技术总结
本发明提供一种静电放电保护装置，其包括：具有有源区的半导体衬底；形成在该有源区的具有第一导电类型的第一阱区；形成在该第一阱区的具有该第一导电类型的第一掺杂区；布置在该第一掺杂区的第一金属触点；形成在该第一阱区的具有第一导电类型的第二掺杂区；以及布置在该有源区的第二金属触点，连接到该第一阱区，其中，该第一金属触点和该第二金属触点被布置在第一阱区的多晶硅图样隔开，该第二金属触点被设置在第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度小于该第一掺杂区的掺杂浓度，该第一掺杂区的掺杂浓度大于该第一阱区的掺杂浓度。该静电放电保护装置能够在高速电路中使用。
技术研发人员：曾峥;柯庆忠;黄柏狮
受保护的技术使用者：联发科技股份有限公司
文档号码：201410029613
技术研发日：2014.01.22
技术公布日：2017.03.01