片式元器件内电极的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种片式元器件内电极的制作方法，首先配制陶瓷流延浆料，并将陶瓷流延浆料经流延、烘干形成陶瓷生片；再用激光器在陶瓷生片上雕刻出沟槽；最后将银浆填充到沟槽中，就形成片式元器件内电极。本发明采用沟槽填充方式制作片式元器件内电极，只需将银浆填充到沟槽中，不会造成多余的银浆的浪费；同时也不需使用化学溶液清洗显影，不会造成环境污染。
【专利说明】片式元器件内电极的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及片式电子元器件【技术领域】，尤其涉及一种制作片式元器件内电极的方法。
【背景技术】
[0002]近年来，随着科技的进步，电子元器件得到越来越广泛的应用，随着电子产品越来越往多功能及小体积化方向发展，所以对其使用的主要配件一电子元器件体积也要求越来越小。
[0003]传统的电子元器件制作细线条内电极制作方法是，先用丝网印刷方式将需要印刷图案的区域铺满银浆，然后再使用紫外光配合相应的MASK板图案对其固化、显影、水洗，最后形成所需的电极图案。
[0004]另外专利文献CN103395307A公开了一种片式电子元器件内部电极的制备方法，主要包括:在暗室中，用负性感光导电金属浆料印刷初步内电极图形，然后在掩膜板作用下，将印刷的初步内电极图形按目标内电极图形要求要求曝光固化，再经过与负性感光导电金属浆料匹配的显影液显影，用溶剂清除精细电极图形之外的电极轮廓，保留已经固化的目标内电极图形，经干燥后完成内电极制备。
[0005]使用以上方法制作电子元器件制作细线条内电极的缺点有:(1)由于是先整面把银浆印满，再把不需要银浆的位置冲洗掉，故对银浆造成浪费；(2)由于以上方法需要使用化学溶液清洗显影，故对环境造成污染；(3)由于以上方法是在料片的表面上形成电极，电极与料片存在一定高度差，这样后面的叠层工序在加压后电极就会有被压变形的风险。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种在不浪费银浆并且不污染环境的前提下，制作片式元器件内电极的方法。
[0007]为达到上述目的，本发明采用以下技术方案:
[0008]本发明公开了一种片式元器件内电极的制作方法，包括以下步骤:S1:配制陶瓷流延浆料；S2:所述陶瓷流延浆料经流延、烘干后形成陶瓷生片；S3:用激光器在所述陶瓷生片上雕刻出沟槽；S4:将银浆填充到所述沟槽中，形成片式元器件内电极。
[0009]优选地，步骤S4中采用喷墨印刷技术将银浆填充到所述沟槽，使所述沟槽刚好填满，所述银浆形成的电极与所述陶瓷生片的表面在同一水平上。
[0010]优选地，步骤SI中采用球磨配料方式配制陶瓷流延浆料，其中所述球磨配料方式的球磨转速为40-50r/min，球磨时间为39_41h。
[0011]优选地，步骤S2中的流延步骤是采用流延机将所述陶瓷流延浆料流在离型膜上，所述流延机的流延速率为2.9-3.5m/min，刀口高度为95-195 μ m，排气量为185-215m3/h。
[0012]优选地，步骤S2中的烘干步骤中的烘干温度分为五个阶段:第一阶段为45?51°C ;第二阶段为52?58°C ;第三阶段为62?68°C ;第四阶段为69?75°C ;第五阶段为62?68°C，各阶段的烘干时间均为2?4min。
[0013]优选地，所述沟槽的宽度为10-25 μ m，深度为10-15 μ m。
[0014]优选地，所述银浆的粘度系数小于或等于50000CPS。
[0015]优选地，所述陶瓷流延浆料包括玻璃粉、粘合剂、分散剂、溶剂和增塑剂。
[0016]优选地，所述玻璃粉采用MGA粉料，所述粘合剂采用罗门哈斯Paraloid?劳柏拉热塑性丙烯酸树脂A-21，所述分散剂采用高性能亚磷酸酯抗氧剂S9228，所述溶剂采用乙酸乙酯和异丙醇的混合物，所述增塑剂采用己二酸二辛脂。
