一种半导体芯片台面的钝化方法
【专利摘要】本发明提供了一种半导体芯片台面的钝化方法，包括，将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，并遮挡所述半导体芯片的非台面区域，以仅使所述半导体芯片的台面区域暴露在外；向所述反应室内通入反应性气体CH4，所述反应性气体CH4在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体；所述等离子体在所述半导体芯片的台面上淀积一层类金刚石薄膜，以形成钝化层。该钝化方法具有效率高、均匀性好、可重复性高、灵活性强以及人工成本低的优点。
【专利说明】一种半导体芯片台面的钝化方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种半导体芯片台面的钝化方法。
【背景技术】
[0002]在高压功率半导体器件中，决定该器件电压高低除了其内部结构参数以外还取决于表面处理，减小表面电场，提高表面耐压，使之高于体耐压是一项非常重要的工作。
[0003]为了提高PN结表面击穿电压，降低表面电场强度，管芯需要进行造型，使表面有一个合理的形状。高压结终端造型中，目前采用最广的是台面(斜面)造型技术。常见的台面造型有正负斜角造型、双面负斜角造型、双面正斜角造型。
[0004]由于管芯造型后的台面暴露在外面，所以它的表面很容易吸附一层离子，而且很容易被有害杂质所污染，从而导致表面漏电流加大。由于吸附离子和表面同外界条件有很大的关系，表面不加保护的管芯性能是不稳定的，特别是在加电压的情况下，在电场的作用下，周围环境中的杂质更容易吸附在管芯表面上造成漏电流急剧加大，阻断电压降低。所以，为了提高元件的可靠性和稳定性，需要对造型表面进行钝化处理，使其对化学和电性能方面都呈现一种稳定的状态。
[0005]而针对这些台面造型的钝化工艺中，目前采用最广的钝化方法为软钝化方法。软钝化方法采用的钝化材料通常为液态的聚酯亚胺(SU)或聚酰亚胺(pi)。这种钝化方法通常需要人工使用毛笔蘸涂或用注射器涂覆，然后在不高于300°C温度下进行固化。
[0006]由于这种方法是人工手动操作很难保证台面钝化层质量的稳定性。同时软钝化方法采用的钝化材料有极强的刺激性气味，污染环境，并对人体危害较大。
[0007]而且，这种钝化方法采用的钝化材料在涂覆过程中极易引入气泡，这样在高温固化后，气泡中的气体释放，使得钝化材料出现缩胶现象。这就需要进行返工处理，降低了工作效率。而且这种钝化材料极易吸潮，并易老化，从而导致漏电流增大，引起器件的长期可靠性问题。
【发明内容】
[0008]有鉴于此，为了解决上述软钝化方法所带来的问题，本发明提供了一种半导体芯片台面的钝化方法。
[0009]为了解决上述技术问题，本发明采用了如下技术方案:
[0010]一种半导体芯片台面的钝化方法，包括，
[0011]将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，并遮挡所述半导体芯片的非台面区域，以仅使所述半导体芯片的台面区域暴露在外；
[0012]向所述反应室内通入反应性气体CH4,所述反应性气体CH4在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体；
[0013]所述等离子体在所述半导体芯片的台面上淀积一层类金刚石薄膜，以形成钝化层。[0014]优选的，所述将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内之后，所述向所述反应室内通入反应性气体CH4之前，还包括，
[0015]向所述反应室内通入惰性气体，以清洗所述半导体芯片的台面区域。
[0016]优选的，所述将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内之前，还包括，
[0017]采用氧等离子体对所述反应室进行清洗。
[0018]优选的,所述反应性气体还包括H2。
[0019]优选的，所述将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内之前，还包括，
[0020]将所述半导体芯片放置在与所述预定台面造型相匹配的工装上，所述相匹配即当所述半导体芯片放置到所述工装上后，所述工装能够将所述半导体芯片的非台面区域遮盖;
