封装玻璃上的对位标记及其制造方法、oled及其生产方法
【专利摘要】本发明涉及OLED封装技术领域，提供了一种封装玻璃上的对位标记及其制造方法、OLED及其生产方法。其中，封装玻璃上对位标记的制造方法，包括以下步骤：S1、在封装玻璃上镀金属钼，并使得钼层覆盖封装玻璃；S2、在钼层上涂覆一层光刻胶；S3、对光刻胶层进行选择性曝光；S4、采用显影液对光刻胶进行显影，得到过渡对位标记；S5、采用蚀刻工艺对过渡对位标记之间的钼进行刻蚀；S6、剥离过渡对位标记，得到对位标记。采用金属钼代替金属钛，其中钼是灰色的过渡金属，不存在反光，从而便于后续对位安装；此外，采用钼元素制造得到的对位标记，其厚度没有特殊要求，从而便于后续的刻蚀并不易在封装基板上产生残留，避免残留导致的暗点不良的情况的发生。
【专利说明】
封装玻璃上的对位标记及其制造方法、OLED及其生产方法
技术领域
[0001] 本发明涉及0LED封装技术领域，尤其涉及一种封装玻璃上的对位标记及其制造方 法、0LED及其生产方法。
【背景技术】
[0002] 0LED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物，与电力的正极相 连，再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了 ：空穴传输层 (HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就 会在发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色，构成基本色彩。 0LED的特性是自己发光，不像TFT LCD需要背光，因此可视度和亮度均高。其次是电压需求 低且省电效率高，加上反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低等特点。
[0003] 0LED技术主要包括EV和EN两大技术关键。其中，EV即进行蒸镀工艺，EN即封装工 〇
[0004] 在封装工艺过程中，为了将干燥剂置于盖板及顺利将盖板与基板黏合，需在真空 环境或将腔体充入不活泼气体下进行，例如氮气。值得注意的是，如何让盖板与基板这两部 分工艺衔接更有效率、减少封装工艺成本以及减少封装时间以达最佳量产速率，已俨然成 为封装工艺及设备技术发展的三大主要目标。
[0005] 当前封装工艺过程中，需要在封装玻璃上做钛元素的对位标记。具体地，现在封装 玻璃上镀钛，一般钛层的厚度为l〇〇〇*l(T 1()m;然后采用干法刻蚀工艺仅留下对位标记区域 的钛，其他区域钛需要被全部刻蚀掉。
[0006] 上述对位标记存在的问题是:首先，对上述0LED产品进行E/T(探索测试)检测发现 有一种发生率很高的暗点不良，主要原因是封装玻璃在做钛元素的对位标记时，采用干法 刻蚀在大面积刻蚀区域容易有钛残留，进而产生暗点不良，导致良率不易提升，请参见图1。 其中，采用自动光学检测仪设备可以检出来封装玻璃上的残留钛，请参见图2,图2中体现了 残留钛的各种形状。
[0007] 其次，钛外观似钢，具有银灰光译，会有反光，从而影响高倍显微镜的对位;最后， 为了对位，钛层的厚度需要设计较高，但是与此同时会导致刻蚀工艺难度提高。
[0008] 并且，当前0LED产品存在很大的不良急需解决，比如线、点、混色等等，而点不良占 很大一部分，几乎达30%以上。其中点不良很大一部分原因和上述对位标记的生产有关。
【发明内容】
[0009] (一)要解决的技术问题
[0010] 本发明要解决的技术问题就是提供一种封装玻璃上的对位标记制造方法和0LED 生产方法，其不仅可以减少封装玻璃上存在的暗点不良的情况，而且还可以避免钛元素自 身特点带来的不易对位和刻蚀的问题。此外，还提供一种根据上述方法得到的装玻璃上的 对位标记以及0LED。
[0011] (二)技术方案
[0012] 为了解决上述技术问题，本发明提供了一种封装玻璃上对位标记的制造方法，包 括以下步骤：
[0013] S1、在封装玻璃上镀上一层金属钼，并使得钼层覆盖所述封装玻璃；
[0014] S2、在所述钼层上涂覆一层光刻胶；
[0015] S3、对所述光刻胶层进行选择性曝光；
[0016] S4、采用显影液对光刻胶进行显影，得到过渡对位标记；
[0017] S5、采用蚀刻工艺对所述过渡对位标记之间的钼进行刻蚀；
[0018] S6、剥离所述过渡对位标记，得到对位标记。
[0019] 优选地，还包括S7、在S6中得到的所述对位标记上覆盖一层保护层。