[0017]优选地，所述陶瓷流延浆料中的所述MGA粉料、所述高性能亚磷酸酯抗氧剂S9228、所述乙酸乙酯、所述罗门哈斯Paraloid?劳柏拉热塑性丙烯酸树脂A-21、所述异丙醇和所述己二酸二辛脂的质量配比依次为1:0.015:2:0.3:0.1:0.1。
[0018]本发明的有益效果是:
[0019]本发明采用沟槽填充方式来制作片式元器件内电极，只需将银浆填充到沟槽中，不会造成多余的银浆的浪费；同时也不需使用化学溶液清洗显影，不会造成环境污染。
[0020]进一步地，本发明可采用高精度固态激光器雕刻出高精度的沟槽，沟槽的宽度和深度的极差都可以控制在±1 μ m以内，为制备高精度超细内电极奠定基础。
[0021]更进一步地，本发明可采用喷墨印刷技术进行填充，内电极的宽度及厚度均与雕刻出的高精度沟槽一样，线宽与线厚的极差也可以控制在±1μπι以内；并且由于银浆刚好把沟槽填满，形成的电极线条与陶瓷生片的表面在同一水平上，这样后面的叠层工序在加压后内电极也不会有被压变形的风险。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1是本发明实施例中在陶瓷生片上雕刻出沟槽的俯视图；
[0023]图2是在图1中的陶瓷生片上的沟槽中填充银浆后形成内电极的俯视图；
[0024]图3是在图1中的陶瓷生片上的沟槽中填充银浆后形成内电极的剖视图。
【具体实施方式】
[0025]下面对照附图并结合优选的实施方式对本发明作进一步说明。
[0026]本发明实施例公开了一种制作片式元器件高精度超细内电极方法，其中本实施例中的陶瓷流延浆料由玻璃粉、粘合剂、分散剂、溶剂和增塑剂组成。具体来说，玻璃粉采用MGA粉料，粒径D50为I?3 μ m，所述粘合剂可采用罗门哈斯Paraloid?劳柏拉热塑性丙烯酸树脂A-21，所述分散剂可采用高性能亚磷酸酯抗氧剂S9228，所述溶剂可采用乙酸乙酯和异丙醇的混合物，所述增塑剂可采用己二酸二辛脂。
[0027]本实施例的制作片式元器件高精度超细内电极方法，包括如下步骤:
[0028](I)用球磨配料方式配制陶瓷流延浆料。首先用球磨配料方式配制陶瓷流延浆料，称取以下各物质=MGA粉料、高性能亚磷酸酯抗氧剂S9228、乙酸乙酯、罗门哈斯Paraloid?劳柏拉热塑性丙烯酸树脂A-21、异丙醇和己二酸二辛脂，其质量配比依次为1:0.015:2:
0.3:0.1:0.1，使用球磨机球磨，球磨机转速为40?50r/min,球磨时间为39?41h。
[0029](2)将配制好的陶瓷流延浆料用流延机流在离型膜上，烘干后形成一定厚度的陶瓷生片。接着将上述配制好的陶瓷流延浆料用流延机流在离型膜上，流延机的流延速率为2.9?3.5m/min,刀口高度为95?195 μ m,排气流量为185?215m3/h ;然后烘干，烘干温度分为五个阶段:第一阶段:45?51°C ;第二阶段:52?58°C ;第三阶段:62?68°C ;第四阶段:69?75°C ;第五阶段:62?68°C，各阶段烘干时间均为2?4min。
[0030](3)如图1所示，用飞秒固态激光器在陶瓷生片10上雕刻出高精度沟槽20，本步骤中，其他实施例也可以采用皮秒固态激光器进行雕刻，但不以此为限；
[0031](4)如图2所示，用喷墨印刷技术配合合适的银浆粘度填充到沟槽当中，在陶瓷生片10内形成高精度超细内电极30，其中银浆的粘度系数最佳为小于或等于50000CPS。
[0032]由以上步骤制作出的高精度超细内电极的宽度与厚度值可以达到一样，如图3所示，且形成的高精度超细内电极30与陶瓷生片10不存在高度差，这样一方面可以保证高精度超细内电极30的精度和高精度沟槽20的精度一致，另一方面在后面叠层步骤不会把内电极压变形；从而不仅可以保证高精度超细内电极30的精度，还可以提高片式元器件电性倉泛。
