具有对位标记的半导体器件以及显示装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种半导体器件及具有该半导体器件的显示装置。该半导体器件包括半导体衬底及对位标记。该对位标记包括设置在该半导体衬底上的第一层状结构，该第一层状结构包括间隔设置的多个第一图案；及设置在该第一层状结构上的该第二层状结构，该第二层状结构包括第二图案；该多个第一图案及该第二图案均为非透明图案，该多个第一图案围绕该第二图案设置。该半导体器件的对比度较高。
【专利说明】具有对位标记的半导体器件以及显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种具有对位标记的半导体器件以及显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，在显示装置的制造过程中，通常采用玻璃上芯片(Chip On Glass, COG)技术将半导体器件(如:芯片)压合到显示装置的透明基板上。为使该半导体器件能够被压合到该透明基板的正确位置上，通常在该半导体器件及该透明基板上分别设置相应的对位标记。具体地，该半导体器件上所设置的对位标记通常包括多个第一图案与第二图案，该多个第一图案围绕该第二图案设置，该多个第一图案与该第二图案系由同一层金属布线蚀刻而成。其中，该第二图案的形状与该透明基板上所设置的对位标记的形状相对应。
[0003]在压合该半导体器件到该透明基板的过程中，利用光电检测器或裸眼检测到该半导体器件上的对位标记及该透明基板上的对位标记后，再将该半导体器件上的对位标记的第二图案与该透明基板上的对位标记进行精确对准，从而使得该半导体器件能够被压合到该透明基板的正确位置上。
[0004]然，由于该多个第一图案与该第二图案系由同一层金属布线蚀刻而成，因此，该多个第一图案所对应的区域的亮度与该第二图案所对应的区域的亮度相差不大，即，二区域之间的视觉差别不大，从而导致光电检测器或裸眼很难检测区分该半导体器件上的二对位标记，故，该半导体器件与该透明基板很难实现高度精确对准。
【发明内容】
[0005]为解决现有技术半导体器件的对位标记的对比度较低的技术问题，有必要提供一种具有对比度较高的对位标记的半导体器件。
[0006]为解决现有技术显示装置的半导体器件的对位标记的对比度较低的技术问题，有必要提供一种具有对比度较高的对位标记的半导体器件的显示装置。
[0007]本发明提供一种半导体器件，其包括:
半导体衬底；及
对位标记，该对位标记设置在该半导体衬底上，该对位标记包括:
第一层状结构，该第一层状结构设置在该半导体衬底上，该第一层状结构包括间隔设置的多个第一图案；及
第二层状结构，该第二层状结构设置在该第一层状结构上，该第二层状结构包括第二图案；
其中，该多个第一图案及该第二图案均为非透明图案，该多个第一图案围绕该第二图案设置。
[0008]本发明提供一种显示装置，其包括:
透明基板；及
半导体器件，该半导体器件压合在该透明基板上，其中，该半导体器件包括:半导体衬底；及
对位标记，该对位标记设置在该半导体衬底上，该对位标记包括:
第一层状结构，该第一层状结构设置在该半导体衬底上，该第一层状结构包括间隔设置的多个第一图案；及
第二层状结构，该第二层状结构设置在该第一层状结构上，该第二层状结构包括第二图案；
其中，该多个第一图案及该第二图案均为非透明图案，该多个第一图案围绕该第二图案设置。
[0009]相较于现有技术，由于该多个第一图案位于该第二图案与该半导体衬底之间，即该多个第一图案与该第二图案位于不同层，且该第二图案较该多个第一图案更远离该半导体衬底，因此，经由该多个第一图案反射并射出该半导体器件的光线被该第二图案所在的第二层状结构吸收以及折射等，从而使得从该半导体器件上对应该多个第一图案的区域射出的光线的强度降低，从而增加了第二图案所在区域与该多个第一图案所在区域之间的亮度差异。相应地，在压合该半导体器件到该显示装置的透明基板时，光电检测器能较容易检测到该第二图案，从而 控制机台使该半导体器件较精确地压合至该透明基板的相应位置上。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明显示装置的剖面结构示意图。
[0011]图2为从图1所示显示装置的显示面板的第一基板一侧向半导体器件一侧观察，该半导体器件的平面示意图。
[0012]图3为图2所示该半导体器件上的对位标记的第一实施方式的放大结构示意图。
[0013]图4为沿图3所示的线IV-1V所作的部分剖面结构示意图。
[0014]图5为图2所示该半导体器件上的电路区中的部分电路元件的剖面结构示意图。
[0015]图6为图5所示电路元件之间的连接关系图。
[0016]图7为图2所示该半导体器件上的对位标记的第二实施方式的放大结构示意图。
[0017]图8为沿图7所示的线VII1-VIII所作的部分剖面结构示意图。
[0018]图9为图2所示该半导体器件上的对位标记的第三实施方式的放大结构示意图。
[0019]图10为图2所示该半导体器件上的对位标记的第四实施方式的放大结构示意图。
[0020]图11为沿图10所示的线X1-XI所作的部分剖面结构示意图。
[0021]主要元件符号说明
【权利要求】