[0020] 优选地，还包括S7、在S6中得到的所述对位标记，以及位于所述对位标记之间的封 装玻璃上覆盖一层保护层。
[0021 ] 优选地，所述S5中，采用湿法刻蚀工艺对所述过渡对位标记之间的钼进行刻蚀。 [0022] 优选地，所述S2中，所述光刻胶为正性胶;所述S3中，对位于所述过渡对位标记之 间的光刻胶进行曝光。
[0023]优选地，所述S3中，采用掩膜对光刻胶进行选择性曝光。
[0024]优选地，所述S1中，所述钼层的厚度为500Xl(T1Qm。
[0025]优选地，所述保护层为Si02保护层。
[0026]优选地，所述Si02保护层的厚度为500X
[0027] 本发明还提供一种封装玻璃上的对位标记，所述对位标记通过上述方法得到。 [0028]本发明还提供一种0LED生产方法，包括：
[0029] S1、采用上述的方法在封装玻璃上设定位置制造出对位标记；
[0030] S2、在安装玻璃上安装LED驱动集成电路和发光层；
[0031] S3、在所述LED驱动集成电路和所述发光层上设置RGB颜色通道；
[0032] S4、对所述封装玻璃和所述安装玻璃进行对位；
[0033] S5、在所述对位标记与所述封装玻璃，以及所述对位标记与所述安装玻璃之间均 注入封框胶。
[0034] 本发明还提供一种0LED，通过上述0LED生产方法生产得到。
[0035](三)有益效果
[0036] 本发明的技术方案具有以下优点：本发明的一种封装玻璃上对位标记的制造方 法，采用金属钼代替金属钛，其中钼是灰色的过渡金属，不存在反光，从而便于后续对位安 装;此外，采用钼元素制造得到的对位标记，其厚度没有特殊要求，从而便于后续的刻蚀并 不易在封装基板上产生残留，避免残留导致的暗点不良的情况的发生。
【附图说明】
[0037] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0038] 图1是现有技术中残留钛导致暗点不良发生的机理示意图；
[0039] 图2是现有技术中残留钦的结构不意图；
[0040] 图3是本申请的封装玻璃上对位标记的制造方法的流程示意图；
[0041] 图4是本申请的封装玻璃上透光率测试取样点的分布示意图；
[0042] 图5是本申请的没有Si02保护层白玻璃和镀有Si02保护层的封装玻璃的对比参照 示意图；
[0043]图中：1、封装玻璃;2、安装玻璃;3、LED驱动集成电路和发光层;4、RGB颜色通道;5、 残留钛;6、对位标记;7、钼层;8、蚀刻液;9、Si02保护层。
【具体实施方式】
[0044] 下面结合附图和实施例对本发明的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于 说明本发明，但不能用来限制本发明的范围。
[0045] 在本发明的描述中，需要说明的是，术语"中心"、"纵向"、"横向"、"上"、"下"、 "前"、"后"、"左"、"右"、"竖直"、"水平"、"顶"、"底"、"内"、"外"等指示的方位或位置关系为 基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗 示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对 本发明的限制。此外，术语"第一"、"第二"、"第三"仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗 示相对重要性。
[0046] 在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语"相连"、"连 接"应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接;可以是机 械连接，也可以是电连接;可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的 普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0047]本实施例的封装玻璃1上对位标记6的制造方法，包括以下步骤：
[0048] S1、在封装玻璃1上镀上一层金属钼，并使得钼层7覆盖所述封装玻璃1;
[0049] S2、在所述钼层7上涂覆一层光刻胶；
[0050] S3、对所述光刻胶层进行选择性曝光；
[0051] S4、采用显影液对光刻胶进行显影，得到过渡对位标记；
