静电放电保护装置的制作方法

技术特征：
1.一种静电放电保护装置，其特征在于，该静电放电保护装置包括：具有有源区的半导体衬底；形成在该有源区的具有第一导电类型的第一阱区；形成在该第一阱区的具有该第一导电类型的第一掺杂区；布置在该第一掺杂区的第一金属触点；形成在该第一阱区的具有第一导电类型的第二掺杂区；以及布置在该有源区的第二金属触点，连接到该第一阱区，其中，该第一金属触点和该第二金属触点被布置在该第一阱区的多晶硅图样隔开，该第二金属触点被设置在该第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度小于该第一掺杂区的掺杂浓度，该第一掺杂区的掺杂浓度大于该第一阱区的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，进一步包括：第一硅化物图样以及第二硅化物图样分别的覆盖该第一阱区的部分区域，其中，该第一硅化物图样被布置在该第一金属触点与该第一掺杂区之间，以及该第二硅化物图样被布置在该第二金属触点与该第一阱区之间。3.根据权利要求2所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第一硅化物图样与该第二硅化物图样分别的毗邻该多晶硅图样的两个相对端。4.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，还包括：形成在环绕第一阱区的边界的有源区上、且具有第二导电类型的第二阱区，该第二导电类型与该第一导电类型相反；形成在第二阱区的具有该第二导电类型的第三掺杂区，以及被布置在该第三掺杂区上的第三金属触点。5.根据权利要求4所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第三掺杂区以及该第一掺杂区被隔离图样隔开。6.根据权利要求4所述的静电放电保护装置，其特征在于，进一步包括：形成在该有源区的第三阱区，当该半导体衬底具有第一导电类型时，该第三阱区接触该第一阱区和该第二阱区的底部。7.根据权利要求4所述的静电放电保护装置，其特征在于，该半导体衬底具有该第二导电类型。8.根据权利要求4所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第三掺杂区的掺杂浓度大于该第二阱区的掺杂浓度。9.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，进一步包括：形成在围绕该第一阱区边界的有源区上，且具有该第一导电类型的第二阱区。10.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第一导电类型是n型，以及该半导体衬底是p型，以及该第一金属触点与输入/输出装置耦接以及第二金属触点与低压电源端子耦接；或者，该第一金属触点与低压电源端子耦接，该第二金属触点与输入/输出装置耦接；或者，该第一导电类型是n型，该半导体衬底是p型，该第一金属触点与高压电源端子耦接，以及该第二金属触点与输入/输出装置耦接；或者，该第一导电类型是p型，该半导体衬底是p型，该第一金属触点与高压电源端子耦接，以及该第二金属触点与输入/输出装置耦接；或者，该第一导电类型是p型，该半导体衬底是p型，该第一金属触点与输入/输出装置耦接，以及该第二金属触点与低压电源端子耦接；或者，该第一导电类型是p型，该半导体衬底是p型，该第一金属触点与低压电源端子耦接，该第二金属触点与输入/输出装置耦接。11.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，布置在该多晶硅图样的两个相对侧壁的间隔。12.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，该多晶硅图样是电浮动或与该第一阱区耦接。13.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第二金属触点以及该第一阱区形成肖特基二极管。14.一种静电放电保护装置，其特征在于，该静电放电保护装置包括：具有有源区的半导体衬底；形成在该有源区的具有第一导电类型的第一阱区；形成在该第一阱区的具有该第一导电类型的第一掺杂区；布置在该第一掺杂区的第一金属触点；形成在该第一阱区的具有第一导电类型的第二掺杂区；以及布置在该有源区的第二金属触点，连接该第一阱区，其中，该第一阱区上表面的位于该第一金属触点与该第二金属触点之间的至少一部分不具有硅化物，该第二金属触点被设置在该第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度小于该第一掺杂区的掺杂浓度，该第一掺杂区的掺杂浓度大于该第一阱区的掺杂浓度。15.一种静电放电保护装置，其特征在于，该静电放电保护装置包括：具有有源区的半导体衬底；形成在该有源区的具有第一导电类型的第一阱区；形成在该第一阱区的具有该第一导电类型的第一掺杂区；布置在该第一掺杂区的第一金属触点；形成在该第一阱区的具有第一导电类型的第二掺杂区；以及布置在该有源区的第二金属触点，连接该第一阱区，其中，没有掺杂区形成在该第二金属触点以及该第一阱区之间，该第二金属触点被设置在该第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度小于该第一掺杂区的掺杂浓度，该第一掺杂区的掺杂浓度大于该第一阱区的掺杂浓度。