制造图案化的透明导体的方法
【专利摘要】提供一种制造图案化导体的方法，该方法包括：提供导电的基材，其中所述导电的基材包括基材和导电层；提供导电层蚀刻剂；提供纺丝材料；提供遮蔽纤维溶剂；形成大量遮蔽纤维并将该大量遮蔽纤维沉积在导电层上；将该导电层暴露在导电层蚀刻剂中，其中将未被大量遮蔽纤维覆盖的导电层从基材中去除，在由大量遮蔽纤维覆盖的基材上留下互相连通的导电网络；和将所述大量遮蔽纤维暴露在遮蔽纤维溶剂中，将所述大量遮蔽纤维去除以使基材上互相连通的导电网络不被覆盖。
【专利说明】制造图案化的透明导体的方法 【技术领域】
[〇〇〇1] 本发明一般地涉及制备图案化透明导体的领域。 【背景技术】
[0002] 具有高导电性和高透明度的膜对于在宽范围的电子应用中用作电极或涂层有重 要价值，所述电子应用包括例如触摸屏显示器和光伏电池。用于这些应用的现有技术包括 使用通过物理气相沉积方法沉积的含掺锡氧化铟（ΙΤ0)的膜。物理气相沉积法的高投资成 本导致人们希望寻找替代的透明导电材料和涂覆方法。使用银纳米线分散成为渗透网已成 为一种含ΙΤ0膜的有前景的替代方式。使用银纳米线可能具有适合使用卷对卷（roll to roll)技术进行加工的优点。因此，银纳米线具有低制造成本的优点以及与常规的含ΙΤ0膜 相比能提供较高透明度和导电性的可能性。
[0003] 在电容触摸屏应用中，人们需要导电性的图案。这些应用的一个关键难题在于，所 形成的图案必须是对人眼不可见的（或者几乎是不可见的）。Allemand等人在美国专利第 8, 018, 568号中公开了一种用来提供基于纳米线的图案化透明导体的方法。Allemand等人 公开了一种光学均一的透明导体，其包括：基材；位于该基材上的导电膜，所述导电膜包括 多个互连的纳米结构，在所述导电膜上的图案限定了以下区域：（1)具有第一电阻率、第一 透射度（transmission)和第一雾度（haze)的未蚀刻区域，以及（2)具有第二电阻率、第二 透射度和第二雾度的蚀刻区域；所述蚀刻区域的电导性小于未蚀刻的区域，所述第一电阻 率与第二电阻率之比至少为1000;所述第一透射度与第二透射度之间的差异小于5%;所述 第一雾度和第二雾度之间的差异小于〇. 5%。
[0004] 需要注意的是，人们仍然需要用于制造具有导电性区域和非导电性区域的图案化 透明导体的替代方法，其中所述导电性区域和非导电性区域基本上无法通过人眼分辨。
【发明内容】
[0005] 本发明提供了一种用于制造图案化导体的方法，其包括：提供导电的基材 (conductivised substrate)，其中所述导电的基材包括基材和导电层（electrically conductive layer);提供导电层蚀刻剂；提供纺丝材料（spinning material);提供遮蔽纤 维（masking fiber)溶剂；形成大量遮蔽纤维并将该大量遮蔽纤维沉积在导电层上；任选 地，将该大量遮蔽纤维压制在导电层上；将导电层暴露在导电层蚀刻剂中，其中将未被该大 量遮蔽纤维覆盖的导电层从基材中去除，在由该大量遮蔽纤维覆盖的基材上留下互相联通 的导电网络；和将该大量遮蔽纤维暴露在遮蔽纤维溶剂中，除去所述大量遮蔽纤维以使基 材上互相联通的导电网络不被覆盖。
[0006] 本发明提供了一种用于制造图案化透明导体的方法，其包括：提供导电的透明基 材，其中所述导电的透明基材包括透明基材和导电层；提供导电层蚀刻剂；提供纺丝材料； 提供遮蔽纤维溶剂；形成大量遮蔽纤维并将该大量遮蔽纤维沉积在导电层上；任选地，将 该大量遮蔽纤维压制在导电层上；将导电层暴露在导电层蚀刻剂中，其中将未被该大量遮 蔽纤维覆盖的导电层从基材中去除，在由该大量遮蔽纤维覆盖的基材上留下互相联通的导 电网络；和将该大量遮蔽纤维暴露在遮蔽纤维溶剂中，除去所述大量遮蔽纤维以使基材上 互相联通的导电网络不被覆盖。
