一种周期性结构的背反射电极及其制备方法
【专利摘要】一种周期性结构的背反射电极，包括衬底层、形成模板作用的第一层金属薄膜和起修饰作用的第二层金属薄膜，两层金属薄膜均为金属Ag、Al或Mo薄膜，构成具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极；其制备方法，利用水浴方法组装聚苯乙烯（PS）微球，用O2等离子刻蚀PS微球，利用刻蚀后的聚苯乙烯微球的模板作用，得到具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极用于作薄膜太阳电池的背反射电极。本发明的优点是：利用聚苯乙烯微球的模板作用和磁控溅射或蒸发金属薄膜，实现了高散射的周期性结构背反射电极的制备；应用于薄膜太阳电池，其短路电流密度和转换效率得到了提高。
【专利说明】一种周期性结构的背反射电极及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于薄膜太阳电池的高散射背电极的制备技术，尤其是一种周期性结构的背反射电极及其制备方法。
【背景技术】
[0002]光伏作为未来能源主力，必须大幅提高效率、降低成本才能得以生存。银背反射电极作为太阳电池的重要组成部分，其绒度特性对电池的性能影响至关重要。当前薄膜电池中应用最为广泛的金属背反射电极是基于绒度的金属铝结合银来构建的随机绒面的背反射电极，这种方法生长的金属背电极粗糙度不是很大，导致这种衬底的散射效果不是很好。研究表明:对于NIP型的Si基薄膜太阳电池(非晶硅电池、微晶硅电池以及硅基多结薄膜叠层电池)来说，背反射电极的陷光作用对器件性能的影响尤为重要。绒度的金属背反射电极结构可以有效的将光反射回电池，增加反射回电池光的光程，从而有效增强本征层的光学吸收，提高短路电流密度，进而提高电池效率，更为重要的是，陷光的引入，可以减薄电池的有源层厚度，这对降低成本是非常重要的。
[0003]相比于随机绒面的金属背反射电极，周期性结构的背反射电极由于其具有高的散射特性而引起关注。目前周期性结构的背反射电极的制备方法主要是阳极氧化铝(ΑΑ0)，由于在阳极氧化过程中电压大于500V时会有大量的热量产生和阳极氧化的不稳定性，其周期性不能很好的控制，而且很难制作大尺寸的‘酒窝’状。AAO方法制备的背反射电极虽然增加了对短波长光的散射，电池的短波响应得到了提高，起到了对短波长光的陷光效果，但是长波长光的陷光由于其‘酒窝’状尺寸受限，导致电池对长波长光的利用率不高。
【发明内容】
[0004]本发明目的是为克服现有技术的上述不足，提供一种有利于提高薄膜太阳电池性能的具有高散射比例的周期性结构的背反射电极，该周期性结构的背反射电极能够实现良好的陷光效果，使电池吸收层未被吸收的光能够更多的再散射回电池，增加光在电池中的光程，以达到提高光利用率，增强电池的短路电流密度，进而达到提高电池效率的目的，而且最为重要的是通过控制制备工艺可增加400-1500nm波长范围的散射比率，使电池对光的利用率得到大大提高。
[0005]本发明的技术方案:
一种周期性结构的背反射电极，包括衬底层、形成模板作用的第一层金属薄膜和起修饰作用的第二层金属薄膜，衬底层为硬质衬底玻璃，两层金属薄膜均为金属Ag、Al或Mo薄膜，其中第一层薄膜厚度为300-1000nm，第二层金属薄膜的厚度为100_500nm，构成具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，周期性结构的背反射电极均方根粗糙度为50-200 nm。
[0006]一种所述周期性结构的背反射电极的制备方法，利用水浴方法组装聚苯乙烯(PS)微球，用O2等离子刻蚀PS微球，利用刻蚀后的聚苯乙烯微球的模板作用，得到具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，步骤如下:
1)将玻璃衬底浸泡在H2SO4与H2O2的体积比为2:1的混合溶液里进行亲水处理，处理时间为2-10小时；
2)把上述玻璃衬底放在水平台上，将粒径为1-5μ m、浓度为5wt%的聚苯乙烯微球乳胶溶液垂直滴在玻璃衬底上，溶液慢慢扩散开使乙烯微球不均匀散布于玻璃衬底上，然后把玻璃衬底放在水蒸气上进行自组装，经过30min的水浴，玻璃衬底上的形成单层六方密排的聚苯乙烯微球；