[0021]所述将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，具体为，
[0022]将设置有预定台面造型的半导体芯片和所述工装一起置入反应等离子体刻蚀的反应室内。
[0023]优选的，所述与所述预定台面造型相匹配的工装能够使放置在所述工装上的所述半导体芯片悬空。
[0024]优选的，所述工装包括支座，所述支座为倒圆台型支座。
[0025]优选的，所述预定台面造型为双面负斜角造型，所述双面负斜角造型包括第一台面和第二台面，
[0026]所述将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，具体为，将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，使所述第一台面朝上；
[0027]所述等离子体在所述半导体芯片的台面上淀积一层类金刚石薄膜，具体为，所述等离子体在所述半导体芯片的第一台面上淀积一层类金刚石薄膜；
[0028]所述等离子体在所述半导体芯片的第一台面上淀积一层类金刚石薄膜之后，还包括，
[0029]将所述半导体芯片从所述反应等离子体刻蚀的反应室内取出；
[0030]改变所述半导体芯片的置入方向，按照改变后的置入方向再次将所述半导体芯片放置在所述反应室内，使所述第二台面朝上；
[0031]向所述反应室内再次通入反应性气体CH4,所述反应性气体CH4在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体；
[0032]所述等离子体在所述半导体芯片的第二台面上淀积类金刚石薄膜。
[0033]优选的，所述反应性气体CH4的气体流量为250sccm。
[0034]优选的，所述反应室内的腔体压强为150mTorr。
[0035]本发明具有以下有益效果:
[0036]本发明提供的半导体芯片台面的钝化方法，基于反应等离子体刻蚀(RIE，reactive ion etch)原理,将通入反应室内的反应性气体甲烧CH4在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体，产生的等离子体在半导体芯片的台面区域淀积一层类金刚石薄膜。这种借助反应等离子体设备完成的半导体芯片台面的钝化方法，通过控制沉积时的工艺参数一致，就可保证淀积的钝化层质量的稳定性。而且通过本发明提供的钝化方法形成的类金刚石薄膜为硬性钝化材料，可以实现钝化层的无针孔和无颗粒的要求，降低了返工率，从而提高了工作效率。
[0037]同时，通过本发明提供的钝化方法形成的类金刚石薄膜具有硬度高、摩擦系数低、电阻率高、电绝缘性和热导率高的性能，同时具有良好的化学稳定性和抗腐蚀性，因此，可以大大提高半导体芯片和器件的长期可靠性。
[0038]另外，通过本发明提供的钝化方法形成的类金刚石薄膜没有气味，不会对环境和人体造成危害。
【专利附图】
【附图说明】
[0039]为了清楚地理解本发明的【具体实施方式】，下面对描述【具体实施方式】时需要使用的附图作简要说明。显而易见地，这些附图仅是本发明实施例的一部分附图，本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以获得其它附图。
[0040]图1是等离子体刻蚀的原理示意图；
[0041]图2是本发明实施例提供的半导体芯片台面的钝化方法流程示意图；
[0042]图3 (I)至图3 (3)是半导体芯片台面造型的剖面结构示意图；
[0043]图4 (I)至图4 (3)是不同台面造型的芯片与工装的放置位置示意图；
[0044]图5 (I)至图5 (3)是不同台面造型的芯片在反应室内的位置示意图；
[0045]图6是本发明实施例提供的进行两次淀积的半导体芯片台面造型的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0046]为了清楚地理解本发明提供的半导体芯片台面的钝化方法的【具体实施方式】，下面结合附图进行详细说明。
[0047]首先结合图1介绍等离子体的形成原理。反应性等离子体刻蚀系统包括反应室，在反应室内包括上、下一对电极。进行等离子体刻蚀时，将待刻蚀的基片放置在下电极上，刻蚀气体通过上电极的喷淋头式的进气口注入到反应室，在RF射频源的作用下，在反应室内形成均匀的等离子体，等离子体移动到基片表面对基片进行刻蚀。
