一种图像传感器抑噪全芯片esd保护结构的制作方法
【专利摘要】本发明一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构，包括用于对传感器内核控制与读出电路进行供电和保护的第一区域A，用于对传感器像素单元进行供电和保护的第二区域B；所述的传感器内核控制与读出电路用于控制传感器像素单元，所述的传感器像素单元向传感器内核控制与读出电路输出采集到的光电信号；所述的第一区域A包括分别连接在传感器内核控制与读出电路上的第一输入金属焊盘和第一输出金属焊盘，用于供电的第一电源轨VDDH1和第一地轨VSSH1；所述的第二区域B包括连接在传感器像素单元上的第二输入金属焊盘，用于供电的第二电源轨VDDH2和第二地轨VSSH2；所述的第一地轨VSSH1和第二地轨VSSH2相连接。
【专利说明】-种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构
【技术领域】
[0001] 本发明涉及集成电路【技术领域】，具体涉及一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结 构。
【背景技术】
[0002] 目前主流应用的CMOS图像传感器（CIS)像素单元为4T-APS结构，其等效电路如 图1所示。包括复位nMOS管Mn_rst、光电二极管H)、曝光控制管Mn_tg、读取存储在寄生 节点FD光电信号的源跟随器nMOS管Mn_sf、行选信号输出nMOS管Mn_rs。其中Mn_rst源 端接电源轨Vpower_pixel、漏端接FD点；Mn_tg源端接H)、漏端接FD ;Mn_sf源端接电源轨 Vpower_pixel、漏端接Mn_rs源端；Mn_rs漏端接该外部输出列总线。该结构相较3T-APS 结构，在感光区与存储点FD点加入TG管，且采用pinned型光电二极管作为感光单元， 这些技术的引入具有如下优点：光电转换节点与信号读取节点分离，可以实现对光电信号 真正意义上的相关双采样，抑制固定图形噪声；pinned型光电二极管不同于常规单结二极 管，可使光电二极管在复位后具有精确的初始电压值及固定的光电收集区宽度，对像素阵 列光电响应的一致性起到非常大的作用。
[0003] 在4T-APS结构中，进行相关双采样所需的像素单元复位初始电压值由Mn_rst管 栅端V KST与Vp〇wer_piXel电压值决定，因此要想获得较高的复位电压以提升像素单元光 电信号输出摆幅，就需要对像素单元供电进行优化设定。通常情况下，像素单元的复位管 栅压与像素单元中各管供电电压均高于传感器芯片中读出电路与10电路部分供电电压， 这些高压信号的供电端口需要特殊处理，如果仍然使用常规10端口为这些特殊端口供电， 将导致如图2所示的10端口与电源轨短路的问题，造成芯片失效。因此常规的混合电压 图像传感器芯片设计时，将会人为的将这些高压供电10端口的电源轨与传感器芯片读出 电路与10电路部分供电端口的电源轨断开，即保证了电路部分的噪声不会通过电源轨串 扰到像素单元，又从电学层面完全阻断这种短路失效问题，但该方法也同时引入静电放电 (Electro-Static discharge,ESD)电流在全芯片电源轨进行泄放不能形成环路的问题，严 重削弱了混合电压图像传感器的全芯片ESD防护能力。
【发明内容】
[0004] 本发明解决的问题在于提供一种不仅保证10端口能够为混合电压图像传感器提 供供电与隔离噪声，而且能够建立全芯片ESD泄流通路，防护能力强的图像传感器抑噪全 芯片ESD保护结构。
[0005] 本发明是通过以下技术方案来实现：
[0006] -种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构，包括用于对传感器内核控制与读出电 路进行供电和保护的第一区域A，用于对传感器像素单元进行供电和保护的第二区域B;所 述的传感器内核控制与读出电路用于控制传感器像素单元，所述的传感器像素单元向传感 器内核控制与读出电路输出采集到的光电信号；