3)将上述单层六方密排的聚苯乙烯微球，进行O2等离子刻蚀(RIE)，刻蚀后相对应乙烯微球的大小为0.5-4 μ m ；
4)在刻蚀后的乙烯微球上采用磁控溅射方法或蒸发的方法沉积第一层厚度为300-1000nm的金属薄膜，然后将玻璃衬底放在水里进行超声处理直至乙烯小球完全处理干净;
5)采用磁控溅射或蒸发的方法再沉积第二层厚度为100-500nm的金属薄膜，即可制得具有周期性结构的背反射电极。
[0007]—种所述周期性结构的背反射电极的应用，用于作薄膜太阳电池的背反射电极，所述薄膜太阳电池为非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜太阳电池、多结叠层硅基薄膜太阳电池、铜铟镓硒太阳电池或铜锌锡硫太阳电池。
[0008]本发明的优点和积极效果:
本发明利用聚苯乙烯微球的模板作用和磁控溅射或蒸发金属薄膜，实现了高散射的周期性结构背反射电极的制备；将本周期性结构的背电极应用于薄膜太阳电池，较传统的绒度金属Ag薄膜作为背反射电极制备的相同条件的电池短路电流密度提高了 9.4%，转换效率提高了 18.4%，对300-1500nm电池所能利用的波长范围内具有良好散射作用。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为该周期性结构的背反射电极的结构示意图。
[0010]图2为采用传统溅射法制备的有一定粗糙度的Ag薄膜的背反射电极的形貌图。
[0011]图3为采用PS小球为模板制备的周期性结构的背反射电极的形貌图。
[0012]图4为采用PS小球为模板制备的周期性结构的背反射电极与采用传统溅射法制备的有一定粗糙度的Ag薄膜的背反射电极的积分反射和绒度比较结果。
[0013]图5为采用PS小球为模板制备的周期性结构的背反射电极与采用传统溅射法制备的有一定粗糙度的Ag薄膜的背反射电极应用于微晶硅基太阳电池的外量子效率比较结果O
[0014]图6为采用PS小球为模板制备的周期性结构的背反射电极与采用传统溅射法制备的有一定粗糙度的Ag薄膜的背反射电极应用于微晶硅基太阳电池的电池效率比较结果O
【具体实施方式】
[0015]实施例1:
一种周期性结构的背反射电极，如图1所示，包括衬底层、形成模板作用的第一层Ag薄膜和起修饰作用的第二层Ag薄膜，衬底层为硬质衬底玻璃，两层金属薄膜均为金属Ag薄膜，其中第一层Ag薄膜厚度为600nm，第二层Ag薄膜的厚度为300nm，构成具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，周期性结构的背反射电极均方根粗糙度为180nm。
[0016]一种所述周期性结构的背反射电极的制备方法，利用水浴方法组装聚苯乙烯(PS)微球，用O2等离子刻蚀PS微球，利用刻蚀后的聚苯乙烯微球的模板作用，得到具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，步骤如下:
1)将玻璃衬底浸泡在H2SO4与H2O2的体积比为2:1的混合溶液里进行亲水处理，处理时间为5小时；
2)把上述玻璃衬底放在水平台上，将粒径为2μ m、浓度为5wt%的聚苯乙烯微球乳胶溶液垂直滴在玻璃衬底上，溶液慢慢扩散开使乙烯微球不均匀散布于玻璃衬底上，然后把玻璃衬底放在水蒸气上进行自组装，经过30min的水浴，玻璃衬底上形成单层六方密排的粒径2 μ m的聚苯乙烯微球；
3 )将上述单层六方密排的聚苯乙烯微球，进行O2等离子刻蚀(RIE )，氧气流量10 Sccm，气压llpa，射频功率150W，刻蚀时间为6分钟，相对应乙烯微球的大小为1.8 μ m ;
4)在刻蚀后的乙烯微球上采用磁控溅射的方法沉积第一层厚度Ag薄膜，靶材为纯度99.999%的Ag金属靶，采用纯氩气溅射，制备致密的Ag薄膜:衬底温度为室温，本底真空为5X10_5 Pa，氩气流量为40 sccm，溅射气压为4mTorr，电极间距为110 mm，溅射功率为50W，溅射时间为28 min，得到厚度为600 nm的第一层Ag薄膜，然后将玻璃衬底放在水里进行超声处理直至乙烯小球完全处理干净；
