用于制造通过剥离来分离的复合结构的方法

用于制造通过剥离来分离的复合结构的方法
【专利摘要】本发明涉及一种用于制造包括要被通过照射分离的层（215）的复合结构（225）的方法，所述方法包括包含以下各项的叠层的形成：由在确定的波长下至少部分地是透明的材料形成的支承基板（205）；要被分离的层（215）；以及夹在所述支承基板与要被分离的所述层之间的分离层（210），所述分离层适合于在具有与所确定的波长相对应的波长的辐射（222a）的作用下通过剥离被分离，所述方法还包括：在用于形成复合步骤的步骤期间，改变在所述支承基板与所述分离层之间的界面（206）处的光学反射属性或在所述支承基板的上表面（205a）上的光学反射属性的处理步骤。
【专利说明】用于制造通过剥离来分离的复合结构的方法
【背景技术】
[0001]本发明涉及复合(或多层)半导体结构的制造领域，并且更具体地涉及例如在将层从初始支承转移到最后支承的范围内通过剥离来使得能够分离复合结构的一个或更多个层的分离方法。
[0002]在复合结构的制造领域中，能够装配和/或分离膜或层(例如半导体层或绝缘层)常常是有用的。这样的分离是特别必要的以将层从初始基板转移到最终基板。这些转移例如在三维元件技术的实施期间被执行，所述三维元件技术包含在同一层的两面(“正面”和“背面”)上形成电子元件、光生伏打元件和/或光电元件(3D集成)。层转移还被执行以在背面照明成像器的制造期间转移电路。层的转移对于改变其上形成有一个或更多个层的基板也是有用的，以使新的基板具体地在成本、物理特性(电池大小、热稳定性...)等方面满足要求。
[0003]例如在专利文献EP0858110中描述了薄膜转移的方法。该方法具体地提供了借助于通过剥离来分离的技术的膜的分离，该技术具体地需要穿过透明基板来照射复合结构。
[0004]现将参照图1来描述用于制造复合结构的方法(步骤SI和S2)和通过剥离来分离的方法(步骤S3和S4)的示例性实施方式。
[0005]首先，所谓的分离层10 (或光学吸收层)通过接合而被装配在支承基板5的一个面上(步骤SI)。如在下面更详细地指示的那样，支承基板5在预定的波长下至少部分地是透明的。
[0006]层15 (还被称为“要分离的层”)通过接合而被随后装配在层10的与和支承基板5相接触的面相对侧的面上，以获得复合结构25 (步骤S2)。
[0007]应当注意的是，层5、10以及15在步骤SI和S2期间的装配可以借助于任何适合的装配技术来执行，所述任何适合的装配技术例如是分子黏附键合或包含中间键合层的技术。
[0008]此外,层10和15未必一定通过接合来装配以形成复合结构25。作为变体,层10和15中的至少一个可以借助于合适的沉积技术来形成。例如可以通过PECVD (“等离子体增强化学汽相沉积”)或LPCVD (“低压CVD”)沉积来形成分离层10。
[0009]一旦已形成了复合结构25，就可以通过剥离来执行分离层10的分离。该方法使得可以使层15与支承基板5分离。
[0010]为此目的，分离层10借助于穿过支承基板5的电磁辐射20而被照射(步骤S3)。辐射20是处于支承基板5至少部分地是透明的波长下。在这里，“部分地透明”意在表示这样的基板，即，该基板在所讨论的波长下的透射率至少是10%并且优选地大于或等于50%。如在下面所指示的那样，所需的透明度的等级将根据分离层10所接收的电磁波束20的能
量而变化。
[0011]在该照射步骤S3期间，分离层10吸收穿过在支承基板5与分离层10之间的界面8的入射光。该照射导致分离层10的材料中的原子或分子之间的附着力减小或消除。这是因为，在辐射20的作用下，构成分离层10的材料经历导致原子链或分子链被破坏的光化学激发和/或热激发。这些破坏因此引起分离层10通过剥离被分离，或者在层10的实际厚度上(所谓的“内部”剥离)，或者在层10与支承基板5之间的界面8处，或者在层10与要被分离的层15之间的界面12处(“外部”剥离)。这种剥离现象还可以包含由分离层10的材料在辐射20的作用下所释放的一种或更多种气体。
[0012]应该注意的是，由辐射20所引发的分离未必一定导致在分离层10中(或在界面8与12中的一个处)分开或实际的分离，但可以仅仅导致分离层10的材料的消减。在后者情况下，需要施加附加的能量(例如，以机械力的形式)，以获得支承基板5与层15之间的实际分离(在实际上希望这样的分离的情况下)。