[0033]此外在本实施例中，所使用的流延机来自日本平野公司，型号为L-450 ;所使用的离型膜来自东莞市东源科技有限公司，型号为SRC-T50-1L，规格为50 μ mX 150mmX 150mm ；所使用的皮秒固态激光机来自德国通快公司，型号为Dri I ing600F ；所使用的喷墨印刷机来自德国的Microdrop公司，型号为MD-K-130。
[0034]另外需要说明的是，本发明使用的沟槽填充方式同样也适用于片式元器件普通精度内电极的制作方法，并且有相同的技术效果和优势；本发明所称的片式元器件为热敏电阻、电感或电容等，但不以此为限。
[0035]以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属【技术领域】的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种片式元器件内电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: S1:配制陶瓷流延浆料； 52:所述陶瓷流延浆料经流延、烘干后形成陶瓷生片； 53:用激光器在所述陶瓷生片上雕刻出沟槽； 54:将银浆填充到所述沟槽中，形成片式元器件内电极。
2.如权利要求1所述的片式元器件内电极的制作方法，其特征在于，步骤S4中采用喷墨印刷技术将银浆填充到所述沟槽，使所述沟槽刚好填满，所述银浆形成的电极与所述陶瓷生片的表面在同一水平上。
3.如权利要求1所述的片式元器件内电极的制作方法，其特征在于，步骤SI中采用球磨配料方式配制陶瓷流延衆料，其中所述球磨配料方式的球磨转速为40-50r/min,球磨时间为 39-4Ih。
4.如权利要求1所述的片式元器件内电极的制作方法，其特征在于，步骤S2中的流延步骤是采用流延机将所述陶瓷流延浆料流在离型膜上，所述流延机的流延速率为2.9-3.5m/min,刀 口 高度为 95-195 μ m,排气量为 185_215m3/h。
5.如权利要求1所述的片式元器件内电极的制作方法，其特征在于，步骤S2中的烘干步骤中的烘干温度分为五个阶段:第一阶段为45?51°C;第二阶段为52?58°C;第三阶段为62?68°C ;第四阶段为69?75°C ;第五阶段为62?68°C，各阶段的烘干时间均为2?4min。
6.如权利要求1至5任一项所述的片式元器件内电极的制作方法，其特征在于，所述沟槽的宽度为10-25 μ m,深度为10-15 μ m。
7.如权利要求1至5任一项所述的片式元器件内电极的制作方法，其特征在于，所述银浆的粘度系数小于或等于50000CPS。
8.如权利要求1至5任一项所述的片式元器件内电极的制作方法，其特征在于，所述陶瓷流延浆料包括玻璃粉、粘合剂、分散剂、溶剂和增塑剂。
9.如权利要求8所述的片式元器件内电极的制作方法，其特征在于，所述玻璃粉采用MGA粉料，所述粘合剂采用罗门哈斯Paraloid?劳柏拉热塑性丙烯酸树脂A-21，所述分散剂采用高性能亚磷酸酯抗氧剂S9228，所述溶剂采用乙酸乙酯和异丙醇的混合物，所述增塑剂米用己二酸二辛脂。
10.如权利要求9所述的片式元器件内电极的制作方法，其特征在于，所述陶瓷流延浆料中的所述MGA粉料、所述高性能亚磷酸酯抗氧剂S9228、所述乙酸乙酯、所述罗门哈斯Paraloid?劳柏拉热塑性丙烯酸树脂A-21、所述异丙醇和所述己二酸二辛脂的质量配比依次为 I:0.015:2:0.3:0.1:0.1。
【文档编号】H01F41/00GK103632785SQ201310687802
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2013年12月12日 优先权日:2013年12月12日
【发明者】覃杰勇, 王清华 申请人:深圳顺络电子股份有限公司