发光二极管封装结构及其制造方法
【专利摘要】一种发光二极管封装结构的制造方法，包括如下步骤：提供引线架，多列第一、第二电极交错排列于引线架上，同列第一、第二电极分别通过连接条串接，第一、第二电极外侧两端形成第一、第二接引电极；在相邻连接条之间形成围绕第一、第二电极且具有容置槽的反射杯，第一、第二接引电极外露于反射杯；对第一、第二电极的顶角切割以形成多个缺口；在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接第一、第二电极；在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；沿缺口横向切割反射杯和连接条。本发明还提供一种由该方法制成的发光二极管封装结构。本发明中第一、第二电极嵌置于反射杯内，第一、第二接引电极外露于反射杯，有效提升了发光二极管封装结构的密合度。
【专利说明】发光二极管封装结构及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。
【背景技术】
[0002]发光二极管(light emitting diode, LED)作为一种高效的发光源,具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛的运用于各种领域。
[0003]在应用到具体领域中之前，发光二极管还需要进行封装，以保护发光二极管芯片，从而获得较高的发光效率及较长的使用寿命。
[0004]一般的发光二极管封装结构通常先成型反射杯，在反射杯成型后再将电极弯折贴设于反射杯的底面及侧面上。然而，这种方法制成的发光二极管封装结构的密合度不佳，封装结构中的电极与反射杯之间结合不紧密，电极在使用过程中容易松动或脱落。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，有必要提供一种结构密合度较好的发光二极管封装结构及其制造方法。
[0006]一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤:提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架，所述第一电极和第二电极交错排列于引线架上，同列中的各第一电极通过第一连接条纵向串接，同列中的各第二电极通过第二连接条纵向串接，第一电极邻近第一连接条的一端向外延伸形成有第一接引电极，第二电极邻近第二连接条的一端向外延伸形成有第二接引电极；在引线架上相邻的第一连接条和第二连接条之间形成围绕第一电极和第二电极的反射杯，所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极和第二电极嵌置于反射杯内，所述第一接引电极和第二接引电极分别自反射杯的相对两侧凸出于反射杯外；对第一电极邻近第一连接条的至少一顶角和第二电极邻近第二连接条的至少一顶角分别进行切割以形成对应第一电极的至少一第一缺口和对应第二电极的至少一第二缺口 ；在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接发光二极管芯片与所述第一电极和第二电极；在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；以及沿所述第一缺口和第二缺口横向切割反射杯及连接条以形成多个独立的发光二极管封装结构。
[0007]—种发光二极管封装结构，该发光二极管封装结构由上述发光二极管封装结构的制造方法所制成。
[0008]与现有技术相比，在本发明所述的发光二极管封装结构的制造方法中，反射杯形成于两相邻的第一连接条和第二连接条之间，第一电极和第二电极在反射杯成型后嵌置于反射杯内，反射杯成型的过程中并不会与第一接引电极和第二接引电极发生干涉，在反射杯成型后第一接引电极和第二接引电极外露于反射杯的相对两侧，由上述制造方法所制成的发光二极管封装结构中第一电极和第二电极与反射杯结合的更加牢固，能够效提升整个发光二极管封装结构的密合度。[0009]下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是本发明一实施例的发光二极管封装结构的制造方法流程图。
[0011]图2是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤SlOl中所得元件的俯视示意图。
[0012]图3是图2中所示框线部分的放大示意图。
[0013]图4是图3中所示元件沿IV-1V线的剖面示意图。
[0014]图5是图3中所示元件的仰视示意图。
[0015]图6是图3中所示元件沿V1-VI线的剖面示意图。
[0016]图7是图2中所示元件放置于模具内时的剖面示意图。
[0017]图8是图2中所示元件放置于模具内时的仰视示意图(其中下模具的底部被隐藏)。
[0018]图9是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S102中所得元件的俯视示意图。
[0019]图10是图9中所示框线部分的放大示意图。
[0020]图11是图10中所示元件沿X1-XI线的剖面示意图。
[0021]图12是图10中所示元件的仰视示意图。
[0022]图13是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S103中所得元件在形成缺口如的仰视不意图。
[0023]图14是图13中所示元件在形成缺口后的仰视示意图。