[0007] 所述的第一区域A包括分别连接在传感器内核控制与读出电路上的第一输入金 属焊盘和第一输出金属焊盘，用于供电的第一电源轨VDDH1和第一地轨VSSH1 ;第一输入金 属焊盘和第一输出金属焊盘分别与第一电源轨VDDH1和第一地轨VSSH1之间并联第一电源 轨保护电路EV1和第一地轨保护电路EG1 ;第一输入金属焊盘连接第一信号输入端，第一输 出金属焊盘连接第一信号输出端；
[0008] 所述的第一电源轨VDDH1连接传感器内核控制与读出电路的外部最高供电电平 金属焊盘；第一地轨VSSH1连接传感器内核控制与读出电路的外部最低供电电平金属焊 盘，第一区域A中最高输入与输出信号电平值不高于VDDH1电平值；
[0009] 所述的第二区域B包括连接在传感器像素单元上的第二输入金属焊盘，用于供电 的第二电源轨VDDH2和第二地轨VSSH2 ;第二输入金属焊盘分别与第二电源轨VDDH2和第 二地轨VSSH2之间并联第二电源轨保护电路EV2和第二地轨保护电路EG2 ;第二输入金属 焊盘连接第二信号输入端；
[0010] 所述的第二电源轨VDDH2总线端悬空，第二地轨VSSH2连接全芯片最低供电电平 金属焊盘，第二区域B中第二输入金属焊盘提供用于传感器像素单元独立供电的高于第一 电源轨VDDH1的供电电平；
[0011] 所述的第一地轨VSSH1和第二地轨VSSH2相连接。
[0012] 优选的，还包括用于连接第一地轨VSSH1和第二地轨VSSH2的第三区域C ;第三区 域C由连接第一地轨VSSH1与第二地轨VSSH2的一组对向并联第一二极管D1与第二二极 管D2组成。
[0013] 进一步，第一二极管D1由一组P型二极管pdio组成，其中pdio的阳极接第一地 轨VSSH1，第二地轨阴极接VSSH2 ;第二二极管D2由一组N型二极管ndio组成，其中ndio 的阳极接第二地轨VSSH2,阴极接第一地轨VSSH1。
[0014] 进一步，第一电源轨VDDH1和第一地轨VSSH1之间串联电源钳位电路EP ;第二电 源轨VDDH2和第二地轨VSSH2之间串联电源钳位电路EP。
[0015] 再进一步，当ESD事件发生时，ESD电流泄放路径依次通过如下结构：ESD电流通过 第一区域A的第一输入金属焊盘、第一区域A的第一电源轨保护电路EV1、第一区域A的第 一电源轨VDDH1、第一区域A的电源钳位电路EP、第一区域A的第一地轨VSSH1、第三区域C 中二极管D2、第二区域B的第二地轨VSSH2、第二区域B的电源钳位电路EP、第二区域B的 第二电源轨VDDH2、第二区域B的第二电源轨保护电路EV2、第二区域B的第二输入金属焊 盘最后到芯片外。
[0016] 再进一步，电源钳位电路EP由一组RC电路控制的M0S管结构组成，RC电路由控 制电阻R c和控制电容Cc组成；M0S管结构包括钳位泄放NM0S管丽2和反相器INV ;
[0017] 当电源钳位电路EP置于第一区域A中时，钳位泄放NM0S管丽2的漏端接第一电 源轨VDDH1，源端与体端接第一地轨VSSH1 ;栅端接三级串联反相器INV后分别通过控制电 容Cc与第一电源轨VDDH1连接，通过控制电阻R c与第一地轨VSSH1连接；
[0018] 当电源钳位电路EP置于第二区域B中时，钳位泄放NM0S管丽2的漏端接第二电 源轨VDDH2,源端与体端接第二地轨VSSH2 ;栅端接三级串联反相器INV后分别通过控制电 容Cc与第二电源轨VDDH2连接，通过控制电阻R c与第二地轨VSSH2连接。
[0019] 优选的，第一输入金属焊盘和第一输出金属焊盘分别通过限流电阻R与传感器内 核控制与读出电路连接。
[0020] 优选的，第一电源轨保护电路EV1由多组并联的相同尺寸pMOS管MP组成；其中 pMOS管MP栅端、源端与体端接第一电源轨VDDH1，漏端接第一输入金属焊盘或第一输出金 属焊盘；第一地轨保护电路EG1由多组并联的相同尺寸nMOS管MN组成，其中nMOS管MN栅 端，源端与体端接第一地轨VSSH1连接，漏端接第一输入金属焊盘或第一输出金属焊盘。