[0013]一旦基板5和层15已被完全地分离(步骤S4)，就可以为了形成新的复合结构来循环利用支承基板5。
[0014]一般地，根据图1的布局所产生的复合结构通常具有以下合成物中的一种:
[0015]-GaN/Al203，其对应于由GaN构成的分离层10以及由蓝宝石构成的支承基板5 ；
[0016]-Si3N4Al2O3，其对应于由Si3N4构成的分离层10以及由蓝宝石构成的支承基板5。
[0017]关于这些合成物，在通过剥离而分离的质量方面的结果通常是令人满意的。例如，当沉积在蓝宝石基板上的GaN层被分离时，在良好的条件下施加辐射20 (典型地在190nm与250nm之间的波长下)，并且在没有任何特定困难的情况下实现了分离。
[0018]然而，本 申请人:已经观察到，当该分离方法被应用于复合结构25的其它合成物时，结果会显著地退化。例如，对于Si02/Si类型(B卩，硅上的二氧化硅)的复合结构25，通过剥离来分离是更加困难的。本 申请人:已经根据所研究的批次观察到了在通过剥离进行分离的质量方面的大变化，并且一般而言，不太均匀的分离要求更多地曝露于辐射。
[0019]因此，当前需要更好地适合于通过剥离来分离的方法的复合结构，而与所讨论的复合结构的组分无关。具体地需要适合于在良好的条件下通过剥离来进行分离的非常规合成物的复合结构。
[0020]
【发明内容】
和目的
[0021]为此目的，本发明涉及一种用于制造包括要通过照射来分离的层的复合结构的方法，所述方法包括至少包含以下各项的叠层的形成:
[0022]-在确定的波长下由至少部分的透明的材料所形成的支承基板；
[0023]-要分离的层；以及
[0024]-夹在所述支承基板与所述要分离的层之间的分离层，所述分离层适合于在具有与所述确定的波长相对应的波长的辐射的作用下通过剥离被分离，
[0025]所述制造方法还包括至少一个处理步骤，所述至少一个处理步骤在用于形成复合叠层的步骤期间改变在所述支承基板与所述分离层之间的界面处的光学反射属性或者改变所述基板的在与所述分离层接触的面的相对侧上的所述支承基板的上表面上的光学反射属性。
[0026]然后可以对本发明的复合结构应用通过剥离来进行分离的方法，以使要分离的层与支承基板分开。为此目的，电磁波被施加于支承基板，所述支承基板将电磁波部分地透射到下面分离层。
[0027]改变光学反射属性的处理步骤有利地使得可以在通过剥离来进行分离的方法期间在以这种方式处理的一个或更多个界面处限制或者避免光束的反射。[0028]本发明的复合结构因此使得可以在通过剥离来分离的方法期间根据支承基板的厚度来减少透射能量的变化，并且可以最大化实际上透射到分离层的能量。在支承基板与要被分离的层之间通过剥离来进行分离的质量和可再生产性因此被大大地提高。所述方法具体地使得可以对具有与通常使用的组分不同的组分的并且对光学界面特别敏感的复合结构执行通过剥离来进行分离。
[0029]根据本发明的第一实施方式，所述处理步骤包括在所述支承基板与所述分离层之间的界面处和/或在所述支承基板的上表面上形成至少一个抗反射层。
[0030]该抗反射层的作用是组合反相的两个反射以它们是相消的，这有利地使得在通过剥离来进行分离的方法期间可以减少或者防止被支承基板所透射的光辐射的任何反射。穿过支承基板到达分离层的透射的光能量因此被最大化，这使得可以显著地提高通过剥离来进行分离的质量。
[0031]抗反射层的折射率n2优选地大致等于，其中nl和n3分别是支承基板的折射率和分离层的折射率。甚至更优选地，n2=。
[0032]将光学指数n2设置在接近于(例如，在±10%内或甚至在±5%内)或等于x?3
的值处有利地使得可以将在通过剥离来进行分离的方法的照射步骤期间的不需要的反射限制到最小。
[0033]此外，分离层可以包括加热子层和剥离子层，剥离子层适合于在由加热子层所引发的加热的作用下被分解。
[0034]在特定实施方式中，支承基板由硅构成，加热子层由二氧化硅构成，剥离子层由Si3N4构成以及抗反射层由SiON构成，所述抗反射层的折射率大致等于(或等同于)2.61。
[0035]根据第一实施方 式的变体，当抗反射层形成在所述支承基板与所述分离层之间的所述界面处时，所述抗反射层的组分在其厚度上逐渐地变化，使得所述抗反射层的折射率n2在所述抗反射层与所述支承基板的界面处等于nl并且在所述抗反射层与所述分离层的界面处等于n3。