5)采用磁控溅射或蒸发的方法再沉积第二层Ag薄膜，衬底温度为室温，本底真空为5X10_5 Pa，氩气流量为40 sccm，溅射气压为4mTorr，电极间距为110 mm，溅射功率为50W，溅射时间为14 min，得到厚度为300 nm的第二层Ag薄膜，即可制得具有周期性结构的背反射电极。
[0017]图2为采用传统溅射法制备的有一定粗糙度的Ag薄膜的背反射电极的形貌图。图3为采用PS小球为模板制备的周期性结构的背反射电极的形貌图。从形貌图比较显示:当采用本发明的周期性结构的背反射电极时，能够得到较大的绒面粗糙度，且周期性结构很明显，均方根粗糙度为180nm,远大于传统84 nm。
[0018]图4为采用PS小球为模板制备的周期性结构的背反射电极与采用传统溅射法制备的有一定粗糙度的Ag薄膜的背反射电极的积分反射和绒度比较结果。图中表明:周期性背反射电极的积分反射和绒度远远高于传统的有一定粗糙度的金属背反射电极。
[0019]将制备的周期性结构的背反射电极应用于微晶硅基太阳电池。
[0020]图5为本发明采用PS小球为模板制备的周期性结构的背反射电极与传统的采用溅射法制备得到的有一定粗糙度的Ag薄膜的背反射电极应用于微晶硅基太阳电池的外量子效率比较结果。图中表明:周期性结构背反射电极对入射光的短波和长波同时起到了陷光的效果，使得微晶硅基太阳电池具有较大的短路电流密度，短路电流密度提高了 9.4%。
[0021]图6为本发明采用PS小球为模板制备的周期性结构的背反射电极与传统的采用溅射法制备得到的有一定粗糙度的Ag薄膜的背反射电极应用于微晶硅基太阳电池的电池效率比较结果。图中表明:将周期性结构背反射电极应用于微晶硅基电池可获得较高的电池效率，转换效率提高了 18.4%。[0022]实施例2:
一种周期性结构的背反射电极，如图1所示，包括衬底层、形成模板作用的第一层Al薄膜和起修饰作用的第二层Ag薄膜，衬底层为硬质衬底玻璃，其中第一层Al薄膜厚度为500nm，第二层Ag薄膜的厚度为300nm，构成具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，周期性结构的背反射电极均方根粗糙度为120nm。
[0023]一种所述周期性结构的背反射电极的制备方法，利用水浴方法组装聚苯乙烯(PS)微球，用O2等离子刻蚀PS微球，利用刻蚀后的聚苯乙烯微球的模板作用，得到具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，步骤如下:
1)将玻璃衬底浸泡在H2SO4与H2O2的体积比为2:1的混合溶液里进行亲水处理，处理时间为6小时；
2)把上述玻璃衬底放在水平台上，将粒径为2μ m、浓度为5wt%的聚苯乙烯微球乳胶溶液垂直滴在玻璃衬底上，溶液慢慢扩散开使乙烯微球不均匀散布于玻璃衬底上，然后把玻璃衬底放在水蒸气上进行自组装，经过30min的水浴，玻璃衬底上形成单层六方密排的粒径2 μ m的聚苯乙烯微球；
3 )将上述单层六方密排的聚苯乙烯微球，进行O2等离子刻蚀(RIE )，氧气流量10 Sccm，气压llpa，射频功率150W，刻蚀时间为9分钟，相对应乙烯微球的大小为1.5 μ m ;
4)在刻蚀后的乙烯微球上采用磁控溅射的方法沉积第一层厚度Al薄膜，靶材为纯度99.999%的Al金属靶，采用纯氩气溅射，制备致密的Al薄膜:衬底温度为室温，本底真空为5X10_5 Pa，氩气流量为40 sccm，溅射气压为4mTorr，电极间距为110 mm，溅射功率为50W，溅射时间为23 min,得到厚度为500 nm的第一层Al薄膜，然后将玻璃衬底放在水里进行超声处理直至乙烯小球完全处理干净；
5)采用磁控溅射或蒸发的方法再沉积第二层Ag薄膜，靶材为纯度99.999%的Ag金属靶，采用纯氩气溅射，制备致密的Ag薄膜:衬底温度为室温，本底真空为5X10_5 Pa，氩气流量为40 sccm，溅射气压为4mTorr，电极间距为110 mm，溅射功率为50 W，溅射时间为14min，得到厚度为300 nm的第二层Ag薄膜，即可制得具有周期性结构的背反射电极。
[0024]采用本发明的周期性结构的背反射电极的技术效果与实施例1类同；周期性结构的背反射电极应用于微晶硅基太阳电池的技术效果与实施例1类同。
[0025]实施例3:
