一种新型的大安培玻璃钝化晶粒预焊结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种新型的大安培玻璃钝化晶粒预焊结构。
【背景技术】
[0002]现行大安培钝化晶粒材料采用铜粒预焊有两种结构方式:(I)大铜粒预焊，铜粒直接焊接压迫在玻璃钝化层上，易出现因铜材和玻璃膨胀系数相差较大而引起玻璃钝化层破损，从而材料出现失效，；(2)小铜粒预焊，该结构P面铜粒较小，不能很好的保护晶粒，晶粒P面的暴露，在周转过程中易引起晶粒破损；同时铜粒缩小，晶粒散热能力降低，影响材料热阻。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种新型的大安培玻璃钝化晶粒预焊结构，解决现有技术中可散热能力低、易破损的技术问题；
[0004]本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:
[0005]一种新型的大安培玻璃钝化晶粒预焊结构，包括P面铜粒、晶粒和N面铜粒，所述晶粒上表面两端开有弧形槽，所述P面铜粒设置在晶粒上方，且P面铜粒下方开设有梯台，所述梯台位于弧形槽之间，所述N面铜粒设置在晶粒下方；
[0006]在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进:
[0007]进一步，所述晶粒上表面设置有玻璃钝化层；
[0008]进一步，所述梯台的宽度为P面铜粒宽度的2/3-3/4 ；
[0009]本实用新型通过在P面铜粒下方开设梯台，能够完全保护晶粒的同时，避免了铜粒压迫在玻璃边上，而且没有降低晶粒散热能力；
[0010]本实用新型的有益效果是:
[0011]1.本实用新型中，晶粒包裹完全，有效保护晶粒，能够避免因二次组装焊接过程的碰撞而引起的晶粒损伤；
[0012]2.本实用新型在完全保护晶粒的同时，避免了铜粒压迫在玻璃边上，提升了材料耐高低温冲击的能力，提升了电性品质；
[0013]3.本实用新型在完成大安培桥式电流焊接时，能有效提升材料散热，提升材料在结温恒定下的通过大电流的水平。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型具体实施例所述的一种新型的大安培玻璃钝化晶粒预焊结构的主视图；
[0015]附图中，各标号所代表的部件列表如下:
[0016]1、P面铜粒，2、晶粒，3、N面铜粒，4、弧形槽，5、梯台，6、玻璃钝化层。
【具体实施方式】
[0017]以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
[0018]一种新型的大安培玻璃钝化晶粒预焊结构，包括P面铜粒1、晶粒2和N面铜粒3，所述晶粒2上表面两端开有弧形槽4，所述P面铜粒I设置在晶粒2上方，且P面铜粒I下方开设有梯台5，所述梯台5位于弧形槽4之间，所述N面铜粒3设置在晶粒2下方，所述晶粒2上表面设置有玻璃钝化层6，所述梯台5的宽度为P面铜粒2宽度的2/3-3/4 ；
[0019]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种新型的大安培玻璃钝化晶粒预焊结构，其特征在于，包括P面铜粒、晶粒和N面铜粒，所述晶粒上表面两端开有弧形槽，所述P面铜粒设置在晶粒上方，且P面铜粒下方开设有梯台，所述梯台位于弧形槽之间，所述N面铜粒设置在晶粒下方。2.根据权利要求1所述的一种新型的大安培玻璃钝化晶粒预焊结构，其特征在于，所述晶粒上表面设置有玻璃钝化层。3.根据权利要求2所述的一种新型的大安培玻璃钝化晶粒预焊结构，其特征在于，所述梯台的宽度为P面铜粒宽度的2/3-3/4。
【专利摘要】本实用新型涉及一种新型的大安培玻璃钝化晶粒预焊结构，包括P面铜粒、晶粒和N面铜粒，晶粒上表面两端开有弧形槽，P面铜粒设置在晶粒上方，且P面铜粒下方开设有梯台，梯台位于弧形槽之间，N面铜粒设置在晶粒下方，本实用新型散热能力高、电性品质高。
【IPC分类】H01L23/367, H01L23/488, H01L23/31
【公开号】CN204651305
【申请号】CN201520278754
【发明人】高定健, 郭秋芳, 许超
【申请人】扬州虹扬科技发展有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年4月30日