[0036]该变体有利地使得可以避免在复合结构中所包含的界面处的光学指数的显著跳跃。在抗反射层与支承基板之间的界面处的反射因此被最小化。
[0037]根据该变体，分离层可以包括由二氧化硅构成的加热子层和由Si3N4构成的剥离子层，所述剥离子层适合于在由加热子层所引发的加热的作用下分解，支承基板由硅构成，并且抗反射层的组分可以由SiOx构成，其中X在O与2之间逐渐变化。
[0038]如上面所指示的那样，抗反射层可以被形成在支承基板的上表面上。如果是这种情况，则抗反射层的组分可以在其厚度上逐渐变化，使得所述抗反射层的折射率n2在所述抗反射层与所述支承基板的界面处等于nl并且在所述抗反射层与所述支承基板的所述界面的相对侧的上表面处等于n0，nO是在所述照射期间所述复合结构被放入的介质的折射率。
[0039]组分的这种逐渐变化有利地使得可以避免在支承基板的上面与复合结构被放入的周围介质之间的界面处的光学指数的显著跳跃。在支承基板的上表面处的反射因此将被最小化，这使得可以在分离方法期间让最大光能量透射到分离层。
[0040]此外，当抗反射层被形成在支承基板与分离层之间的界面处时，抗反射层的厚度(表示为el)优选地大致等于(2M+1).λ/4，M是大于或等于O的奇整数并且λ是所确定的波长。甚至更优选地，el=(2M+l).λ/4。通过以这种方式调整抗反射层的厚度，可以将其反射减少到最小。
[0041]根据本发明的第二实施方式，所述处理步骤包括在支承基板与分离层之间的界面处和/或在支承基板的上表面上形成至少一个粗糙层，所述粗糙层在等于要用所述辐射来进行照射的所述上表面的区域的尺寸至少三倍的测量区域上具有大于或等于50 A rms的平均粗糙度水平。
[0042]这样的粗糙层的形成有利地使得可以改变在所讨论的界面处的物理属性，后者被从镜面状态转换为漫射状态。这使本发明的复合结构对相长和相消光学干涉两者不敏感或不是很敏感(见下面)。
[0043]粗糙层的形成可以至少通过机械研磨或化学蚀刻来执行。
[0044]关于该，本发明还涉及一种用于使层从如上面所描述的本发明的复合结构分离的方法。所述分离方法包括借助于与所述支承基板在其下至少部分地是透明的波长相对应的入射光穿过所述结构的支承基板来照射分离层，以通过所述分离层的剥离来引发消减或分离。
[0045]本发明还涉及一种包括由至少以下各项形成的复合叠层的复合结构:
[0046]由在确定的波长下至少部分的透明的材料所形成的支承基板；
[0047]要通过照射来分离的层；以及
[0048]夹在所述支承基板与所述要分离的层之间的分离层，所述分离层适合于在具有与所述确定的波长相对应的波长的辐射的作用下通过剥离被分离，
[0049]所述复合结构还包括至少一个层，所述至少一个层改变在所述支承基板与所述分离层之间的界面处的光学反射属性或者改变所述基板的在与所述分离层接触的面的相对侧上的所述支承基板的上表面上的光学反射属性。
[0050]参照根据本发明的制造方法，上面所说明的实施方式和优点类似地适用于本发明的复合结构。
[0051]根据特定的实施方式，改变光学反射属性的每个层分别对应于抗反射层和/或在5 μ mX5 μ m的区域上具有大于或等于50 A rms的平均粗糙度水平的粗糙层。
[0052]此外，所述结构可以包括:改变与抗反射层相关的光学反射属性的至少一个层；以及改变与粗糙层相关的光学反射属性的至少一个层。
【专利附图】

【附图说明】
[0053]参照附图并根据下面给出的描述，本发明的其它特征和优点将变得明显，附图例示了不暗示限制的本发明的示例性实施方式。在图中:
[0054]图1示意性地表示用于制造复合结构的已知方法(步骤SI和S2)，以及应用于所述结构的通过剥离来分离的方法(步骤S3和S4)；
[0055]图2示意性地例示了光学干涉在复合结构的支承基板中的产生机制；
[0056]图3A和3B示意性地表示根据本发明的第一实施方式的用于制造复合结构的方法(步骤S10-S14)，以及应用于所述结构的通过剥离来进行分离的方法(S16-S18)；
[0057]图4A和4B示意性地表示根据本发明的第二实施方式的用于制造复合结构的方法(步骤S110-S114)，以及应用于所述结构的通过剥离来进行分离的方法(S116-S118)；
