专利名称：一种多晶硅片制绒花蓝装置的制作方法
技术领域：
—种多晶硅片制绒花蓝装置技术领域[0001]本实用新型涉及一种盛放多晶硅片的装置，特别涉及一种多晶硅片制绒花蓝装置。
背景技术：
[0002]多晶硅片目前主要采用化学腐蚀(酸性腐蚀)制绒方法，使用基于HF/HN03体系的酸性腐蚀液。一般将多晶硅片放置在花篮中，浸泡在制绒液内，花篮处于静止状态。由于在不同温度下，硅片的反应速度相差很大，反应温度越高反应速率越快，因此一般的制绒装置存在反应液和温度不均匀、制绒质量不理想的缺点，并且无法调整和改善绒面陷光性能。发明内容[0003]为了克服上述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种多晶硅片制绒花蓝装置，能够通过对花篮旋转速度的调整，改变硅片表面的反应速度和气泡停留速度，具有可以改善反应均匀性和制绒质量的特点。[0004]为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为一种多晶硅片制绒花蓝装置，包括花篮1，在花篮I上设有悬挂装置2，花篮I通过悬挂装置2浸在酸性制绒液4中，悬挂装置2上接有电机3。[0006]由于本实用新型中的电机旋转后可以带动花篮进行旋转动作，通过对旋转速度的调整，可以改变硅片表面的反应速度和气泡停留速度，起到调整和改善绒面陷光性能的作用，所以具有可以改善反应均匀性和制绒质量的特点。
[0007]附图为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
[0008]
以下结合附图对本实用新型作进一步详细描述。[0009]参见附图，一种多晶硅片制绒花蓝装置，包括花篮1，在花篮I上设有悬挂装置2， 花篮I通过悬挂装置2浸在酸性制绒液4中，悬挂装置2上接有电机3。[0010]本实用新型的工作原理是[0011]使用时，将多晶硅片放置在花篮I中，将花篮I浸在酸性制绒液4中，同时开启电机3，带动花篮I进行旋转动作，调整旋转的速度，进行化学腐蚀(酸性腐蚀)制绒。
权利要求1.一种多晶硅片制绒花蓝装置，包括花篮(1)，其特征在于，在花篮(I)上设有悬挂装置(2)，悬挂装置(2)上接有电机(3)。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅片制绒花蓝装置，其特征在于，花篮(I)通过悬挂装置(2)浸在酸性制绒液(4)中。
专利摘要一种多晶硅片制绒花蓝装置，包括盛装多晶硅片的花篮，在花篮上设有悬挂装置，花篮通过悬挂装置浸在酸性制绒液中，悬挂装置上接有电机，使用时，将多晶硅片放置在花篮中，将花篮浸在酸性制绒液中，同时开启电机，带动花篮进行旋转动作，调整旋转的速度，进行化学腐蚀或酸性腐蚀制绒，本实用新型通过对电机旋转速度的调整，可以改变硅片表面的反应速度和气泡停留速度，起到调整和改善绒面陷光性能的作用，可以改善反应均匀性和制绒质量。
文档编号H01L21/673GK202839562SQ20122046182
公开日2013年3月27日 申请日期2012年9月11日 优先权日2012年9月11日
发明者袁作臻 申请人:彩虹集团公司