专利名称：一种薄膜电容器的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种电容器的制造方法，特别是涉及一种大容量的薄膜电容器的制造方法。
背景技术：
现有薄膜 电容器中，由于电介质层的厚度变薄，故为提高电介质层的静电容量密度，而将介电常数高的材料用于电介质层。作为介电常数高的材料，现有一般采用钙铁矿型氧化物。例如，锆钛酸铅(PZT)、锫钛酸镧铅(PLZT)、铌镁酸铅(PMN)、钛酸锶钡(BST)等。该钙铁矿型氧化物通过将前驱体退火使其结晶化而得到，可通过在高温下退火来提高其介电常数，但是，为了提高介电常数，有时升高退火温度，有时延长退火时间等这样变更制造条件时，存在薄膜电容器的容量不能提高且泄漏电流增大的问题
发明内容
:本发明提出了一种薄膜电容器的制造方法，依次包括如下步骤:(I)准备如下配比的原料:大于或等于99.98重量％的镍锭、0.001-0.002重量％的铜、0.0005-0.0008 重量 % 的锰，0.005-0.008 重量 % 的铝、0.0005-0.001 重量 ％ 的铬，
0.004-0.006重量％的铁、0.0005-0.0012重量％的硅以及0.001-0.002重量％的锑以及
0.001-0.002 重量 ％ 的钽；(2)将上述原料熔融后，将其轧制成箔片，然后对该箔片进行退火，从而制成镍基板I ;该镍基板I的厚度为100-300微米，优选为200微米。(3)按照四方相锆钛酸铅PbZivxTixO3的摩尔比例进行配置将氧化铅PbO、二氧化锆ZrO2和二氧化钛TiO2粉末进行煅烧，从而烧结成PZT靶材，其中X取值是:0〈χ〈1，优选x为0.05≤X≤0.85，其中煅烧温度为950°C -1200°C，煅烧时间为2.5-3小时；(4)在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将PZT靶材溅射沉积在所述镍基板I上，从而形成PbZivxTixO3电介质层2 ;该电介质层2的厚度为1-5微米，优选2微米。(5)在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将金属材料溅射沉积在所述电介质层2上，从而形成电极层3，该电极层3的厚度为100-200微米，优选120微米。
图1为本发明提出的制造方法所制得的薄膜电容器的剖面结构示意图。
具体实施方式
:下面通过具体实施方式
对本发明进行详细说明。参见图1，本发明提出的薄膜电容器的制造方法依次包括如下步骤:
(I)准备如下配比的原料:大于或等于99.98重量％的镍锭、0.001-0.002重量％的铜、0.0005-0.0008 重量 % 的锰，0.005-0.008 重量 % 的铝、0.0005-0.001 重量 ％ 的铬，0.004-0.006重量％的铁、0.0005-0.0012重量％的硅以及0.001-0.002重量％的锑以及0.001-0.002 重量 ％ 的钽；(2)将上述原料熔融后，将其轧制成箔片，然后对该箔片进行退火，从而制成镍基板I ;该镍基板I的厚度为100-300微米，优选为200微米。(3)按照四方相锆钛酸铅PbZivxTixO3的摩尔比例进行配置将氧化铅PbO、二氧化锆ZrO2和二氧化钛TiO2粉末进行煅烧，从而烧结成PZT靶材，其中煅烧温度为9500C _1200°C，煅烧时间为2.5-3小时；(4)在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将PZT靶材溅射沉积在所述镍基板I上，从而形成PbZivxTixO3电介质层2，其中X取值是:0〈χ〈1，优选X为0.05 < X < 0.85 ;该电介质层2的厚度为1-5微米，优选2微米。(5)在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将金属材料溅射沉积在所述电介质层2上，从而形成电极层3，该电极层3的厚度为100-200微米，优选120微米。其中，步骤(4)和(5)中，射频磁控溅射反应室的真空度都为10-5帕斯卡；而步骤
(4)中，射频磁控溅射的射频功率为150-200W，溅射时间为60分钟；步骤(5)中，射频磁控溅射的射频功率100-150W，溅射时间为120分钟。以上实施方式已经对本发明进行了详细的介绍，但上述实施方式并非为了限定本发明的范围，本发明的保护范围由所附的权利要求限定。
权利要求
1.一种薄膜电容器的制造方法，该方法依次包括如下步骤: (1)准备如下配比的原料:大于或等于99.98重量％的镍锭、0.001-0.002重量％的铜、0.0005-0.0008 重量 % 的猛，0.005-0.008 重量 % 的铝、0.0005-0.001 重量 % 的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002 重量 ％ 的钽； (2)将上述原料熔融后，将其轧制成箔片，然后对该箔片进行退火，从而制成镍基板； (3)按照四方相锆钛酸铅PbZivxTixO3的摩尔比例进行配置将氧化铅PbO、二氧化锆ZrO2和二氧化钛TiO2粉末进行煅烧，从而烧结成PZT靶材，其中X取值是:0〈χ〈1，优选x为0.05 ≤X ≤0.85 ; (4)在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将PZT靶材溅射沉积在所述镍基板上，从而形成PbZivxTixO3电介质层； (5)在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将金属材料溅射沉积在所述电介质层上，从而形成电极层3。
2.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于: 所述镍基板的厚度为100-300微米，优选为200微米。
3.如权利要求2所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于: 其中步骤(3)中煅烧温度 为950°C -1200°C，煅烧时间为2.5-3小时。
4.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于: 其中，该电介质层2的厚度为1-5微米，优选2微米。
5.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于: 该电极层3的厚度为100-200微米，优选120微米。
6.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于: 其中，步骤(4)和(5)中，射频磁控溅射反应室的真空度都为10-5帕斯卡；并且在步骤(4)中，射频磁控溅射的射频功率为150-200W，溅射时间为60分钟；在步骤(5)中，射频磁控溅射的射频功率100-150W，溅射时间为120分钟。
全文摘要
本发明公开了一种薄膜电容器，其具有三层结构，自下往上分别为镍基板、电介质层和电极层。
文档编号H01G4/33GK103165285SQ201310065920
公开日2013年6月19日 申请日期2013年3月1日 优先权日2013年3月1日
发明者钱时昌 申请人:溧阳华晶电子材料有限公司