[0007] 本发明提供了一种用于制造图案化透明导体的方法，其包括：提供导电的透明基 材，其中所述导电的透明基材包括透明基材和导电层，其中该导电层是导电金属层；提供导 电层蚀刻剂；提供纺丝材料；提供遮蔽纤维溶剂；形成大量遮蔽纤维并将该大量遮蔽纤维 沉积在导电层上；任选地，将该大量遮蔽纤维压制在导电层上；将导电层暴露在导电层蚀 刻剂中，其中将未被该大量遮蔽纤维覆盖的导电层从基材中去除，在由该大量遮蔽纤维覆 盖的基材上留下互相联通的导电网络；和将该大量遮蔽纤维暴露在遮蔽纤维溶剂中，除去 所述大量遮蔽纤维以使基材上互相联通的导电网络不被覆盖。
[0008] 本发明提供了一种用于制造图案化透明导体的方法，其包括：提供导电的透明基 材，其中所述导电的透明基材包括透明基材和导电层；提供导电层蚀刻剂；提供纺丝材料； 提供遮蔽纤维溶剂；形成大量遮蔽纤维并将该大量遮蔽纤维沉积在导电层上，其中该大量 遮蔽纤维通过选自以下的方法形成并沉积在导电层上：静电纺丝、熔喷、气体射流纺丝、气 体射流静电纺丝、离心纺丝、无针静电纺丝、和熔融静电纺丝；任选地，将该大量遮蔽纤维压 制在导电层上；将导电层暴露在导电层蚀刻剂中，其中将未被该大量遮蔽纤维覆盖的导电 层从基材中去除，在由该大量遮蔽纤维覆盖的基材上留下互相联通的导电网络；和，将该大 量遮蔽纤维暴露在遮蔽纤维溶剂中，除去所述大量遮蔽纤维以使基材上互相联通的导电网 络不被覆盖。
[0009] 本发明提供了一种用于制造图案化透明导体的方法，其包括：提供导电的透明基 材，其中所述导电的透明基材包括透明基材和导电层，其中该导电层是导电的金属层；提 供导电层蚀刻剂；提供纺丝材料；提供遮蔽纤维溶剂；形成大量遮蔽纤维并将该大量遮蔽 纤维沉积在导电层上，其中该大量遮蔽纤维通过选自以下的方法形成并沉积在导电金属层 上：静电纺丝、熔喷、气体射流纺丝、气体射流静电纺丝、离心纺丝、无针静电纺丝、和熔融静 电纺丝；任选地，将该大量遮蔽纤维压制在导电层上；将导电层暴露在导电层蚀刻剂中，其 中将未被该大量遮蔽纤维覆盖的导电层从基材中去除，在由该大量遮蔽纤维覆盖的基材上 留下互相联通的导电网络；和将该大量遮蔽纤维暴露在遮蔽纤维溶剂中，除去所述大量遮 蔽纤维以使基材上互相联通的导电网络不被覆盖。
[〇〇1〇] 本发明提供了根据本发明的方法制备的图案化的透明导体。 【专利附图】
【附图说明】
[0011] 图1-3是根据实施例制备的本发明的图案化透明导体的光学显微镜俯视图像。
[0012] 详细描述
[0013] 在本文说明书和权利要求书中，术语〃总透光率〃表示根据ASTMD1003_llel测定 的本发明图案化透明导体的光透射率，单位为％。
[0014] 在本文说明书和权利要求书中，术语〃雾度〃表示根据ASTM D1003_llel测定的 本发明图案化透明导体的雾度，单位为％。
[0015] 通过本发明的方法制备的图案化导体可用于各种用途，例如作为电磁屏蔽应用。 使用本发明的方法制备的优选的图案化透明导体特别适合用于电容触摸屏用途。为了用于 这些用途，希望提供包括导电性区域和非导电性区域的图案的透明导体。提供这样图案化 透明导体的一个重要挑战是使总透光率最大化和使雾度最小化。