[0048]将上述通入的刻蚀气体替换为反应性气体，该反应性气体在射频源功率的作用下辉光放电产生反应性等离子体，该反应性等离子体会沉积在基片的表面，从而淀积形成一层薄膜。
[0049]本发明提供的半导体芯片台面的钝化方法就是采用上述原理完成。
[0050]图2示出了本发明提供的半导体芯片台面的钝化方法的流程示意图。如图3所示，本发明提供的半导体芯片台面的钝化方法包括以下步骤:
[0051]S201、将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，并遮挡所述半导体芯片的非台面区域，以仅使所述半导体芯片的台面区域暴露在外:
[0052]将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内的承载盘上，并用挡片遮挡所述半导体芯片的非台面区域，以仅使半导体芯片的台面区域暴露在夕卜。需要说明的是，所述承载盘位于下电极上。
[0053]需要说明的是，半导体芯片表面区域包括台面区域和非台面区域。为了保持半导体芯片的可靠性和稳定性，仅需要在半导体芯片的台面区域进行钝化处理。所以，为了防止在非台面区域淀积上钝化层，在进行淀积之前，需要将半导体芯片的非台面区域遮挡起来，仅使半导体芯片的台面区域暴露在外。
[0054]S202、关闭反应室上盖，抽除反应室内的气体，使其变成真空状态:
[0055]需要说明的是，抽除气体后，所述反应室内的压强优选为150mTorr。
[0056]S203、打开RF射频源，向反应室内通入反应性气体CH4，所述反应性气体CH4在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体:
[0057]通过上电极上的喷淋头式进气口向反应室内通入反应性气体CH4，所述反应性气体CH4在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体。从而在反应室内形成等离子氛围。
[0058]其中，反应性气体CH4的气体流量优选为250sccm。此外，所述反应性气体除了甲烷CH4以外，还可以包括H2,即反应性气体为CH4和H2。当反应性气体中包括H2时，生成的类金刚石薄膜中的氢的含量会增高，氢含量越高，薄膜的电阻率越高，因此薄膜的钝化效果越好。
[0059]需要说明的是，由于反应性气体辉光放电时，会产生热量，反应室内的温度会逐渐升高，因而，为了保证淀积薄膜的顺利进行并且为了保证淀积薄膜的质量，在淀积过程中，为了降低反应室内的温度，有利于等离子体的沉积，可以通过冷却下电极的方法实现。
[0060]S204、所述等离子体在所述半导体芯片的台面上淀积一层类金刚石薄膜，以形成钝化层。
[0061]由于半导体芯片放置在反应室内的承载盘上，产生的等离子体在电场的作用下移动到承载盘上的半导体芯片的表面上，从而在暴露在外的半导体芯片的台面区域沉积成一层类金刚石薄膜，从而在半导体芯片的台面区域形成钝化层。
[0062]所述类金刚石薄膜是一种以Sp3和Sp2键的形式结合生成的亚稳态材料，兼具了金刚石和石墨的优良特性，而具有高硬度、高电阻率、良好光学性能以及优秀的摩擦学特性。
[0063]类金刚石薄膜通常又被称为DLC薄膜,是英文词汇Diamond Like Carbon的简称，它没有严格的定义，可以包括很宽性质范围的非晶碳，因此兼具了金刚石和石墨的优良特性；所以由类金刚石而来的DLC膜同样是一种亚稳态长程无序的非晶材料，碳原子间的键合方式是共价键，主要包含SP2和SP3两种杂化键，而在含氢的DLC膜中还存在一定数量的C-H 键。
[0064]由于类金刚石薄膜的优良特性，如硬度高、摩擦系数低、电阻率高、电绝缘性和热导率高，同时具有良好的化学稳定性和抗腐蚀性，因此可以大大提高半导体器件的长期可靠性。
[0065]同时，由于该类金刚石薄膜的氢化表面由负电子亲和性和化学惰性，相对较低的有效功函数和禁带宽度。同时，类金刚石薄膜的电子发射具有阈值电场低、发射电流稳定、不污染其它元器件的优点。
[0066]以上为本发明提供的半导体芯片台面的钝化方法实施例。本发明提供的半导体芯片台面的钝化方法基于RIE原理，将反应性气体CH4在射频源的作用下离解成等离子体，然后沉积在半导体芯片的台面区域，从而在半导体芯片的台面区域形成了钝化层。相较于现有技术中借助人工涂覆台面的钝化方法，本发明提供的钝化方法节省了人力。而且通过控制工艺参数即可实现多批次的钝化层质量的稳定性，因而相较于现有技术，本发明提供的钝化方法也能够保证半导体芯片台面区域的钝化层质量的稳定性。