一种周期性结构的背反射电极，如图1所示，包括衬底层、形成模板作用的第一层Ag薄膜和起修饰作用的第二层Ag薄膜，衬底层为硬质衬底玻璃，两层金属薄膜均为金属Ag薄膜，其中第一层Ag薄膜厚度为400nm，第二层Ag薄膜的厚度为300nm，构成具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，周期性结构的背反射电极均方根粗糙度为85nm。
[0026]一种所述周期性结构的背反射电极的制备方法，利用水浴方法组装聚苯乙烯(PS)微球，用O2等离子刻蚀PS微球，利用刻蚀后的聚苯乙烯微球的模板作用，得到具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，步骤如下:
1)将玻璃衬底浸泡在H2SO4与H2O2的体积比为2:1的混合溶液里进行亲水处理，处理时间为5小时；
2)把上述玻璃衬底放在水平台上，将粒径为2μ m、浓度为5wt%的聚苯乙烯微球乳胶溶液垂直滴在玻璃衬底上，溶液慢慢扩散开使乙烯微球不均匀散布于玻璃衬底上，然后把玻璃衬底放在水蒸气上进行自组装，经过30min的水浴，玻璃衬底上形成单层六方密排的粒径2 μ m的聚苯乙烯微球；
3 )将上述单层六方密排的聚苯乙烯微球，进行O2等离子刻蚀(RIE )，氧气流量10 Sccm，气压llpa，射频功率150W，刻蚀时间为6分钟，相对应乙烯微球的大小为1.8 μ m ;
4)在刻蚀后的乙烯微球上采用磁控溅射的方法沉积第一层厚度Ag薄膜，靶材为纯度99.999%的Ag金属靶，采用纯氩气溅射，制备致密的Ag薄膜:衬底温度为室温，本底真空为5X10_5 Pa，氩气流量为40 sccm，溅射气压为4mTorr，电极间距为110 mm，溅射功率为50W，溅射时间为19 min，得到厚度为400 nm的第一层Ag薄膜，然后将玻璃衬底放在水里进行超声处理直至乙烯小球完全处理干净；
5)采用磁控溅射或蒸发的方法再沉积第二层Ag薄膜，衬底温度为室温，本底真空为5X10—5 Pa，氩气流量为40 sccm，溅射气压为4mTorr，电极间距为110 mm，溅射功率为50W，溅射时间为14 min，得到厚度为300nm的第二层Ag薄膜，即可制得具有周期性结构的背反射电极。
[0027]采用本发明的周期性结构的背反射电极的技术效果与实施例1类同；周期性结构的背反射电极应用于微晶硅基太阳电池的技术效果与实施例1类同。
[0028]实施例4:
一种周期性结构的背反射电极，如图1所示，包括衬底层、形成模板作用的第一层Ag薄膜和起修饰作用的第二层Ag薄膜，衬底层为硬质衬底玻璃，两层金属薄膜均为金属Ag薄膜，其中第一层Ag薄膜厚度为500nm，第二层Ag薄膜的厚度为300nm，构成具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，周期性结构的背反射电极均方根粗糙度为170nm。
[0029]一种所述周期性结构的背反射电极的制备方法，利用水浴方法组装聚苯乙烯(PS)微球，用O2等离子刻蚀PS微球，利用刻蚀后的聚苯乙烯微球的模板作用，得到具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，步骤如下:
1)将玻璃衬底浸泡在H2SO4与H2O2的体积比为2:1的混合溶液里进行亲水处理，处理时间为8小时；
2)把上述玻璃衬底放在水平台上，将粒径为4μ m、浓度为5wt%的聚苯乙烯微球乳胶溶液垂直滴在玻璃衬底上，溶液慢慢扩散开使乙烯微球不均匀散布于玻璃衬底上，然后把玻璃衬底放在水蒸气上进行自组装，经过30min的水浴，玻璃衬底上形成单层六方密排的粒径4 μ m的聚苯乙烯微球；
3 )将上述单层六方密排的聚苯乙烯微球，进行O2等离子刻蚀(RIE )，氧气流量10 Sccm，气压llpa，射频功率150W，刻蚀时间为15分钟，相对应乙烯微球的大小为3.0 μ m ;
4)在刻蚀后的乙烯微球上采用磁控溅射的方法沉积第一层厚度Ag薄膜，靶材为纯度99.999%的Ag金属靶，采用纯氩气溅射，制备致密的Ag薄膜:衬底温度为室温，本底真空为5X10_5 Pa，氩气流量为40 sccm，溅射气压为4mTorr，电极间距为110 mm，溅射功率为50W，溅射时间为23 min，得到厚度为500 nm的第一层Ag薄膜，然后将玻璃衬底放在水里进行超声处理直至乙烯小球完全处理干净；