[0058]图5A和5B示意性地表示根据本发明的第二实施方式的两种变体的复合结构的照射。
【具体实施方式】
[0059]本发明涉及能够在良好条件下通过剥离而被分离的复合结构，甚至对于通常不提供良好的结果的组分也适用。
[0060]本 申请人:已进行了研究，使得可以演示导致执行通过剥离来分离的方法所遇到的困难的物理机制。该研究已经具体地演示了在支承基板中发生的光学干涉在复合结构的照射期间的作用。
[0061]现将参照图2对该机制进行描述。该图表示如以上参照图1所描述的复合结构25。
[0062]图2具体地表示在照射步骤S3期间到达支承基板5的曝露的表面5a的入射光线22a。针对遇到半吸收介质的任何光线,光线22a的一部分(未表不)在基板5的上表面5a处被反射，同时一部分22b被透射到支承基板5中。在它穿过支承基板5的层期间，透射的光线22b的一部分被吸收并且剩余的部分到达在支承基板5与分离层10之间的界面8。界面8再次充当光学瞄准器，以使光线22b被部分地反射(反射光线22d)，并且剩余部分22c透射到分离层10中。反射光线22d再次遇到上表面5a，并且导致支承基板5内的新的内部反射过程。
[0063]然而，穿过支承基板5的层的各种光线(22b、22d、22e…)与彼此相互作用，以根据它们的相位偏移来产生具有更高强度的波(这被称为相长干涉)或具有更低强度的波(这被称为相消干涉)。这些干涉现象引起由本 申请人:所观察到的与由支承基板透射到分离层的辐射能量相关的强烈的变化和显著的减少。
[0064]更具体地，研究已经表明，干涉的等级极大程度上取决于由辐射在曝露的表面5a处和在界面8处所遇到的光学指数(或折射率)的跳跃。理想地，应该使所包含的各种材料之间的光学指数差最小化。关于常规的复合结构的组分(即，GaNAl2O3或Si3N4Al2O3),情况是特别好的，这是因为指数跳跃对于具有在150nm与300nm之间的波长的辐射来说至多是0.87 (蓝宝石和Si3N4的光学指数分别是1.87和2.27)。
[0065]另一方面，对于Si02/Si组分，其中，二氧化娃和娃的光学指数对于具有超过
1.5 μ m的波长的辐射分别是1.992和3.42，情况不太好。如果曝露的表面5a与空气(具有等于I的指数)接触，则例如对于具有9.3 μ m的波长的辐射获得了非常大的光学指数的跳跃(在各层之间大约2.4或1.4)。光学指数中的这些大的跳跃导致在步骤S3期间透射到分离层10的光强度中产生非常强烈的变化。
[0066]此外，在由二氧化硅构成的分离层以及由硅构成的支承基板的上述情况下，干涉关于支承基板的厚度的灵敏度水平是极端的。具体地，在1.35 μ m的硅厚度阶段下观察到最大的透射强度。换句话说，当考虑对于达到了透射最大值的由硅构成的支承基板的厚度L时，对于厚度L+1.35/2 μ m大体上将获得透射最小值，并且对于厚度L+1.35 μ m将达到新的透射最大值。这意味着必须控制具有比0.675 μ m更好的精度水平的由娃构成的支承基板的厚度，以避免辐射到分离层中的透射的显著变化。这样的控制水平对于由硅构成的支承基板当前不是可设想的，对于200mm和300mm的晶圆直径，由娃构成的支承基板的厚度通常分别以大约5 μ m和1.5 μ m的幅度变化(总厚度变化或“TTV”)。
[0067]因此，对于诸如那些由硅构成的基板的厚度的控制等级是不足的，这导致如上面所说明的透射能量中的变化的问题。
[0068]透射和光学干涉的问题至今尚未被有效地解决，特别是因为它们对传统的合成物的复合结构具有有限的影响。本 申请人:因此已开发了使得可以克服前述缺点并且与所讨论的结构的组分无关的新的复合结构。
[0069]现将参照图3A和3B来描述根据本发明的第一实施方式的复合结构。这些图表示能够获得该复合结构的制造方法的示例(步骤SlO至S14)，以及应用于所述结构的通过剥离来进行分离的方法(步骤S16至S18)。
[0070]如在图3A中所表示的那样，厚度el的抗反射层106首先通过沉积被形成在支承基板105的表面105b上(步骤SlO)。可以通过任何适合的沉积技术(例如，PECVD或LPCVD沉积)或任何其它适合的层形成技术来生成抗反射层106。还可以想到通过接合将抗反射层106装配在支承基板105的面105b上。将在下面更详细地说明该层106的目的和特性。