[0067]另外，由于等离子体在反应室内形成近似均匀的等离子体氛围，因此淀积在半导体芯片台面区域的钝化层的均匀性也较高。并且由于等离子体的扩散性，所以，通过本发明提供的钝化方法形成的钝化层能够覆盖整个台面区域，从而保证了钝化层覆盖台面区域的完整性。
[0068]另外，本发明形成的钝化层的材料为类金刚石薄膜，其为硬性材料，因而克服了软性钝化材料易产生气泡的缺陷，因而也就降低了返工率。
[0069]另外，通过本发明提供的钝化方法，可以将多个半导体芯片同时放置到反应室内进行台面钝化，换句话说，本发明提供的钝化方法可以实现一次对多个芯片的批量钝化，因而，本发明提供的钝化方法提高了工作效率。
[0070]此外，本发明形成的类金刚石薄膜是一种没有气味的材料，对环境和人体健康没
有危害。
[0071]试验表明，本发明实施例所述的钝化方法的淀积薄膜的效率高，其每分钟淀积薄膜的厚度可以大于45nm，并且淀积薄膜的均匀性较好，其不同区域的钝化层的厚度差小于±5%，而且，该钝化方法的重复性高，不同批次钝化的薄膜的性能误差小于±3%。
[0072]作为本发明的另一实施例，为了保证半导体芯片的台面区域无污染，在上述步骤S202之后，步骤S203之前，还可以包括步骤，向反应室内通入惰性气体。从而对半导体芯片的台面区域进行反溅清洗，进而保证台面区域的绝对无污染，从而提高器件的长期可靠性。所述惰性气体可以为氩气。
[0073]另外，若反应室在之前已经被利用过，即反应室不是全新的，那么在反应室腔体的内壁上可能粘附有一些副产物，这些副产物是在之前的使用过程中，在反应室的腔体的内壁上粘附上的。为了清除这些副产物，保证半导体芯片台面区域的清洁，在将半导体芯片置入反应室之前，即在步骤S201之前，还可以包括，采用氧等离子体对反应室进行清洗的步骤。通过该步骤可以将粘附在腔体内壁上的副产物刻蚀掉。
[0074]需要说明的是，上述实施例将半导体芯片直接放置在反应室内的承载盘上，实际上，也可以预先将半导体芯片放置在工装上，然后将半导体芯片连同工装按照原先的放置方式一起置入到反应室内。需要说明的是，所述工装要与半导体芯片的台面造型相匹配。所谓相匹配，就是当半导体芯片放置到工装上以后，所述工装能够将半导体芯片的非台面区域遮盖。本实施例所述的工装可以包括支座和挡片两部分。所述支座和挡片能够将芯片的所有非台面区域遮挡起来。
[0075]通常情况下，半导体芯片包括正面、背面和侧面，所述台面区域可以位于正面、背面和/或侧面。目前半导体器件结终端的台面造型有三种:正负斜角造型(如图3 (I)所示)、双面负斜角造型(如图3 (2)、双面正斜角造型(如图3 (3))。其中，正负斜角造型台面位于半导体芯片的正面或背面的一个表面上，双面负斜角造型台面位于半导体芯片的正面和背面两个表面上，双面正斜角造型台面位于半导体芯片的侧面。
[0076]当台面造型为正负斜角造型时，若台面区域位于正面时，则支座的表面形状和尺寸与半导体芯片背面的表面形状与尺寸一致。这样，当半导体芯片放置到工装上后，背面能够被支座所遮盖，而位于正面的非台面区域则由挡片遮挡。若台面区域位于背面时，则支座的表面形状和尺寸与半导体芯片正面的表面形状和尺寸一致。这样，当半导体芯片放置到工装上后，正面能够被支座所遮盖，而位于背面的非台面区域则由挡片遮挡，从而仅使台面区域暴露在外。
[0077]当台面造型为正负斜角造型时，支座可以为一平板或平台，当台面造型为正负斜角造型的半导体芯片放置到支座上以后，未设置有台面区域的芯片表面与支座接触，而设置有台面区域的表面朝上，并且非台面区域用挡片遮住，只有台面区域暴露在外，其放置的位置关系如图4 (I)所示。需要说明的是，当将半导体芯片和工装一起置入反应室内时，半导体芯片与工装上的放置位置关系与未置入前的放置位置关系相同，台面造型为正负斜角造型的芯片在反应室腔体内的示意图如图5 (I)所示。也就是说，置入到反应室内的半导体芯片和工装的位置关系为:半导体芯片放置到支座上，其半导体芯片朝上的非台面区域用挡片遮盖，只有台面区域暴露在外。
[0078]当台面造型为双面负斜角造型时，则支座的表面形状和尺寸与半导体芯片正面、背面中的一个表面的非台面区域的形状与尺寸一致。这样，当半导体芯片放置到工装上后，其中一个表面的非台面区域能够被支座所遮盖，另外一个表面上的非台面区域则由挡片遮挡，而台面区域暴露在外。