[0016] 制造本发明的图案化导体(优选为图案化透明导体）的方法优选地包括：提供导电 的基材(优选为导电的透明基材；更优选的为金属化的透明基材)，其中所述导电的基材包 括基材(优选地，所述基材为透明基材）和导电层(优选为导电金属层）；提供导电层蚀刻剂； 提供纺丝材料；提供遮蔽纤维溶剂；形成大量遮蔽纤维并将该大量遮蔽纤维沉积在导电层 上；任选地，将该大量遮蔽纤维压制在导电层上；将导电层暴露在导电层蚀刻剂中，其中将 未被该大量遮蔽纤维覆盖的导电层从基材中去除，在由该大量遮蔽纤维覆盖的基材上留下 互相联通的导电网络；和将该大量遮蔽纤维暴露在遮蔽纤维溶剂中，除去所述大量遮蔽纤 维以使基材上互相联通的导电网络不被覆盖。
[0017] 在本发明的方法中使用的导电的基材中的基材可选自任何已知的基材。优选地， 在该导电的基材中使用的基材是透明基材，其选自任何已知的透明基材，包括：透明导电 的基材和透明不导电的基材。优选地，所述透明基材选自下组材料：聚对苯二甲酸乙二酯 (PET)、聚碳酸（PC)、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)、聚萘二甲酸乙二酯（PEN)、聚醚砜（PES)、环 状烯烃聚合物（C0P)、三乙酰纤维素（TAC)、聚乙烯醇（PVA)、聚酰亚胺（PI)、聚苯乙烯（PS) (如双轴拉伸的聚苯乙烯）和玻璃(如购自道康宁公司（Dow Corning)的GoHllak玻璃和 Wniowu玻璃)。更优选地，该透明基材选自下组材料：玻璃、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、 聚碳酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯。最优选地，该透明基材是聚对苯二甲酸乙二酯。
[0018] 该导电的基材(优选为导电的透明基材）中的导电层可包括任何已知的导电材料。 优选地，该导电层包括导电金属或金属氧化物。优选地，该导电层是导电金属层，所述导电 金属层选自下组：银、铜、钯、钼、金、锌、硅、镉、锡、锂、镍、铟、铬、锑、镓、硼、钥、锗、锆、铍、 铝、镁、锰、钴、钛、以及它们的合金和氧化物。更优选地，该导电金属层选自银和至少一种 选自下组的元素与银形成的合金：铜、钯、钼、金、锌、硅、镉、锡、锂、镍、铟、铬、锑、镓、硼、钥、 锗、锆、铍、铝、镁、锰、钴、钛。最优选地，该导电金属层是银。
[0019] 该导电层和基材(优选地，所述基材是透明基材）可优选地采用已知技术结合在一 起。优选地，该导电层可通过将导电箔或导电片经粘结剂层压在基材表面上的方法施加在 基材表面(优选地，该基材是透明基材)。优选地，所述导电层可通过以下方法沉积在基材 表面(优选地，该基材是透明基材）：溅射、等离子喷涂、热喷涂、电喷雾沉积、化学气相沉积 (如等离子体增强的化学气相沉积、金属有机化学气相沉积)、原子层沉积、物理气相沉积、 脉冲激光沉积、阴极电弧沉积、电镀、化学沉积和电流体力学沉积（electrohydrodynamic deposition)。优选地，使用选自以下的方法将所述导电层沉积在基材表面(优选地，该基材 是透明基材）：化学溶液沉积、喷漆，浸涂，旋涂，刮涂，接触涂布（kiss coating),凹版 涂布，丝网印刷，喷墨印刷和移印（pad printing)。最优选地，该导电层是溉射沉积在该 基材表面上的(优选地，所述基材是透明基材)。
[0020] 该基材上的导电层（优选地，所述基材是透明基材）优选的平均厚度为10-100nm (更优选为50-150nm ;最优选为90-110nm)。
