一种刻蚀机的防静电结构的制作方法

本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种刻蚀机的防静电结构。

背景技术：

光伏发电是利用太阳光能使半导体电子器件有效地吸收太阳光辐射能，并使之转变成电能的直接发电方式，是当今太阳光发电的主流。当前，人们通常所说太阳光发电就是太阳能光伏发电，亦称太阳能电池发电，其核心部件是太阳能电池片。

在太阳能电池的制备过程中，仪器设备、材料操作者都很容易因摩擦而产生几千伏的静电电压。当器件与这些带电体接触时，带电体就会通过器件引出脚放电，导致器件失效。静电放电损伤不仅对MOS器件很敏感，而且在双极器件中同样也存在ESD损伤问题。在典型工作环境中，人体电容约为150配方，如果感应的电荷量约0.6μC，那么就会导致4KV的静电势。若将带电人体作用在集成电路上，会产生一个强电场然后击穿集成电路内部的一些绝缘体或PN结；它会对集成电路内部的元器件放电，虽然时间非常短，典型值约10ns~100ns，但瞬间电流可达1A~10A，这足以造成半导体元件的热破坏。静电产生的因素有多种：1、摩擦起电；2、感应起电；3、人体起电。而目前太阳能电池生产中，刻蚀机台的滚轮在不断运转时，会产生摩擦起电，会对带有PN结的硅片带来不小的伤害，不仅会造成PN结被击穿，而且会影响电池片转化效率。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种刻蚀机的防静电结构。

为达到上述发明目的，本实用新型采用的技术方案是：一种刻蚀机的防静电结构，包括离子风机和送风管道，所述离子风机的出风口与送风管道的入口连接，所述送风管道的出口设有一喷淋头，喷淋头的喷淋口朝向硅片的传输平面布置。

优选地，所述喷淋头的宽度与硅片宽度相匹配。

优选地，所述喷淋头的宽度大于或等于硅片宽度。

上述方案中，所述喷淋头上开设有喷淋孔，喷淋孔的孔径范围为1~2mm。例如1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm等。

上述方案中，所述送风管道的出口位于刻蚀机机台风刀后的下料口处，避免因硅片带有静电而破坏PN结及吸附尘埃。

上述方案中，所述送风管道的出口设于硅片传输平面上方，距离硅片传输平面5~20厘米，在此范围内除静电效果佳。例如6厘米、7厘米、8厘米、9厘米、10厘米、11厘米、12厘米、13厘米、14厘米、15厘米、16厘米、17厘米、18厘米、19厘米等。

优选的，所述送风管道的出口设于硅片传输平面的上方，距离硅片传输平面10~15厘米。

上述方案中，所述离子风机上设置有电压调节装置，用于调整环境的离子平衡，迅速将硅片上的静电中和掉。

上述方案中，还包括一气流调节阀，该气流调节阀设于离子风机出风口或送风管道上，用于调节风量大小，以控制除静电范围。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1. 本实用新型在现有技术中通过增加离子风机，离子风机中电晕放电器电离出的压缩空气通过送风管道送至硅片上，有效中和了硅片表面的静电，避免了PN结被破坏，同时减少硅片对尘埃的吸附。

2.本实用新型的结构简单，易于制备，价格低廉，适于推广应用。

附图说明

图1为本实用新型实施例一结构示意图。

图2为本实用新型实施例一中喷淋头和硅片的俯视图。

以上附图中：1、离子风机；2、送风管道；3、喷淋头；4、硅片；5、传输滚轮；6、风刀。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例一：

参见图1~2所示，一种刻蚀机的防静电结构，包括离子风机和送风管道，所述离子风机1的出风口与送风管道2的入口连接，送风管道2的出口朝向硅片4的传输平面布置，离子风机1内通入洁净的压缩空气，硅片4通过传输滚轮5传输。

所述送风管道2的出口设有一喷淋头3，喷淋头3的喷淋口朝向硅片4的传输平面布置。

所述喷淋头3的宽度以覆盖硅片4的宽度为佳，覆盖范围广，防止硅片4被吹偏离轨道。参见图2所示，硅片4的宽度为图中b所示，硅片宽度方向和传输滚轮的宽度方向一致。

图1中箭头所指方向为硅片4传输方向，所述送风管道2的出口位于刻蚀机机台风刀6后的下料口处，避免因硅片4带有静电而破坏PN结及吸附尘埃。

所述送风管道2的出口设于硅片4传输平面上方，距离硅片4传输平面10厘米，在此范围内除静电效果佳，实际应用中也可设置为5厘米、8厘米、15厘米、20厘米，或5~20厘米范围内的任意值。

所述离子风机1上设置有电压调节装置，用于调整环境的离子平衡，迅速将硅片4上的静电中和掉。

还包括一气流调节阀，该气流调节阀设于离子风机1出风口或送风管道2上，用于调节风量大小，以控制除静电范围。