[0079]当台面造型为双面正斜角造型时，则支座的表面形状与尺寸与半导体芯片正面或背面的形状与尺寸一致。这样，当半导体芯片放置到工装上后，其中一个表面被支座所遮盖，另外一个表面则由挡片遮挡，位于侧面的台面区域暴露在外。
[0080]这种只有半导体芯片的台面区域暴露在外，而非台面区域被支座遮盖起来的芯片和工装的放置方式，在后续的钝化过程中，仅在半导体芯片的台面区域淀积上钝化层，而在非台面区域没有被淀积上钝化层。
[0081]需要说明的是，当台面造型为双面负斜角造型时，台面区域包括两个部分，其位于半导体芯片的正、背两个表面上，当台面造型为双面正斜角造型时，台面区域位于半导体芯片的侧面。当台面造型为这两种造型时，如果要实现一次淀积工艺对台面造型的两个面均淀积上均匀的钝化层的目的，除了要求工装能够将芯片的所有非台面区域遮盖起来之外，所述支座还能够使放置在其上的半导体芯片悬空，从而能够在淀积过程中等离子体在台面区域的不同位置的浓度基本一致，从而能够在台面造型的两个面上能够形成均匀的钝化层。需要说明的是，本发明实施例所述的悬空为半导体芯片的所有台面区域不与任何物体接触，用于支撑所述半导体芯片的支座仅与半导体芯片的一个表面上的非台面区域接触。并且优选地，所述支座具有一定的高度，能够将半导体芯片放置到支座时，能够达到一定高度，从而当半导体芯片和支座处于某一气体氛围中，能够使半导体芯片的台面区域周围的气体浓度均匀。
[0082]为了实现该目的，所述支座优选为倒圆台型支座，该圆台的最大表面的形状和尺寸与放置在其上的与支座相接触的半导体芯片的非台面区域的形状和尺寸相同。这样半导体芯片放置到支座上以后，能够将非台面区域遮挡，并能够使芯片能够悬空，这样在钝化过程中，在两个台面上形成的钝化层会更加均匀。
[0083]当支座为倒圆台型支座时，台面造型为双面负斜角造型的半导体芯片放置到支座上以后，支座将半导体芯片的一个表面上的非台面区域遮挡，芯片另外一个表面上的非台面区域用挡片遮挡，剩下的台面区域暴露在外，其放置的位置关系如图4 (2)所示。同正负斜角造型的台面造型的芯片相同，当将双面负斜角造型的半导体芯片连同工装一起置入到反应室内时的放置关系保持原来的放置位置关系不变，台面造型为双面负斜角造型的半导体芯片在反应室腔体内的示意图如图5 (2)所示。
[0084]当支座为倒圆台型支座时，台面造型为双面正斜角造型的半导体芯片放置到支座上以后，支座将半导体芯片的一个表面遮挡，芯片另外一个表面用挡片遮挡，其位于侧面的台面区域暴露在外，其放置的位置关系如图4 (3)所示。同正负斜角造型的台面造型的芯片相同，当将双面正斜角造型的半导体芯片连同工装一起置入到反应室内时的放置关系保持原来的放置位置关系不变，台面造型为双面正斜角造型的半导体芯片在反应室腔体内的示意图如图5 (3)所示。
[0085]除了倒圆台型支座外，所述支座也可以为由细长支柱支撑的支撑面，该支撑面的形状和尺寸与半导体芯片的非台面区域的形状和尺寸相同。
[0086]需要说明的是，一个工装上可以包括多个支座，因而可以将一个个半导体芯片放置在不同的支座上，然后再用一个个挡片将一个个半导体芯片的非台面区域遮挡，然后一起将工装和半导体芯片置入到反应室内，从而能够实现一次对多个芯片的台面区域进行批量淀积的目的。
[0087]另外，当台面造型为双面负斜角造型，也可以不采用能够使芯片悬空的支座来完成对上、下两个台面区域的淀积，取而代之，采用两次淀积工艺对台面区域进行钝化。具体过程如下:
[0088]为了方便描述，将造型为双面负斜角造型的台面区域分为两个部分:第一台面和第二台面。所述第一台面和第二台面分别位于半导体芯片的上、下两个表面。
[0089]定义执行完上述步骤S201至步骤S204之后，即完成了对第一台面区域的淀积和钝化。如图6所示，在步骤S204之后，
[0090]还包括以下步骤:
[0091]S605、将所述半导体芯片从反应室内取出。
[0092]S606、改变半导体芯片的置入方向，按照改变后的置入方向再次将半导体芯片放置在反应室的承载盘上，使第二台面朝上。
[0093]S607、向反应室内再次通入反应性气体CH4，所述反应性气体CH4在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体。
[0094]需要说明的是，为了保证第一台面和第二台面上淀积的类金刚石薄膜的厚度相同，步骤S607的工艺条件与步骤S203的工艺条件相同。