[0021] 本发明方法中使用的纺丝材料优选包含遮蔽材料。更优选地，该纺丝材料包含遮 蔽材料和载体。本领域普通技术人员有能力选择合适的材料用作遮蔽材料和载体。优选的 遮蔽材料适用于通过以下方法沉积：
[0022] 静电纺丝、熔喷、气体射流纺丝、气体射流静电纺丝、离心纺丝、无针静电纺丝、和 熔融静电纺丝，也适用于当该导电层(优选为导电金属层）暴露于导电层蚀刻剂(优选为金 属蚀刻剂)时作为抗蚀材料。优选地，该遮蔽材料选自已知的可静电纺丝的成膜材料，例如： 成膜聚合物（如聚丙烯酸、聚环氧乙烷、聚乙烯醇、聚乙烯基丙烯）；纤维素(如羟基丙基纤维 素、硝酸纤维素）；丝；及其混合物。更优选地，所述遮蔽材料是聚甲基丙烯酸甲酯。最优选 地，所述遮蔽材料是重均分子量Mw为10, 000-1，000, 000g/mol (优选为50, 000-500, 000g/ mol ;更优选为 100, 000-500, 000g/mol ;最优选为 250, 000-450, 000g/mol)的聚甲基丙烯酸 甲酯。最优选地，所述纺丝材料是聚甲基丙烯酸甲酯在以下至少一种物质中的溶液：氯仿、 甲基乙基酮、丙酮、丙醇、甲醇、和异丙醇(优选为丙酮和异丙醇的混合物)。
[0023] 优选地，本发明的方法中，将所述纺丝材料通过以下方法制成纤维并沉积在导电 层上：静电纺丝、熔喷、气体射流纺丝、气体射流静电纺丝、离心纺丝、无针静电纺丝、和熔融 静电纺丝。更优选地，本发明的方法中，将所述纺丝材料通过静电纺丝制成纤维并沉积在导 电层上。更优选地，本发明的方法中，将所述纺丝材料通过静电纺丝制成纤维并沉积在导电 层上，其中该纺丝材料进料通过中间开口的喷嘴，制成大量遮蔽纤维，并将该大量遮蔽纤维 沉积在透明基材的导电层上。本领域普通技术人员有能力选择合适的静电纺丝工艺条件。 优选地，在本发明的方法中，所述纺丝材料以0. 1-100微升/分钟(优选1-50微升/分钟； 更优选10-40微升/分钟；最优选20-30微升/分钟）的流速进料通过喷嘴。
[0024] 较佳的是，在本发明的方法中，所述喷嘴设定为相对于基材施加正的电势差。更 优选地，所述施加的电势差为5-50kV (优选5-30kV;更优选5-25kV;最优选5-10kV)。
[0025] 任选地，将沉积在导电层的大量遮蔽纤维压制以保证该大量遮蔽纤维与导电层之 间的良好接触。优选地，通过在压制该大量遮蔽纤维前，将带有导电层的透明基材与其上的 大量遮蔽纤维置于两层非粘性片（如两层特氟隆片）之间对在导电层上的大量遮蔽纤维进 行压制。
[0026] 优选地，本发明的方法中，将导电层(含有沉积在其上大量遮蔽纤维）暴露于导电 层蚀刻剂中，未被大量遮蔽纤维覆盖的导电层从透明基材上被蚀刻掉，而在被大量遮蔽纤 维覆盖的透明基材上留下了互相连通的导电网络。本领域普通技术人员有能力选择适合用 于本发明方法的用于导电层的导电层蚀刻剂。优选地，当导电层是银时，导电层蚀刻剂选自 氢氧化铵/过氧化氢在甲醇中的溶液(优选ΝΗ 40Η: H202: CH30H的摩尔比为1:1:4 );九水合硝 酸铁（III)水溶液(优选20重量％ Fe(N03)3在去离子水中的溶液);和磷酸/硝酸/乙酸水 溶液(优选H 3P04: HN03: CH3C00H: H20的摩尔比为3:3:23:1)。当导电层是银时，该导电层蚀 刻剂更优选地选自九水合硝酸铁（III)水溶液(优选20重量％ Fe (N03) 3在去离子水中的溶 液);和磷酸/硝酸/乙酸水溶液(优选H3P04: HN03: CH3C00H: H20的摩尔比为3:3:23:1)。当导 电层是银时，该导电层蚀刻剂最优选为九水合硝酸铁（III)水溶液(优选20重量％ Fe (N03) 3 在去离子水中的溶液)。
