防自通薄膜开关的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种防自通薄膜开关，从上到下依次为面板层、面键层、上线路层、键片层以及下线路层，所述键片层上分布有导电块孔，所述上线路层下表面和下线路上表面对应所述导电块孔分布有导电块，所述键片层上具有贯通的通气槽，所述上线路层上对应通气槽的位置分布有通气孔。本实用新型具有防止薄膜开关自通的优点，提高了薄膜开关的质量而不增加成本和影响使用性能。
【专利说明】防自通薄膜开关
【技术领域】
[0001]本实用新型属于薄膜开关【技术领域】，尤其涉及一种防自通薄膜开关。
【背景技术】
[0002]在薄膜开关行业中，在外界温度变化较大的情况下，上下线路结构的薄膜开关存在自通的风险；而对于类似问题的处理方法长时间以来都是两种方式:(I)调节上下线路之间的键片厚度，增大上下电极之间的距离，这样在外界温度变化较大的情况下也不容易产生自通；(2)在下线路印刷绝缘点；如此做法能够在上下电极之间的距离在变小的情况下防止自通，因为绝缘点能有效防止上下电极接近(受外界较大压力除外)。上述而两者方法都未根本上解决自通问题，不仅增加薄膜开关的成本，而且使得按键的操作压力增大，造成按键操作的不便。
[0003]发明人经过分析，发现造成自通的根本原因在于:上下线路贴合时通气槽内部的空气被挤出，造成通气槽内部的气压降低，而外界气压大于内部气压的时候，上线路就会产生变形，从而使上下电极之间的间距变小产生自通。
实用新型内容
[0004]为此，本实用新型所要解决的技术问题提供一种防自动薄膜开关，该薄膜开关既不增加键片厚度、也不需要印刷绝缘点能能达到防自通的目的，克服现有技术存在的不足。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型采用如下的技术方案:
[0006]一种防自通薄膜开关，从上到下依次为面板层、面键层、上线路层、键片层以及下线路层，所述键片层上分布有导电块孔，所述上线路层下表面和下线路上表面对应所述导电块孔分布有导电块，所述键片层上具有贯通的通气槽，其特征在于:所述上线路层上对应通气槽的位置分布有通气孔。
[0007]在本实用新型【具体实施方式】中，所述通气槽连通各个导电块孔。
[0008]所述通气孔的孔径为1.5_3mm。
[0009]采用上述技术方案，薄膜开关在制作时，先将键片层与下线路层粘合，再将上线路层与键片层粘合，粘合后，由于上线路层上导气孔的存在，使得通气槽始终与外界想通，通气槽内部的气压始终与外部气压均等，这样可以防止外部气压使上下线路变形，进而避免上下电极(即导电块)之间距离变小而自通。最后，再将面键层与上线路层粘合，盖住通气孔，就可以有效防止灰尘、水气等进入按键造成产品不良。
[0010]因此，本实用新型具有防止薄膜开关自通的优点，提高了薄膜开关的质量而不增加成本和影响使用性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进行详细说明:
[0012]图1为本实用新型的结构示意图。[0013]图2为键片层的平面示意图。
[0014]图中:
[0015]101-面板层，102-面键层，103-上线路层，104-键片层，105-下线路层，106-导电块孔，107-导电块，108-通气槽，109-通气孔。
【具体实施方式】
[0016]如图1所示，本实用新型的防自通薄膜开关，从上到下依次为面板层101、面键层102、上线路层103、键片层104以及下线路层105。
[0017]其中，键片层104上分布有导电块孔106，上线路层103下表面和下线路105上表面对应导电块孔106分布有导电块(即电极)107。键片层104上具有贯通的通气槽108，上线路层103上对应通气槽108的位置分布有通气孔109。
[0018]结合图2所示，通气槽108连通各个导电块孔106。
[0019]通气孔109的孔径为1.5_3mm,优选2_。
[0020]以上就是本实用新型的防自通薄膜开关，采用上述结构，薄膜开关在制作时，先将键片层104与下线路层105粘合，再将上线路层103与键片层104粘合，粘合后，由于上线路层103上导气孔109的存在，使得通气槽108始终与外界想通，通气槽108内部的气压始终与外部气压均等，这样可以防止外部气压使上下线路变形，进而避免上下电极(即导电块)之间距离变小而自通。最后，再将面键层102与上线路层103粘合，盖住通气孔109，就可以有效防止灰尘、水气等进入按键造成产品不良。
[0021]因此，本实用新型具有防止薄膜开关自通的优点，提高了薄膜开关的质量而不增加成本和影响使用性能。
[0022]但是，本领域技术人员应该认识到，上述的【具体实施方式】只是示例性的，是为了更好的使本领域技术人员能够理解本专利，不能理解为是对本专利保护范围的限制，只要是根据本专利所揭示精神的所作的任何等同变更或修饰，均落入本专利保护的范围。
【权利要求】
1.一种防自通薄膜开关，从上到下依次为面板层、面键层、上线路层、键片层以及下线路层，所述键片层上分布有导电块孔，所述上线路层下表面和下线路上表面对应所述导电块孔分布有导电块，所述键片层上具有贯通的通气槽，其特征在于:所述上线路层上对应通气槽的位置分布有通气孔。
2.根据权利要求1所述的防自通薄膜开关，其特征在于:所述通气槽连通各个导电块孔。
3.根据权利要求1或2所述的防自通薄膜开关，其特征在于:所述通气孔的孔径为`1.5-3mm。
【文档编号】H01H13/702GK203674034SQ201320892402
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日
【发明者】彭广圆, 李万政 申请人:上海意力寰宇电路世界有限公司