发光二极管封装结构的制作方法
【专利摘要】一种发光二极管封装结构包括封装基板和发光二极管晶粒，封装基板上形成电性隔绝的第一、第二导电部，发光二极管晶粒形成有与其正、负电极的至少其中之一电连接的凸块，第一、第二导电部包括相对设置的上下表面，第一、第二导电部的至少其中之一的上表面对应凸块形成凹槽，凹槽内设置防氧化金属层，所述发光二极管上的凸块对应收容于凹槽内并通过防氧化金属层与第一导电部/第二导电部电连接。本发明中通过在第一、第二导电部的表面上设置凹槽来增加凸块与第一导电部/第二导电部的接触面积，提升发光二极管封装结构的导电性能，同时在凹槽中设置防氧化金属层防止第一、第二导电部与凸块接触的位置被氧化。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体发光元件，尤其涉及一种发光二极管封装结构。 发光二极管封装结构
【背景技术】
[0002] 发光二极管凭借其高光效、低能耗、无污染等优点，已被应用于越来越多的场合之 中，大有取代传统光源的趋势。
[0003] 在应用到具体领域中之前，发光二极管晶粒还需要进行封装，以保护发光二极管 晶粒不受挤压或者氧化，从而使发光二极管封装结构获得较高的发光效率及较长的使用寿 命。
[0004] 娃树脂模塑化合物（Silicon Molding Compound，SMC)以及环氧模塑料（Epoxy Molding Compound, EMC)常作为封装材料应用于发光二极管封装结构中。特别地，该娃树 脂模塑化合物较环氧模塑料更耐高温，故在发光二极管封装结构中得到广泛应用。但由于 该硅树脂模塑化合物或环氧模塑料与金属电极的密合度差，二者接合处会有空气或水气的 渗入，容易导致内部电极氧化而使得发光二极管封装元件的电性接触不良。
【发明内容】
[0005] 有鉴于此，有必要提供一种电极不易发生氧化的发光二极管封装结构。
[0006] -种发光二极管封装结构，包括封装基板以及设置于封装基板上的发光二极管晶 粒，所述封装基板上还形成电性隔绝的第一导电部和第二导电部，所述发光二极管晶粒具 有与第一导电部和第二导电部分别电连接的正电极和负电极，所述发光二极管晶粒上还形 成有与正、负电极的至少其中之一电连接的凸块，所述第一导电部和第二导电部均包括相 对设置的上表面和下表面，所述第一导电部和第二导电部的至少其中之一的上表面上对应 发光二极管晶粒的凸块形成一凹槽，所述凹槽内形成防氧化金属层，所述发光二极管晶粒 的凸块收容于凹槽内并通过防氧化金属层与对应的第一导电部/第二导电部电连接。
[0007] 本发明中第一导电部和第二导电部的表面上对应发光二极管晶粒的凸块形成有 凹槽，这能增加凸块与第一导电部/第二导电部的接触面积，提升了发光二极管封装结构 的导电性能，同时在凹槽中设置防氧化金属层防止第一导电部、第二导电部与凸块接触的 位置被氧化。
[0008] 下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
【专利附图】
【附图说明】
[0009] 图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
[0010] 图2为图1中所示发光二极管封装结构的俯视示意图(其中发光二极管封装结构 的发光二极管晶粒与封装层被隐藏)。
[0011] 图3为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
[0012] 图4为本发明第三实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
[0013] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种发光二极管封装结构，包括封装基板以及设置于封装基板上的发光二极管晶 粒，所述封装基板上形成有电性隔绝的第一导电部和第二导电部，所述发光二极管晶粒具 有与第一导电部和第二导电部分别电连接的正电极和负电极，其特征在于：所述发光二极 管晶粒上还形成有与正、负电极的至少其中之一电连接的凸块，所述第一导电部和第二导 电部均包括相对设置的上表面和下表面，所述第一导电部和第二导电部的至少其中之一的 上表面上对应发光二极管晶粒的凸块形成一凹槽，所述凹槽内形成防氧化金属层，所述发 光二极管晶粒的凸块收容于凹槽内并通过防氧化金属层与对应的第一导电部/第二导电 部电连接。
2. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管晶粒的正 电极和负电极的其中之一上形成所述凸块，所述凸块收容于凹槽内并与对应的第一导电部 /第二导电部电连接，所述发光二极管晶粒的正电极和负电极的其中之另一通过导线与第 一导电部/第二导电部的其中之另一电连接。
3. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管晶粒的正 电极和负电极上分别形成所述凸块，所述凸块收容于对应的凹槽内并与对应的第一导电部 和第二导电部分别电连接。
4. 如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装基板包括相对设 置的顶面和底面，所述封装基板的顶面中部向上凸伸形成一承载发光二极管晶粒的承载 部，该承载部位于第一导电部和第二导电部之间。
5. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装基板包括相对设 置的顶面和底面，所述第一导电部和第二导电部均贯穿封装基板的顶面和底面，所述第一 导电部和第二导电部的下表面均外露于封装基板的底部。
6. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述凸块通过共晶结合方 式与对应第一导电部/第二导电部相结合，所述防氧化金属层填充于凸块与凹槽形成的间 隙内。
7. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述防氧化金属层的材料 为金或镍。
8. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述凹槽邻近第一导电部/ 第二导电部与封装基板结合处设置。
9. 如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述凸块收容于该凹槽内 且凸块的顶部凸出于对应的第一导电块/第二导电块的上表面。
10. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括设置于封装基板上 并覆盖发光二极管晶粒的封装层，所述封装层内包含有荧光粉用于转换发光二极管晶粒发 出的光线。
【文档编号】H01L33/48GK104064662SQ201310091174
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2013年3月21日 优先权日:2013年3月21日
【发明者】林厚德, 陈滨全, 陈隆欣 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司