高速同轴光电探测组件的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种高速同轴光电探测组件，包括一TIA芯片（1）、一TO底座（4）、一PD芯片（2）以及一一体化滤波电容（3），TIA芯片（1）设于TO底座（4）上，PD芯片（2）设于一体化滤波电容（3）上，一体化滤波电容（3）安装于TO底座（4）上，其中，一体化滤波电容（3）由至少二个电容（C1、C2）设置于同一基板上而形成，一体化滤波电容（3）既可以实现对多个电源进行滤波的功能，又可以使得对一体化滤波电容（3）的贴片改为一次贴片，从而提高了生产效率，而每个电容（C1、C2）的位置已固定，使用自动化焊线设备可保证焊线一致性，同时有效控制金丝寄生电感，从而保证高速同轴光电探测组件具有较高的灵敏度。
【专利说明】高速同轴光电探测组件
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种高速同轴光电探测组件，尤其涉及一种采用一体化滤波电容的高速同轴光电探测组件。
【背景技术】
[0002]目前常见的一种高速同轴光电探测组件，其内部的光电探测元件主要包括:ro芯片、TIA芯片、滤波电容、TO底座等，而上述的各元件之间是通过导电胶粘和金丝键合的方式形成电气连接。一般来说，高速同轴光电探测组件内部需要多个独立的电源为上述的不同芯片(如TiA、ro等)供电，而滤波电容的目的则是对上述的多个电源进行滤波。目前，业界中采用的方法是利用多个分立的电容(单层或者多层打线电容)对不同供电电源滤波。
[0003]而在高速同轴光电探测组件中，控制金丝键合引线线长，即控制金丝寄生电感对于提升整个高速同轴光电探测组件的灵敏度来说是极其重要的，而两元件之间的距离决定了它们之间的引线长度。对于目前多个分立电容的设计，若采用手动贴片，就需要对不同电容进行多次定位和贴片，影响生产效率；若采用自动贴片，多个分立电容的贴片位置则取决于贴片设备的精度以及胶量的控制，故不能有效地控制金丝键合引线线长，即不能有效地控制金丝寄生电感，从而不能保证高速同轴光电探测组件具有较高的灵敏度。
[0004]因此有必要设计一种新型的高速同轴光电探测组件，以克服上述问题。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种具有较高的灵敏度且可提高生产效率的高速同轴光电探测组件。
[0006]本实用新型是这样实现的:
[0007]本实用新型提供一种高速同轴光电探测组件，包括一 TIA芯片(I)、一 TO底座(4)、一 PD芯片(2)以及——体化滤波电容(3)，所述TIA芯片(I)设于所述TO底座(4)上，所述ro芯片(2)设于所述一体化滤波电容(3)上，所述一体化滤波电容(3)安装于所述TO底座(4)上，其中，所述一体化滤波电容(3)由至少二个电容(Cl、C2)设置于同一基板上而形成。
[0008]进一步地，所述TIA芯片(I)为裸片封装形式。
[0009]进一步地，所述TO底座(4)为光通信行业广泛使用的T0-46或T0-56底座。
[0010]进一步地，所述H)芯片(2)可以是平面结构，也可以是台面结构。
[0011]进一步地,所述ro芯片(2)具有一光敏面(40)，所述光敏面(40)与所述TO底座(4)同心设置。
[0012]更进一步地，所述一体化滤波电容(3)可以是单层电容，也可以是多层电容。
[0013]本实用新型具有以下有益效果:
[0014]1、所述TIA芯片(I)设于所述TO底座(4)上，所述H)芯片(2)设于所述一体化滤波电容(3)上，所述一体化滤波电容(3)安装于所述TO底座(4)上，其中，所述一体化滤波电容(3 )由至少二个电容(Cl、C2 )设置于同一基板上而形成，所述一体化滤波电容(3 )既可以实现对多个电源进行滤波的功能；又可以使得对所述一体化滤波电容(3)的贴片改为一次贴片，从而提闻了生广效率；
[0015]2、所述一体化滤波电容(3)由至少二个电容(Cl、C2)设置于同一基板上而形成，每个电容(Cl、C2)的位置已固定，使用自动化焊线设备，可保证焊线一致性，同时有效控制金丝寄生电感，从而保证所述高速同轴光电探测组件具有较高的灵敏度。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0017]图1为本实用新型实施例提供的高速同轴光电探测组件的内部示意图。
[0018]标号说明:
[0019]I——TIA芯片 2——PD芯片
[0020]3——一体化滤波电容(包括2个电容Cl和C2)