[0024]图15是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S106中所得的发光二极管封装结构的俯视示意图。
[0025]图16是图15中所示发光二极管封装结构沿XV1-XVI线的剖面示意图。
[0026]图17是图15中所示发光二极管封装结构的仰视示意图。
[0027]主要元件符号说明
【权利要求】
1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤: 提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架，所述第一电极和第二电极交错排列于引线架上，同列中的各第一电极通过第一连接条纵向串接，同列中的各第二电极通过第二连接条纵向串接，第一电极邻近第一连接条的一端向外延伸形成有第一接引电极，第二电极邻近第二连接条的一端向外延伸形成有第二接引电极； 在引线架上相邻的第一连接条和第二连接条之间形成围绕第一电极和第二电极的反射杯，所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极和第二电极嵌置于反射杯内，所述第一接引电极和第二接引电极分别自反射杯的相对两侧凸出于反射杯外； 对第一电极邻近第一连接条的至少一顶角和第二电极邻近第二连接条的至少一顶角分别进行切割以形成对应第一电极的至少一第一缺口和对应第二电极的至少一第二缺Π ； 在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接发光二极管芯片与所述第一电极和第二电极； 在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；以及 沿所述第一缺口和第二缺口横向切割反射杯及连接条以形成多个独立的发光二极管封装结构。
2.如权利要求1所述的 极之间的第一连接部和若干位于第一电极底部并分别与相邻第一连接部连接的第一支撑部，所述第二连接条包括若干位于相邻第二电极之间的第二连接部和若干位于第二电极底部并分别与相邻第二连接部连接的第二支撑部。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述第一连接部和第一支撑部均具有远离第一电极设置的底面，所述第一连接部的底面和第一支撑部的底面平齐，所述第二连接部和第二支撑部均具有远离第二电极设置的底面，所述第二连接部的底面和第二支撑部的底面平齐。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述第一连接条与第一电极共同围设出一开口朝向第二电极的第一成型槽，所述第一成型槽位于第一电极的底部，所述第二连接条与第二电极共同围设出一开口朝向第一电极并与第一成型槽相对设置的第二成型槽，所述第二成型槽位于第二电极的底部，在反射杯成型后所述第一成型槽和第二成型槽均被反射杯填充。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述第一成型槽在沿第一连接条延伸方向上的宽度与第一电极的宽度相等，所述第二成型槽在沿第二连接条延伸方向上的宽度与第二电极的宽度相等。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述第一接引电极自第一电极的远离第二电极的一端向外再向下一体延伸形成，所述第一接引电极的宽度小于第一电极的宽度，所述第二接引电极自第二电极的远离第一电极的一端向外再向下一体延伸形成，第二接引电极的宽度小于第二电极的宽度。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述第一电极对应第一缺口的位置处为一弧形面，所述第一电极的弧形面与第一接引电极平滑连接，所述第二电极对应第二缺口的位置处为一弧形面，所述第二电极的弧形面与第二接引电极平滑连接。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述第一电极和第二电极均包括相对设置的上表面和下表面，所述第一电极的下表面向下凸出延伸形成第一增厚部，第二电极的下表面向下凸出延伸形成第二增厚部，所述第一增厚部和第二增厚部分别与容置槽正对设置，在反射杯成型后第一增厚部远离第一电极的底面和第二增厚部远离第二电极的底面均外露于反射杯外。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述第一缺口和第二缺口是利用机械切割或激光削熔的方式形成。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于:所述第一缺口自反射杯顶面正对第一电极顶角的位置处向下贯穿反射杯和第一连接条，所述第二缺口自反射杯顶面正对第二电极顶角的位置处向下贯穿反射杯和第二连接条。
11.一种发 光二极管封装结构，其特征在于:所述发光二极管封装结构由权利要求1-10中任一项所述的发光二极管封装结构的制造方法所制成。
【文档编号】H01L33/60GK104022215SQ201310065574
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2013年3月1日 优先权日:2013年3月1日
【发明者】林厚德, 陈滨全, 陈隆欣 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司