5)采用磁控溅射或蒸发的方法再沉积第二层Ag薄膜，衬底温度为室温，本底真空为5X10_5 Pa，氩气流量为40 sccm，溅射气压为4mTorr，电极间距为110 mm，溅射功率为50W，溅射时间为14 min，得到厚度为300nm的第二层Ag薄膜，即可制得具有周期性结构的背反射电极。
[0030]采用本发明的周期性结构的背反射电极的技术效果与实施例1类同；周期性结构的背反射电极应用于微晶硅基太阳电池的技术效果与实施例1类同。
[0031]实施例5:
一种周期性结构的背反射电极，如图1所示，包括衬底层、形成模板作用的第一层Mo金属薄膜和起修饰作用的第二层Mo金属薄膜，衬底层为硬质衬底玻璃，两层金属薄膜均为金属Mo薄膜，其中第一层Mo薄膜厚度为600nm，第二层Mo薄膜的厚度为300nm，构成具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，周期性结构的背反射电极均方根粗糙度为160nm。
[0032]一种所述周期性结构的背反射电极的制备方法，利用水浴方法组装聚苯乙烯(PS)微球，用O2等离子刻蚀PS微球，利用刻蚀后的聚苯乙烯微球的模板作用，得到具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，步骤如下:
1)将玻璃衬底浸泡在H2SO4与H2O2的体积比为2:1的混合溶液里进行亲水处理，处理时间为7小时；
2)把上述玻璃衬底放在水平台上，将粒径为3μ m、浓度为5wt%的聚苯乙烯微球乳胶溶液垂直滴在玻璃衬底上，溶液慢慢扩散开使乙烯微球不均匀散布于玻璃衬底上，然后把玻璃衬底放在水蒸气上进行自组装，经过30min的水浴，玻璃衬底上形成单层六方密排的粒径3 μ m的聚苯乙烯微球；
3 )将上述单层六方密排的聚苯乙烯微球，进行O2等离子刻蚀(RIE )，氧气流量10 Sccm，气压llpa，射频功率150W，刻蚀时间为10分钟，相对应乙烯微球的大小为2.4 μ m ;
4)在刻蚀后的乙烯微球上采用磁控溅射的方法沉积第一层厚度Mo薄膜，靶材为纯度99.999%的Mo金属靶，采用纯氩气溅射，制备致密的Mo薄膜:衬底温度为室温，本底真空为5X10_5 Pa，氩气流量为40 sccm，溅射气压为4mTorr，电极间距为110 mm，溅射功率为50W，溅射时间为24 min，得到厚度为600 nm的第一层Mo薄膜，然后将玻璃衬底放在水里进行超声处理直至乙烯小球完全处理干净；
5)采用磁控溅射或蒸发的方法再沉积第二层Mo薄膜，衬底温度为室温，本底真空为5X 10_5 Pa，氩气流量为40 sccm，溅射气压为4mTorr，电极间距为110 mm，溅射功率为50W，溅射时间为15 min，得到厚度为300nm的第二层Mo薄膜，即可制得具有周期性结构的背反射电极。
[0033]采用本发明的周期性结构的背反射电极的技术效果与实施例1类同；周期性结构的背反射电极应用于微晶硅基太阳电池的技术效果与实施例1类同。
[0034]实施例6:
一种周期性结构的背反射电极，如图1所示，包括衬底层、形成模板作用的第一层Al薄膜和起修饰作用的第二层Al薄膜，衬底层为硬质衬底玻璃，两层金属薄膜均为金属Al薄膜，其中第一层Al薄膜厚度为600nm，第二层Al薄膜的厚度为200nm，构成具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，周期性结构的背反射电极均方根粗糙度为140nm。
[0035]一种所述周期性结构的背反射电极的制备方法，利用水浴方法组装聚苯乙烯(PS)微球，用O2等离子刻蚀PS微球，利用刻蚀后的聚苯乙烯微球的模板作用，得到具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，步骤如下:
I)将玻璃衬底浸泡在H2SO4与H2O2的体积比为2:1的混合溶液里进行亲水处理，处理时间为5小时；
2)把上述玻璃衬底放在水平台上，将粒径为3 μ m、浓度为5wt%的聚苯乙烯微球乳胶溶液垂直滴在玻璃衬底上，溶液慢慢扩散开使乙烯微球不均匀散布于玻璃衬底上，然后把玻璃衬底放在水蒸气上进行自组装，经过30min的水浴，玻璃衬底上形成单层六方密排的粒径2 μ m的聚苯乙烯微球；