[0071]在这里所描述的示例中，支承基板105由硅构成。
[0072]分离层110通过接合随后被装配在抗反射层106的暴露的面上，即，在与支承基板105接触的面相对侧的面上(步骤S12)。
[0073]要分离的层115还通过接合被装配在分离层110的暴露的面上，以形成复合结构125 (步骤 S14)。
[0074]不必一定通过接合来装配层110和115以形成复合结构125。作为变体，层110和115中的至少一个可以借助于适合的沉积技术来形成。例如可以通过PECVD或LPCVD沉积来形成分尚层110。
[0075]—旦形成了结构125，就可以通过剥离来将分离层110分离，使层115可以与支承基板105分开(步骤S16和S18)。应当注意的是，复合结构125可以在执行通过剥离来进行分离的方法之前经历补充的技术步骤。可选地在已经对层115的背面执行了技术步骤(形成元件等)之后，一个或更多个层可以具体地形成或装配在层115 (例如，最终的基板)的暴露的面上。
[0076]为了使层115与支承基板105分离，首先将电磁辐射120穿过支承基板105施加到分离层110上(步骤S16)。波束形式的该辐射具有波长λ，在所述波长λ下支承基板105至少部分地是透明的。在该波长下，基板105具有至少10%并且优选地大于或等于50%的透射率。然而，可以通过提高在步骤S16期间施加的波束的能量(例如，通过集中波束)来补偿低透射率。
[0077]在本文所设想的示例中，分离层110可以包括所谓的第一加热子层(例如，由二氧化硅构成)和所谓的第二剥离子层(例如，由Si3N4构成)。加热子层的功能是在步骤S16期间照射的作用下引发加热。剥离子层的功能是在(通过热传导)从加热子层透射的热能的作用下导致分离层110通过剥离而分离。剥离子层适合于在由加热子层在照射期间所引发的加热的作用下分解或者消减。
[0078]在变体中，分离层110包括同时地实现加热和剥离的功能的至少一个子层。
[0079]对于抗反射层106，它具有这样的效果，即，组合反相的两个反射以使它们是相消的，这有利地使得可以减少或者防止由支承基板105所透射的光辐射的任何反射，同时将去往分离层110的透射最大化。因此，抗反射层的功能和反射镜类型的层的功能相反，这将使在支承基板105与分离层110之间的界面处的反射最大化。在这点上，层106构成了这样的层，即，该层改变在支承基板105与分离层110之间的界面处的光学反射属性。
[0080]如参照复合结构25所指示的那样，由辐射120所引发的分离在分离层110中不必一定导致分开或实际分离，但可以仅导致层110的消减，要求随后施加附加的能量(例如，以机械力的形式)，以获得支承基板105与层115之间的实际的分开。
[0081]一旦基板105和层115被完全地分离(步骤S18)，就可以为了形成新的复合结构来循环使用支承基板105。该循环使用可以可选地包含抗反射层106的去除。
[0082]为了在照射步骤S16期间尽可能地防止不需要的反射，抗反射层106应该具有接近于并且优选地等于位于任一侧的各层的光学指数的乘积的平方根的光学指数n2。换句话说，指数n2应该满足以下条件(I):
【权利要求】
1.用于制造包括要通过照射来分离的层(115;215)的复合结构(125;225)的方法，所述方法包括形成至少包含以下各项的叠层(S10-S14;S110-S114): -由在确定的波长下至少部分的透明的材料所形成的支承基板(105;205)； -要分离的层(115;215);以及 -夹在所述支承基板与所述要分离的层之间的分离层(110; 210)，所述分离层 适合于在具有与所述确定的波长相对应的波长的辐射(120; 220)的作用下 通过剥离被分离， 所述制造方法的特征在于还包括至少一个处理步骤(S10;S110)，所述至少一个处理步骤在用于形成复合叠层的所述步骤期间改变在所述支承基板与所述分离层之间的界面(106; 206)处的光学反射属性或者改变在所述基板的与所述分离层接触的面的相对侧上的所述支承基板的上表面(105a; 205a)上的光学反射属性。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理步骤包括在所述支承基板与所述分离层之间的所述界面处和/或在所述支承基板的所述上表面上形成至少一个抗反射层(106)。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述抗反射层(106)的折射率n2大致等于