1.一种半导体器件，其包括: 半导体衬底；及 对位标记，该对位标记设置在该半导体衬底上，其特征在于:该对位标记包括: 第一层状结构，该第一层状结构设置在该半导体衬底上，该第一层状结构包括间隔设置的多个第一图案；及 第二层状结构，该第二层状结构设置在该第一层状结构上，该第二层状结构包括一第二图案； 其中，该多个第一图案及该第二图案均为非透明图案，该多个第一图案围绕该第二图案设置。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于:该半导体器件上设有预设区，每一预设区中对应设置该对位标记，定义该对位标记对应该第二图案所在的区域为第一区域，该预设区内除该第一区域的外的区域则为第二区域，该第一区域的亮度小于该第二区域的亮度，以增加该对位标记的第一区域与第二区域之间的亮度差异。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于:该第一层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第一图案，且对应该第二图案设置的多个第一图案与围绕该第二图案设置的多个第一图案彼此间隔分布。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于:对应该第二图案设置的多个第一图案与围绕该第二图案设置的 多个第一图案在该第一层状结构中均匀分布。
5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于:该对位标记进一步包括第三层状结构，该第三层状结构沿该半导体衬底厚度方向，设置在该第一层状结构与该第二层状结构之间，该第三层状结构包括间隔设置的多个第三图案，该多个第三图案为非透明图案，且该多个第三图案位于该第二区域内并围绕该第二图案设置，该多个第三图案与该多个第一图案相互配合，以增加该对位标记的第一区域与第二区域的亮度差异。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于:每一第一图案与至少一第三图案部分重叠。
7.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于:该多个第一图案与该多个第三图案错开设置。
8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于:该第三层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第三图案，且对应该第二图案设置的多个第三图案与围绕该第二图案设置的多个第三图案彼此间隔分布。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于:该第一层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第一图案，且对应该第二图案设置的多个第一图案与围绕该第二图案设置的多个第一图案彼此间隔分布。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于:对应该第二图案设置的每一第一图案与至少一第三图案部分重叠。
11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于:对应该第二图案设置的多个第三图案与围绕该第二图案设置的多个第三图案在该第三层状结构中均匀分布。
12.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于:该第三层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第三图案，且对应该第二图案设置的多个第三图案与围绕该第二图案设置的多个第三图案彼此间隔分布。
13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于:该第一层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第一图案，且对应该第二图案设置的多个第一图案与围绕该第二图案设置的多个第一图案彼此间隔分布。
14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于:对应该第二图案设置的每一第一图案与至少一第三图案部分重叠。
15.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于:对应该第二图案设置的多个第三图案与围绕该第二图案设置的多个第三图案在该第三层状结构中均匀分布。
16.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于:该第二图案用于与该半导体器件所要压合的目标对象上的对位标记进行对准。
17.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于:该第一层状结构中的第一图案均为点状图案。
18.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于:该第一层状结构中的第一图案与该第三层状结构中的第三图案均为点状图案。
19.如权利要求18所述的半导体器件，其特征在于:该第一层状结构中的第一图案的形状及大小均基本相同，该第三层状结构中的第三图案的形状及大小均基本相同。
20.一种显示装置，该显示装置包括: 透明基板 '及 半导体器件，该半导体器件压合在该透明基板上，其特征在于:该半导体器件为上述权利要求1-19中任意一项所述的半导体器件。
【文档编号】H01L23/544GK103579194SQ201210409651
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2012年10月24日 优先权日:2012年8月1日
【发明者】杨俊平, 张大鹏 申请人:天钰科技股份有限公司