[〇〇27] 优选地，本发明的方法中，将覆盖了基材上(优选地，所述基材为透明基材）互相连 通的导电网络的大量遮蔽纤维予以去除。优选地，将该大量遮蔽纤维暴露于遮蔽纤维溶剂， 去除所述大量遮蔽纤维以使基材(优选地，所述基材为透明基材）上互相连通的导电网络不 被覆盖。本领域普通技术人员有能力选择适合用于本发明方法的遮蔽纤维溶剂。优选地， 该遮蔽纤维溶剂选自：氯仿、甲基乙基酮、丙酮、丙醇、甲醇、异丙醇和它们的混合物(更优选 是丙酮与异丙醇的混合物，最优选是丙酮)。
[0028] 较佳的是，在本发明的方法中，所述互相连通的导电网络以受控制的图案的形式 形成于基材之上。较佳的是，所述受控制的图案选自规则图案和不规则的图案。更优选地， 所述互相连通的导电网络以不规则图案的形式形成。较佳的是，所述受控制的图案是网格 图案。网格图案包括例如直边多边形（例如菱形、正方形、矩形、三角形、六边形等）；圆形； 多重弯曲的形状（multi-curved shape);弯曲边和直边相结合的形状（例如半圆形）；以 及以上形状的组合。
[0029] 较佳的，本发明的方法中，形成的大量遮蔽纤维具有窄直径。据信，窄直径纤维适 用于形成具有窄线宽的互相连通的导电网络，这样光通过图案化透明导体的阻碍是最小 的，以使该导体透明度最高，雾度最小，并使互相连通的导电网络对于人眼的可见性最小。 优选地，形成大量遮蔽纤维中的遮蔽纤维并沉积在导电层上，其中沉积的遮蔽纤维的平均 直径〈200 μ m。更优选地，形成大量遮蔽纤维中的遮蔽纤维并沉积在导电层上，其中沉积的 遮蔽纤维的平均直径〈1〇〇 μ m。更优选地，形成大量遮蔽纤维中的遮蔽纤维并沉积在导电层 上，其中沉积的遮蔽纤维的平均直径〈20 μ m。最优选地，形成大量遮蔽纤维中的遮蔽纤维并 沉积在导电层上，其中沉积的遮蔽纤维的平均直径〈2 μ m。
[0030] 采用本发明的方法制备的图案化透明导体具有〈ΙΟΟΩ/sq (更优选<50Q/sq;更 优选〈10 Ω/sq ;最优选〈5 Ω/sq)的薄层电阻Rs (通过本文实施例中所述的方法测定)。
[0031] 采用本发明的方法制备的图案化透明导体优选具有>80% (更优选>90% ;最优选 >95%)的总透光率。
[0032] 采用本发明的方法制备的图案化透明导体优选具有〈5%(更优选〈4% ;最优选〈3%) 的雾度。
[0033] 现在将在以下实施例中详细描述本发明的一些实施方式。 【具体实施方式】
[0034] 实施例中给出的总透光率（T透光率)数据是使用BYK仪器公司（BYK Instrument)的 雾度-嘉德和透明度仪（Haze-gard plus transparency meter)，根据 ASTM D1003-1 lei 测 定的。
[0035] 实施例中给出的雾度（Η雾度）数据是使用BYK仪器公司（BYK Instrument)的雾 度-嘉德和透明度仪（Haze-gard plus transparency meter)，根据 ASTMD1003_llel 测定 的。
[0036] 图案化透明导体的薄层电阻是通过Delc〇m717B非接触式导电率监测仪，根据 ASTM F1844监测，并使用购自嘉德工程有限公司（Jandel Engineering Limited)的Jendel HM-20科力纳（colliner)四点探针测试单元，根据ASTMF390-11测量。通过这些技术测得 的平均薄层电阻如表1中所示。