[0052] S5、采用蚀刻工艺对所述过渡对位标记之间的钼进行刻蚀；
[0053] S6、剥离所述过渡对位标记，得到对位标记6。
[0054]本实施例的封装玻璃1上对位标记6的制造方法，采用金属钼代替金属钛，其中钼 是灰色的过渡金属，不存在反光，从而便于后续对位安装;此外，采用钼元素制造得到的对 位标记6,其厚度没有特殊要求，从而便于后续的刻蚀并不易在封装基板上产生残留，避免 残留导致的暗点不良的情况的发生。
[0055] 其中通过S6得到的对位标记6已经具有指导对位的作用。具体对位过程中，一般需 要采用高位显微镜进行对位，从而保证对位的准确性。并且，为了保证对位标记6的对位指 导作用，钼层7的高度一般维持在500 X 左右。和传统技术中1000 X 的钛层相比， 显然采用钼元素制造得到对位标记6更加容易些。具体地，S5中蚀刻的钼层7相对传统钛层 厚度降低，从而更容易将位于对位标记6之间的钼层7蚀刻掉。
[0056] 此外，封装玻璃1上对位标记6的制造过程中，对位标记6生成位置是确定的。但是 生产过程中，对位标记6又没法一次生成。因此，需要借助过渡对位标记辅助对位标记6的制 造。其中，对位过渡标记的位置显然和最终生成的对位标记6的位置是对应的。并且，在过渡 对位标记辅助价值完成之后，则需要去掉该辅助过渡对位标记。
[0057]本实施例中，显影掉对位标记6之外的光刻胶后，得到和对位标记6相对应的光刻 胶形成过渡对位标记。
[0058] 在此基础上，为了保护对位标记6，防止对位过程中对位标记6被破坏，优选在对位 标记6上再加上一层保护层。
[0059]本实施例中，保护层优选但是不必须为Si02保护层9。得到的封装玻璃1上对位标 记6的制造方法请参见图3。
[0060] 其中，可以将Si02保护层9仅仅覆盖在对位标记6上，但是，该种情况受到工艺限制 不容易实现。有鉴于此，本实施例中也可以将Si02保护层9覆盖在对位标记6以及位于所述 对位标记6之间的封装玻璃1上，请进一步参见图3。
[0061] Si02保护层9的厚度优选但是不必须为SOOXlO^nuSiO〗保护层9的厚度可以使得 对位标记6的高度得到延伸，从而进一步保证对位准确。
[0062] 为了证明Si02保护层9不会对光透光率产生负面影响，本实施例对没有设置Si02 保护层9的封装玻璃1，以及设置有Si02保护层9的封装玻璃1的透过率分别进行测量。
[0063] 请参见图4,该图中显示了玻璃上取样点的分布。对没有设置Si02保护层9的白玻 璃，以及设置有Si02保护层9的封装玻璃1的透过率进行分析，得到对照结果如图5所示。图5 中，左边的曲线图表示的是没有设置Si02保护层9的白玻璃对不同波长的光的透射率，右边 的表示的是设置有Si02保护层9的封装玻璃1对不同波长的光的透射率。且图5中，横坐标代 表光波长，纵坐标代表光透射率。此外，图5中曲线编号和图4中取样点的编号对应。
[0064] 从图5中可知，镀Si02保护层9的封装玻璃1的透射率高于没有Si02保护层9的白玻 璃，因此可知设置Si02保护层9不仅可以提高对位精度，而且还可以稍微提升封装玻璃1的 透射率。
[0065] 在此基础上，对设置有钼层7和Si02保护层9的封装玻璃1做检测，具体检测标准为 信赖性检测，得到评价结果请参见表1:
[0067]表 1
[0068] 上述表1中，test item指代的是测试项目；condition指的是条件，包括test也即 测试环境，和process即工艺条件；issue指的是问题。测试项目包括了31'、1^3、册3、1'批。其 中，TST指的是高低温循环试验;LTS是低温存储试验;HTS是高温存储试验;THS是高温高湿 存储试验。在上述每个试验中投入样品10片，测试240小时后，结果都是0K;所以，这种新的 OLED生产方法生产得到的OLED可以通过信赖性测试。
[0069] 通过该评价结果可知通过本实施例的封装玻璃1上对位标记6的制造方法制得的 对位标记6符合要求。
[0070] 进一步参见图3,本实施例中优选采用湿法刻蚀工艺对所述过渡对位标记之间的 钼进行刻蚀，也即通过采用蚀刻液8刻蚀特定的钼，进一步保证刻蚀效果，避免在封装玻璃1 上残留钼。
[0071] 需要说明的是，S2中，所述光刻胶可以采用正性胶或者是负性胶。由于正性胶在显 影液中溶解度很高，且具有很好的对比度，因此本实施例中，优选采用正性胶。在此基础上， S3中，对位于所述过渡对位标记之间的光刻胶进行曝光。
