发光二极管及其制造方法
【专利摘要】一种发光二极管制造方法，该制造方法包括步骤：提供金属基板，该金属基板包括第一表面与第二表面，该第一表面开设凹槽形成固晶区与打线区，固晶区与打线区通过凹槽隔开，固晶区内具有凹陷；在该凹陷内设置LED芯片并通过导线电连接打线区；形成封装层覆盖固晶区及打线区；去除金属基板位于封装层下方避开固晶区及打线区的部分，使固晶区与打线区分离。由于该发光二极管无需借助底板作支撑，并且除了作为固晶区域打线区外的其他作为连接的金属基板部分均被完全蚀刻，因此发光二极管整体厚度变薄，适用于更多薄型化设计的产品中。本发明还提供一种发光二极管。
【专利说明】发光二极管及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。
【背景技术】
[0002]LED (Light-emitting diode,发光二极管)产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，因此被认为是新世代绿色节能照明的最佳光源。目前普遍应用于市场的LED产品由于需借助底板支撑LED的电极及反射杯，因此总体较厚，导致利用LED作为发光器件的灯具也无法做成厚度较小的外形。因此，目前的LED产品无法适应薄型化产品的发展趋势。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，有必要提供一种薄型化发光二极管的制造方法。
[0004]一种发光二极管制造方法，该制造方法包括步骤:提供金属基板，该金属基板包括第一表面与第二表面，该第一表面开设凹槽形成固晶区与打线区，固晶区与打线区通过凹槽隔开，固晶区内具有凹陷；在该凹陷内设置LED芯片并通过导线电连接打线区；形成封装层覆盖固晶区及打线区；去除金属基板位于封装层下方避开固晶区及打线区的部分，使固晶区与打线区分离。
[0005]—种发光二极管，包括反射杯、第一电极与第二电极、封装层、设置于该反射杯中的LED芯片以及电连接该LED芯片与该第一电极、第二电极的导线,该反射杯与该第一电极、第二电极相离设置，该封装层连接该反射杯与该第一电极、第二电极的顶部。
[0006]由于该发光二极管无需借助底板作支撑，并且除了作为固晶区域打线区外的其他作为连接的金属基板部分均被完全蚀刻，因此发光二极管整体厚度变薄，适用于更多薄型化设计的产品中。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是本发明发光二极管制造方法的第一步骤。
[0008]图2是本发明发光二极管制造方法的第二步骤。
[0009]图3是本发明发光二极管制造方法的第三步骤。
[0010]图4是本发明发光二极管制造方法的第四步骤。
[0011]图5是本发明发光二极管制造方法的第五步骤。
[0012]图6是本发明发光二极管制造方法的第六步骤。
[0013]图7是本发明发光二极管制造方法的第七步骤。
[0014]图8是本发明发光二极管制造方法制造完成的发光二极管示意图。
[0015]图9是本发明第二实施例的发光二极管制造方法的制造金属基板的步骤。
[0016]主要元件符号说明
【权利要求】
1.一种发光二极管制造方法，该制造方法包括步骤: 提供金属基板，该金属基板包括第一表面与第二表面，该第一表面开设凹槽形成固晶区与打线区，固晶区与打线区通过凹槽隔开，固晶区内具有凹陷； 在该凹陷内设置LED芯片并通过导线电连接打线区； 形成封装层覆盖固晶区及打线区； 去除金属基板位于封装层下方避开固晶区及打线区的部分，使固晶区与打线区分离。
2.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于:该金属基板包括第一金属层与第二金属层，该第二金属层设置于该第一金属层上并形成该隔开的固晶区与打线区。
3.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于:蚀刻该第一金属层与该第二金属层，于固晶区上形成该凹陷，于该固晶区与该打线区之间形成凹槽。
4.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于:该封装层包括填满该凹陷的突光粉层。
5.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于:形成封装层覆盖固晶区及打线区的步骤之后还包括设置第三金属层于该基板第二表面的步骤。
6.如权利要求5所述的发光二极管制造方法，其特征在于:该第三金属层与该金属基板由相同材质制成，且该第三金属层的厚度大于该金属基板位于固晶区及打线区之外的部分的厚度。
7.如权利要求5所述的发光二极管制造方法，其特征在于:利用湿式蚀刻法蚀刻该第三金属层与金属基板避开固晶区及打线区的部分。
8.如权利要求4所述的发光二极管制造方法，其特征在于:该荧光粉层掺有荧光粉，该荧光粉层先形成于该凹陷中，该封装层再形成覆盖该固晶区。
9.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于:包括二打线区，该二打线区分布于该固晶区的两侧。
10.一种发光二极管，包括反射杯、第一电极与第二电极、封装层、设置于该反射杯中的LED芯片以及电连接该LED芯片与该第一电极、第二电极的导线，其特征在于:该反射杯与该第一电极、第二电极相离设置，该封装层连接该反射杯与该第一电极、第二电极的顶部。
【文档编号】H01L33/00GK103531670SQ201210233023
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2012年7月6日 优先权日:2012年7月6日
【发明者】陈滨全, 张超雄, 林新强 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司