[0037] 实施例中使用的金属化透明基材是188 μ m厚的双轴拉伸的聚对苯二甲酸乙二酯 膜(购自东丽工业有限公司（Toray Industries，Inc.)的Lumirror? U35)，通过麦特里昂大 面积涂料公司（Materion Large Area Coatings, LLC)将平均厚度为100nm的银膜溉射沉 积在该膜上。
[0038] 实施例中使用的纺丝材料中的聚甲基丙烯酸甲酯的重均分子量Mw约为 360, 000(购自科学聚合物产品公司（Scientific Polymer Products, Inc·)。
[0039] 实施例中使用的在纺丝材料中的丙酮/异丙醇溶剂混合物是90重量％丙酮/10 重量％异丙醇的混合物。
[0040] 实施例中使用的纺丝材料是12重量％的聚甲基丙烯酸甲酯在丙酮/异丙醇溶剂 混合物中的溶液。
[0041] 实施例中的九水合硝酸铁（III)金属蚀刻剂水溶液通过以下方法制备：将20g九 水合硝酸铁（ΠΙ)(购自西格玛-奥德里奇公司（Sigma-Aldrich)，产品编号F3002)放入烧 杯中，然后边搅拌边在该烧杯中加入80g去离子水。
[0042] 实施例1 :制各图案化的诱明导体
[0043] 通过配有单喷嘴纺丝头和转筒基材载体(具有直径100mm长220mm筒的模块 EM-RDC)的台式静电纺丝箱(购自ME技术公司（ME Technologies))，在银涂覆的透明 基材上静电纺丝了大量遮蔽纤维。所用喷嘴的内径为〇.5mm。静电纺丝时，通过普森斯型 No. NE1000 (ProSense Model No. NE1000)注射泵将该纺丝材料输送至喷嘴，设定输送纺丝 材料的流速为25微升/分钟。所述静电纺丝工艺在实验室中，在环境大气条件下、在温度 22 °C、相对湿度31 %的条件下进行。
[0044] 所述金属化的透明基材卷绕在购自IME技术公司（IME Technologies)的模块 EM-RDC转筒收集器的转筒上，所述透明基材金属化的表面朝外。
[0045] 纺丝操作的其它参数如下所示：旋转的基材与针之间的距离设定为8厘米；喷嘴 设定为7. 0KV ;基材下方的板设定为-0. lkV ;转筒收集器上的筒转速（y轴）设定为200rpm ; 针扫描速度（X轴）设定为5毫米/秒；针扫描距离设定为120毫米。纺丝操作进行1分 钟。然后将金属化的透明基材在转筒上旋转90度(这样在旋转筒上的金属化透明基材的旋 转取向与第一纺丝路径垂直)，然后重新开始纺丝操作并再进行1分钟。
[〇〇46] 随后，将在其上沉积了大量聚甲基丙烯酸酯遮蔽纤维的金属化透明基材从旋转筒 上移除，将其置于两个特氟隆薄片之间，并将该透明基材与该特氟隆薄片一起置于预热至 设定点温度17CTC的考林实验室的平台压制机P300E (Collin Laboratory Platen Press P300E)中。然后在170°C下对该金属化透明基材施加 lObar的压力3分钟；再在170°C下 对其施加150bar的压力1分钟。通过插入两个16°C的冷却盒(一个在样品上面，一个在样 品下面）来骤冷该基材，随后关闭平台压制机。几分钟内观察到样品接近室温。
[0047] 随后将在其上压制了大量遮蔽纤维的金属化透明基材浸入九水合硝酸铁（III) 金属蚀刻剂水溶液浴中1分钟，并温和搅拌该溶液。然后将该基材在常温下在3个连续去 离子水浴中浸渍5秒。然后将基材在环境条件下空气干燥，得到具有被大量压制的遮蔽纤 维覆盖的互相连通的银网络的透明基材。
