该高浓度第一导电型掺杂区连接于一预设电位。
26.如权利要求23所述的紫外线感测元件的制作方法，其中，还包括: 在高浓度第一导电型掺杂区下方形成一高浓度第二导电型掺杂区，由此，在该高浓度第二导电型掺杂区形成电位陷阱而阻隔较长波段光线所感应产生的光电子。
27.如权利要求26所述的紫外线感测元件的制作方法，其中，该形成第二导电型掺杂区的步骤、该形成高浓度第一导电型掺杂区的步骤、以及该形成高浓度第二导电型掺杂区的步骤使用相同的屏蔽。
28.如权利要求26所述的紫外线感测元件的制作方法，其中，该高浓度第二导电型掺杂区包覆该第一导电型掺杂区的侧壁并延伸至受光面，且该高浓度第二导电型掺杂区连接于一预设电位。
【文档编号】H01L31/18GK103531649SQ201210233262
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2012年7月6日 优先权日:2012年7月6日
【发明者】刘汉琦, 潘焕堃, 冈本英一 申请人:原相科技股份有限公司