[0095]S608、所述等离子体在半导体芯片的第二台面上淀积类金刚石薄膜。
[0096]通过上述两次淀积工艺，即可实现在双面负斜角的两个台面上的钝化。
[0097]以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。
[0098]虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【权利要求】
1.一种半导体芯片台面的钝化方法，其特征在于，包括， 将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，并遮挡所述半导体芯片的非台面区域，以仅使所述半导体芯片的台面区域暴露在外； 向所述反应室内通入反应性气体CH4,所述反应性气体CH4在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体； 所述等离子体在所述半导体芯片的台面上淀积一层类金刚石薄膜，以形成钝化层。
2.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内之后，所述向所述反应室内通入反应性气体CH4之前，还包括， 向所述反应室内通入惰性气体，以清洗所述半导体芯片的台面区域。
3.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内之前，还包括， 采用氧等离子体对所述反应室进行清洗。
4.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述反应性气体还包括H2。
5.根据权利要求1-4任一项所述的钝化方法，其特征在于，所述将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内之前，还包括， 将所述半导体芯片放置在与所述预定台面造型相匹配的工装上，所述相匹配即当所述半导体芯片放置到所述工装上后，所述工装能够将所述半导体芯片的非台面区域遮盖；所述将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，具体 为， 将设置有预定台面造型的半导体芯片和所述工装一起置入反应等离子体刻蚀的反应室内。
6.根据权利要求5所述的钝化方法，其特征在于，所述与所述预定台面造型相匹配的工装能够使放置在所述工装上的所述半导体芯片悬空。
7.根据权利要求6所述的钝化方法，其特征在于，所述工装包括支座，所述支座为倒圆台型支座。
8.根据权利要求1-4任一项所述的钝化方法，其特征在于，所述预定台面造型为双面负斜角造型，所述双面负斜角造型包括第一台面和第二台面， 所述将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，具体为，将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，使所述第一台面朝上； 所述等离子体在所述半导体芯片的台面上淀积一层类金刚石薄膜，具体为，所述等离子体在所述半导体芯片的第一台面上淀积一层类金刚石薄膜； 所述等离子体在所述半导体芯片的第一台面上淀积一层类金刚石薄膜之后，还包括， 将所述半导体芯片从所述反应等离子体刻蚀的反应室内取出； 改变所述半导体芯片的置入方向，按照改变后的置入方向再次将所述半导体芯片放置在所述反应室内，使所述第二台面朝上； 向所述反应室内再次通入反应性 气体CH4,所述反应性气体CH4在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体；所述等离子体在所述半导体芯片的第二台面上淀积类金刚石薄膜。
9.根据权利要求1-4任一项所述的钝化方法，其特征在于，所述反应性气体CH4的气体流量为250sccm。
10.根据权利要求1-4任一项所述的钝化方法，其特征在于，所述反应室内的腔体压强为 150mTorr 。
【文档编号】H01L21/311GK103887167SQ201410153442
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2014年4月16日 优先权日:2014年4月16日
【发明者】朱为为, 吴煜东, 颜骥, 邹冰艳, 王政英 申请人:株洲南车时代电气股份有限公司