[0021]4——TO底座 30——TIA的Vcc Pad 40-----光敏面
[0022]21-----TIA Vcc Pad (30)到电容C2的键合金丝
[0023]22-----电容Cl到Vpd电源引脚的键合金丝
[0024]23-----电容C2到Vcc电源引脚的键合金丝。
【具体实施方式】
[0025]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0026]如图1，本实用新型实施例提供一种高速同轴光电探测组件，其内部的光电探测元件主要包括一 TIA芯片(I)、一 TO底座(4)、一 PD芯片(2)以及体化滤波电容(3)。所述TIA芯片(I)为裸片封装形式，所述TIA芯片(I)装设于所述TO底座(4)上。所述TO底座(4 )为光通信行业广泛使用的T0-46或T0-56底座，所述H)芯片(2 )可以是平面结构，也可以是台面结构，且所述H)芯片(2)具有一光敏面(40)，所述光敏面(40)与所述TO底座
(4)同心设置，即所述光敏面(40)与所述TO底座(4)的中心互相重合。
[0027]如图1，所述H)芯片(2 )装设于所述一体化滤波电容(3 )上，所述一体化滤波电容
(3)安装于所述TO底座(4)上，其中，所述一体化滤波电容(3)由至少二个电容(Cl、C2)设置于同一基板上而形成，因此，所述一体化滤波电容(3)既可以实现对多个电源进行滤波的功能，又可以使得对所述一体化滤波电容(3)的贴片改为一次贴片，从而提高了生产效率；并且，每个电容(C1、C2)的位置已固定，使用自动化焊线设备，可保证焊线一致性，同时有效控制金丝寄生电感，从而保证所述高速同轴光电探测组件具有较高的灵敏度。 [0028]而所述一体化滤波电容(3)可以是单层电容，也可以是多层电容。所述一体化滤波电容(3)上的金丝键合方式采用自动化球焊或楔焊工艺。
[0029]如图1，组装时，按照如下步骤进行:
[0030]1、将所述TIA芯片(I)在TO底座(4)上进行定位和安装，并完成其TIA的Vcc Pad
(30)的金丝键合。
[0031 ] 2、将所述H)芯片(2 )安装在所述一体化滤波电容(3 )上，再将所述一体化滤波电容(3)安装到所述TO底座(4)上，并使所述ro芯片(2)的所述光敏面(40)与所述TO底座
(4)同心设置，S卩完成多个滤波电容(Cl、C2)在TO底座(4)上的定位。
[0032]3、根据上述的定位位置，分别设计TIA Vcc Pad (30)到电容C2的键合金丝(21)、电容Cl到Vpd电源引脚的键合金丝(22)以及电容C2到Vcc电源引脚的键合金丝(23)的线长，再使用自动化焊线设备完成键合，因此可保证焊线一致性，同时有效控制金丝寄生电感，从而保证所述高速同轴光电探测组件具有较高的灵敏度。
[0033]4、完成所述高速同轴光电探测组件中其它引线的键合，即可完成所有的组装过程。
[0034]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种高速同轴光电探测组件，其特征在于，包括一 TIA芯片(I )、一 TO底座(4)、一 ro芯片(2)以及——体化滤波电容(3)，所述TIA芯片(I)设于所述TO底座(4)上，所述H)芯片(2)设于所述一体化滤波电容(3)上，所述一体化滤波电容(3)安装于所述TO底座(4)上，其中，所述一体化滤波电容(3)由至少二个电容(Cl、C2)设置于同一基板上而形成。
2.如权利要求1所述的高速同轴光电探测组件，其特征在于:所述TIA芯片(I)为裸片封装形式。
3.如权利要求1所述的高速同轴光电探测组件，其特征在于:所述TO底座(4)为光通信行业广泛使用的T0-46或T0-56底座。
4.如权利要求1所述的高速同轴光电探测组件，其特征在于:所述H)芯片(2)可以是平面结构，也可以是台面结构。
5.如权利要求1所述的高速同轴光电探测组件，其特征在于:所述ro芯片(2)具有一光敏面(40 )，所述光敏面(40 )与所述TO底座(4 )同心设置。
6.如权利要求1所述的高速同轴光电探测组件，其特征在于:所述一体化滤波电容(3)可以是单层电容，也可以是多层电容。
【文档编号】H01L25/00GK203596347SQ201320696436
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2013年11月7日 优先权日:2013年11月7日
【发明者】阮扬, 米全林 申请人:武汉电信器件有限公司