[0048] 然后通过将基材浸在丙酮浴中5分钟(无需搅拌)将大量压制的遮蔽纤维去除。然 后从丙酮浴中移出基材，并在环境条件下空气干燥，得到图案化透明基材，其上有未被覆盖 的互相连通的银网络。
[0049] 将该基材切割成2. 54厘米X2. 54厘米的样品用于表征。在样品上5个不同的点 处测量总透光率（Τ_^);雾度（H#s);和样品的薄层电阻。这些测量结果的平均值列于表 1。对于聚对苯二甲酸乙二酯基础基材，所报告的和H 分别为92. 2 %和0. 49%。
[0050] 通过光学显微镜以不同的放大倍数（250 μ m, 100 μ m, and20 μ m)得到基材的平面 图。图像分别如图1-3所示。
[0051] 表 1
[0052]
【权利要求】
1. 一种制造图案化导体的方法，该方法包括： 提供导电的基材，其中所述导电的基材包括基材和导电层； 提供导电层蚀刻剂； 提供纺丝材料； 提供遮蔽纤维溶剂； 形成大量遮蔽纤维并将该大量遮蔽纤维沉积在所述导电层上； 任选地，在所述导电层上压制所述大量遮蔽纤维； 将该导电层暴露在所述导电层蚀刻剂中，其中将未被所述大量遮蔽纤维覆盖的导电层 从所述基材中去除，在由所述大量遮蔽纤维覆盖的基材上留下互相连通的导电网络；和， 将所述大量遮蔽纤维暴露在所述遮蔽纤维溶剂中，其中将所述大量遮蔽纤维去除以使 基材上互相连通的导电网络不被覆盖。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化导体是图案化的透明导体，其中 所述导电的基材包括透明基材和导电层。
3. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述导电层是导电金属层，所述导电金属 层选自下组：银、铜、钮、钼、金、锌、娃、镉、锡、锂、镍、铟、铬、铺、镓、硼、钥、锗、锫、铍、错、镁、 锰、钴、钛、以及上述金属的合金和氧化物。
4. 如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述大量遮蔽纤维通过选自以下方法形成 并沉积在所述导电层上：静电纺丝、熔喷、气体射流纺丝、气体射流静电纺丝、离心纺丝、无 针静电纺丝和熔融静电纺丝。
5. 如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述互相连通的导电网络是在基材上的一 个受控制的图案。
6. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述受控制的图案是规则图案。
7. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述受控制的图案是不规则图案。
8. 如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述导电层是银。
9. 如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述图案化的透明导体具有>80%的总透光 率；〈5%的雾度；和〈5 Ω /Sq的薄层电阻。
10. -种图案化的透明导体，通过如权利要求1所述的方法制备。
【文档编号】H01B1/02GK104103336SQ201410125701
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年3月31日 优先权日:2013年4月1日
【发明者】J·朱, J·克拉拉克, S·费福尔特, M·巴席尔, P·特雷福纳斯, G·康纳瑞, K·M·奥康纳 申请人:罗门哈斯电子材料有限公司