专利名称：一种半导体晶粒的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种半导体晶粒，具体地说是涉及一种致冷件上的晶粒。
背景技术：
致冷件是利用晶粒通电而致冷致热的，晶粒的主要成分是三碲化铋，使用时晶粒粘接在瓷板上，现有技术中，使用的晶粒没有外层结构，这样的晶粒致冷致热效率达到85%,还有待于进一步的提尚。 发明内容本实用新型的目的就是针对上述缺点，提供ー种使致冷件转化率更高的半导体晶粒。本实用新型的技术方案是这样实现的ー种半导体晶粒，包括晶粒本体，晶粒本体是三締化ニ秘，其特征是所述的晶粒本体外边还有締化铷层。进ー步的讲，所述的碲化铷层的厚度是O. I O. 01毫米。本实用新型的有益效果是这样的晶粒安装在致冷件上电能的转化效率高达87%，进ー步的提高了使用效率。
图I是本实用新型的结构示意图。其中I、晶粒本体2、碲化铷层。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进ー步的描述。如图I所示,ー种半导体晶粒,包括晶粒本体I,晶粒本体I是三締化ニ秘,其特征是所述的晶粒本体I外边还有締化铷层2。进ー步的讲，所述的碲化铷层2的厚度是O. I O. 01毫米。
权利要求1.ー种半导体晶粒,包括晶粒本体,晶粒本体是三締化ニ秘,其特征是所述的晶粒本体外边还有締化铷层。
2.根据权利要求I所述的半导体晶粒，其特征是所述的碲化铷层的厚度是O.I O.Ol毫米。
专利摘要本实用新型涉及一种半导体晶粒，具体地说是涉及一种致冷件上的晶粒，是一种半导体晶粒，包括晶粒本体，晶粒本体是三碲化二铋，所述的晶粒本体外边还有碲化铷层，所述的碲化铷层的厚度是0.1～0.01毫米，这样晶粒安装在致冷件上电能的转化效率高达87％，进一步的提高了使用效率。
文档编号H01L35/16GK202651207SQ201220238260
公开日2013年1月2日 申请日期2012年5月17日 优先权日2012年5月17日
发明者刘宝成 申请人:河南恒昌电子有限公司