[0072] 本实施例中最终要在设定位置生成对位标记6,因此对位标记6的位置首先是确定 的。在此基础上，根据对位标记6的位置，对与对位标记6对应的光刻胶不进行曝光，而对其 它位置的光刻胶进行曝光。优选但是不必须S3中，采用掩膜对光刻胶进行选择性曝光。
[0073] 本实施例还提供一种封装玻璃1上的对位标记6,通过上述提到的封装玻璃1上对 位标记6的制造方法制造得到。
[0074] 此外，本实施例还通一种0LED生产方法，包括：
[0075] S1、采用上述方法在封装玻璃1上设定位置制造出对位标记6;
[0076] S2、在安装玻璃2上安装LED驱动集成电路和发光层3;
[0077] S3、在所述LED驱动集成电路和所述发光层上设置RGB颜色通道4;
[0078] S4、对所述封装玻璃1和所述安装玻璃2进行对位；
[0079] S5、在所述对位标记6与所述封装玻璃1，以及所述对位标记6与所述安装玻璃2之 间均注入封框胶。
[0080] 其中，安装玻璃2指的是用于安装LED驱动集成电路和发光层3的玻璃。
[00811在此基础上，本实施例还提供一种根据上述0LED生产方法生产得到的0LED。显然， 该0LED包括封装玻璃1和安装玻璃2，还包括位于封装玻璃1上的对位标记6。
[0082]以上实施方式仅用于说明本发明，而非对本发明的限制。尽管参照实施例对本发 明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本发明的技术方案进行各种组合、 修改或者等同替换，都不脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的权利要 求范围当中。
【主权项】
1. 一种封装玻璃上对位标记的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 51、 在封装玻璃上镀上一层金属钼，并使得钼层覆盖所述封装玻璃； 52、 在所述钼层上涂覆一层光刻胶； 53、 对所述光刻胶层进行选择性曝光； 54、 采用显影液对光刻胶进行显影，得到过渡对位标记； 55、 采用蚀刻工艺对所述过渡对位标记之间的钼进行刻蚀； 56、 剥离所述过渡对位标记，得到对位标记。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括S7、在S6中得到的所述对位标记上 覆盖一层保护层。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括S7、在S6中得到的所述对位标记，以 及位于所述对位标记之间的封装玻璃上覆盖一层保护层。4. 根据权利要求1至3任意一项所述的方法，其特征在于，所述S5中，采用湿法刻蚀工艺 对所述过渡对位标记之间的钼进行刻蚀。5. 根据权利要求1至3任意一项所述的方法，其特征在于，所述S2中，所述光刻胶为正性 胶;所述S3中，对位于所述过渡对位标记之间的光刻胶进行曝光。6. 根据权利要求1至3任意一项所述的方法，其特征在于，所述S3中，采用掩膜对光刻胶 进行选择性曝光。7. 根据权利要求1至3任意一项所述的方法，其特征在于，所述S1中，所述钼层的厚度为 500X10_10m〇8. 根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述保护层为Si02保护层。9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述Si02保护层的厚度为500 X ΚΓ%!。10. -种封装玻璃上的对位标记，其特征在于，所述对位标记通过权利要求1至9任意一 项所述的方法得到。11. 一种OLED生产方法，其特征在于，包括： 51、 采用权利要求1至9任意一项所述的方法在封装玻璃上设定位置制造出对位标记； 52、 在安装玻璃上安装LED驱动集成电路和发光层； 53、 在所述LED驱动集成电路和所述发光层上设置RGB颜色通道； 54、 对所述封装玻璃和所述安装玻璃进行对位； 55、 在所述对位标记与所述封装玻璃，以及所述对位标记与所述安装玻璃之间均注入 封框胶。12. -种OLED，其特征在于，通过权利要求11所述的方法生产得到。
【文档编号】H01L51/56GK106025094SQ201610291110
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月4日
【发明人】陈飞, 王彦青
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司