,其中，nl和n3分别是所述支承基板的折射率和所述分离层的折射率。
4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的方法，其中，所述分离层包括加热子层和剥离子层，所述剥离子层适合于在由所述加热子层所引发的加热的作用下被分解。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述支承基板由硅构成，所述加热子层由二氧化硅构成，所述剥离子层由Si3N4构成并且所述抗反射层由SiON构成，所述抗反射层的折射率大致等于2.61。
6.根据权利要求2所述的方法，其中，当抗反射层(106)形成在所述支承基板与所述分离层之间的所述界面处时，所述抗反射层的组分在其厚度上逐渐地变化，使得所述抗反射层的折射率n2在所述抗反射层与所述支承基板的界面处等于nl并且在所述抗反射层与所述分离层的界面处等于π3。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述分离层包括由二氧化硅构成的加热子层以及由Si3N4构成的剥离子层，所述剥离子层适合于在由所述加热子层所引发的加热的作用下被分解，所述支承基板由硅构成，并且 其中，所述抗反射层的组分由SiOx构成，其中X在O与2之间逐渐地变化。
8.根据权利要求2所述的方法，其中，当抗反射层形成在所述支承基板的所述上表面(105a)上时，所述抗反射层的组分在其厚度上逐渐变化，使得所述抗反射层的折射率n2在所述抗反射层与所述支承基板的界面处等于nl并且在所述抗反射层与所述支承基板的所述界面的相对侧的上表面处等于n0， n0是在所述照射期间所述复合结构被放入的介质的折射率。
9.根据权利要求1至8中的任何一项所述的方法，其中，所述抗反射层在所述支承基板与所述分离层之间的所述界面处的厚度(el)大致等于(2M+1).λ/4，Μ是大于或等于O的奇整数，并且λ是所述确定的波长。
10.根据权利要求1至9中的任何一项所述的方法，其中，所述处理步骤包括在所述支承基板(205)与所述分离层(210)之间的所述界面(206)处和/或在所述支承基板的所述上表面(205a)上形成至少一个粗糙层(207)，所述粗糙层在等于要用所述辐射来进行照射的所述上表面的区域的尺寸至少三倍的测量区域上具有大于或等于50 A rms的平均粗糙度水平。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述粗糙层的形成至少通过机械研磨或化学蚀刻来执行。
12.用于将层从根据权利要求1至11中的任何一项所限定的结构分离的方法，所述方法包括借助于与所述支承基板在其下至少部分透明的波长相对应的入射光穿过所述结构的所述支承基板来照射所述分离层，以通过所述分离层的剥离来引发消减或分离。
13.包括由至少以下各项形成的复合叠层的复合结构: -由在确定的波长下至少部分透明的材料所形成的支承基板； -要通过照射来分离的层；以及 -夹在所述支承基板与要分离的层之间的分离层，所述分离层适合于在具有与 所述确定的波长相对应的波长的辐射的作用下通过剥离被分离， 所述复合结构特征在于，所述复合结构还包括至少一个层，所述至少一个层改变在所述支承基板与所述分离层之间的界面处的光学反射属性或者改变在所述基板的与所述分离层接触的面的相对侧上 的所述支承基板的上表面上的光学反射属性。
14.根据权利要求13所述的结构，其中，改变光学反射属性的每个层分别对应于抗反射层和/或在5μπιΧ5μπι的区域上具有大于或等于50 A rms的平均粗糙度水平的粗糙层。
15.根据权利要求14所述的结构，其中，所述结构包括:改变与抗反射层相关的光学反射属性的至少一个层；以及改变与粗糙层相关的光学反射属性的至少一个层。
【文档编号】H01L21/762GK103814436SQ201280045877
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2012年7月18日 优先权日:2011年9月20日
【发明者】克里斯托夫·菲盖, C·古德尔 申请人:索泰克公司