3 )将上述单层六方密排的聚苯乙烯微球，进行O2等离子刻蚀(RIE )，氧气流量10 Sccm，气压llpa，射频功率150W，刻蚀时间为12分钟，相对应乙烯微球的大小为2.2 μ m ;
4)在刻蚀后的乙烯微球上采用磁控溅射的方法沉积第一层厚度Al薄膜，靶材为纯度99.999%的Al金属靶，采用纯氩气溅射，制备致密的Al薄膜:衬底温度为室温，本底真空为5X10_5 Pa，氩气流量为40 sccm，溅射气压为4mTorr，电极间距为110 mm，溅射功率为50W，溅射时间为28 min，得到厚度为600 nm的第一层Al薄膜，然后将玻璃衬底放在水里进行超声处理直至乙烯小球完全处理干净；
5)采用磁控溅射或蒸发的方法再沉积第二层Al薄膜，衬底温度为室温，本底真空为5X 10_5 Pa，氩气流量为40 sccm，溅射气压为4mTorr，电极间距为110 mm，溅射功率为50W，溅射时间为14 min，得到厚度为300nm的第二层Al薄膜，即可制得具有周期性结构的背反射电极。
[0036]采用本发明的周期性结构的背反射电极的技术效果与实施例1类同；周期性结构的背反射电极应用于微晶硅基太阳电池的技术效果与实施例1类同。
[0037]综上，本发明提供了一种提高硅基薄膜太阳电池背反射电极散射特性的有效方法，该方法与传统的硅基薄膜电池背反射电极制备工艺完全兼容，并且普遍适用于非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜单结及多结NIP太阳电池。由于该周期型结构的背反射电极同时增加了对长波长和短波长光的利用，从而有利于提高电池的光吸收，改善电池短路电流，进而提高太阳电池的光电转换效率。
[0038]以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种周期性结构的背反射电极，其特征在于:包括衬底层、形成模板作用的第一层金属薄膜和起修饰作用的第二层金属薄膜，衬底层为硬质衬底玻璃，两层金属薄膜均为金属Ag、Al或Mo薄膜，其中第一层薄膜厚度为300-1000nm，第二层金属薄膜的厚度为100-500nm，构成具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，周期性结构的背反射电极均方根粗糙度为50-200 nm。
2.一种如权利要求1所述周期性结构的背反射电极的制备方法，其特征在于:利用水浴方法组装聚苯乙烯微球，用O2等离子刻蚀PS微球，利用刻蚀后的聚苯乙烯微球的模板作用，得到具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极，步骤如下: 1)将玻璃衬底浸泡在H2SO4与H2O2的体积比为2:1的混合溶液里进行亲水处理，处理时间为2-10小时； 2)把上述玻璃衬底放在水平台上，将粒径为1-5μ m、浓度为5wt%的聚苯乙烯微球乳胶溶液垂直滴在玻璃衬底上，溶液慢慢扩散开使乙烯微球不均匀散布于玻璃衬底上，然后把玻璃衬底放在水蒸气上进行自组装，经过30min的水浴，玻璃衬底上的形成单层六方密排的聚苯乙烯微球； 3)将上述单层六方密排的聚苯乙烯微球，进行O2等离子刻蚀，刻蚀后聚苯乙烯微球的大小为0.5-4 μ m ； 4)在刻蚀后的乙烯微球上采用磁控溅射或蒸发的方法沉积第一层厚度为300-1000nm的金属薄膜，然后将玻璃衬底放在水里进行超声处理直至乙烯小球完全处理干净； 5)采用磁控溅射或蒸发的方法再沉积第二层厚度为100-500nm的金属薄膜，即可制得具有周期性结构的背反射电极。
3.—种如权利要求1所述周期性结构的背反射电极的应用，其特征在于:用于作薄膜太阳电池的背反射电极，所述薄膜太阳电池为非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜太阳电池、多结叠层硅基薄膜太阳电池、铜铟镓硒太阳电池或铜锌锡硫太阳电池。
【文档编号】H01L31/18GK103474483SQ201310416645
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年9月13日 优先权日:2013年9月13日
【发明者】张晓丹, 梁雪娇, 赵颖, 高海波, 侯国付, 许盛之, 魏长春 申请人:南开大学