一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法与流程

技术特征：
1.一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在基板上形成发光结构，在发光结构上与基板相对的一侧形成N层粗化层，N≧3；步骤二，采用具有元素监测的干法蚀刻ICP在最外层粗化层表面形成粗化界面，蚀刻深度至与其相邻的第二粗化层接触表面；步骤三，采用粗化液蚀刻最外层粗化层及其相邻的第二粗化层露出的部分表面及侧面，形成粗化界面；步骤四，接着ICP刻蚀的掩膜，采用ICP在露出的第二粗化层的表面形成面积较最外层粗化层小的粗化界面，蚀刻深度至与第二粗化层相邻的第三粗化层接触表面；步骤五，采用粗化液蚀刻第二粗化层及与第二粗化层相邻的第三粗化层露出的部分表面及侧面，形成粗化界面；步骤六，重复操作步骤四及步骤五，直至露出N层粗化层表面，并形成粗化界面。2.如权利要求1所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，其特征在于，步骤一中，在外延衬底上面自下而上依次形成腐蚀截止层、粗化层、粗化截止层、第一型导电层、有源层、第二型导电层；在第二型导电层上蒸镀金属反射镜；将金属反射镜的表面键合在具有导电性的基板上；去除外延衬底，湿法腐蚀去除腐蚀截止层，露出粗化层中的最外层粗化层；在最外层粗化层表面形成第一电极，且在第一电极上形成保护层；在基板背面蒸镀第二电极，去除第一电极的保护层，裂片后即得到具有多层粗化层的红外发光二极管。3.如权利要求2所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，其特征在于，粗化截止层的材料包括AlGaInP三五族化合物。4.如权利要求1所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，其特征在于，不同粗化层表面的粗化界面为在平面内规则排列的方形结构或圆形结构。5.如权利要求1所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，其特征在于，步骤六中，所述N层粗化层表面及侧面形成粗化界面，且最终在不同的粗化层呈台阶下降式展露出粗化表面及侧面。6.如权利要求1所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，其特征在于，步骤一中，在粗化层上形成第一电极，在基板的另一面形成第二电极。7.如权利要求1所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，其特征在于，所述N层粗化层由不同外延材料构成，包括AlxGa1-xAs材料，0.85≥x≥0.15。8.如权利要求7所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，其特征在于，N层不同材料的粗化层的Al组分含量呈阶梯式递增，且接近发光结构的Al组分含量较高。9.如权利要求1所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，其特征在于，N层粗化层的厚度d为1.5≤d≤4μm；每一层粗化层的单层厚度ds≥300nm。10.如权利要求1所述的一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，其特征在于，所述N层粗化层的厚度呈阶梯式递增，且接近发光结构的厚度较大。