[0021] 优选的，第二电源轨保护电路EV2由一组P型二极管pdio组成，其中pdio的阳 极接第二地轨VDDH2,阴极接第二输入金属焊盘；第二地轨保护电路EG2由一组N型二极管 ndio组成，其中ndio的阳极接第二输入金属焊盘，阴极接第二地轨VSSH2。
[0022] 与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
[0023] 本发明根据混合电压图像传感器芯片供电种类的不同，将传感器芯片中读出电路 与10电路部分供电电压区域划归在第一区域A中，将像素单元部分供电区域规划在第二区 域B中，并分别针对各区域中的10端口处分别对电源轨和地轨进行ESD保护结构的设置； 其中将ESD保护结构中的第一地轨保护电路EG1作为第一输入和输出金属焊盘对第一电源 轨VDDH1电源轨的保护结构；将ESD保护结构中的第一电源轨保护电路EV1作为第一输入 和输出金属焊盘对第一地轨VSSH1的保护结构；将ESD保护结构中的第二电源轨保护电路 EV2作为第二输入金属焊盘对第二电源轨VDDH2的保护结构；将ESD保护结构中的第二地 轨保护电路EG2为第二输入金属焊盘对第二地轨VSSH2的保护结构；从而提高传感器芯片 的全芯片ESD防护能力。满足了多电源供给条件下的混合电压图像传感器10中ESD布局 规划，相较传统图像传感器全芯片10架构，既能保证芯片电气特性的正确性，不仅10端口 能够为传感器提供高压供电，而且实现低噪高动态光电性能；又能有效提高全芯片ESD泄 流及抑噪能力，最大限度建立全芯片ESD泄流通路，提升芯片整体鲁棒性，能够应用于混合 电压图像传感器电路的抑噪全芯片ESD保护结构。
[0024] 进一步的，利用设置在第一地轨VSSH1和第二地轨VSSH2之间的第三区域C，构建 了一种在不同电源域间ESD泄流通路的连接架构，使得第一区域A与第二区域B电源域在 进行ESD电流泄放时具有电气连接性，但在电路正常工作时能够通过一组对向并联的二极 管阻隔第一区域A与第二区域B的电气连接与噪声，确保电路正常工作。
[0025] 进一步的，电源钳位电路EP将处于同一区域内的电源轨和地轨分别串联，能够降 低对应区域内泄流通路导通电阻，提高ESD泄流的稳定和可靠性；在ESD事件发生时，能够 快速稳定的通过ESD电流泄放路径进行泄流处理，提高了全芯片的防护能力。
[0026] 进一步的，通过设置的在第一输入、输出金属焊盘与传感器内核控制与读出电路 连接通路上的限流电阻，能够抑制ESD电流进入传感器内核电路时对器件的损伤，增强了 对其的防护性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0027] 图1为现有技术中4T-APS结构像素单元等效电路结构示意图。
[0028] 图2为现有技术中10端口输入高压时，由于ESD结构引发的10端口与电源轨短 路不意图。
[0029] 图3为实例中所述的第一区域A中ESD保护结构等效电路示意图。
[0030] 图4为实例中所述的第二区域B中ESD保护结构等效电路示意图；
[0031] 图5为实例中所述的第三区域C中ESD保护结构等效电路示意图；
[0032] 图6为实例中所述的混合电压传感器电路全芯片ESD泄流通路示意图。
【具体实施方式】
[0033] 下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明，所述是对本发明的解释而 不是限定。
[0034] 首先，说明本发明所提供的图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构和应用条件：
[0035] (一）单元结构
[0036] 如图3所不，第一区域A中第一信号输入端与输出端分别连接第一输入和输出金 属焊盘，在第一输入和输出金属焊盘之间并联第一电源轨保护电路EV1和第一地轨保护电 路EG1对第一电源轨VDDH1及第一地轨VSSH1进行保护，本优选结构中在第一电源轨VDDH1 与第一地轨VSSH1间串联电源钳位电路EP ;电源钳位电路EP将第一电源轨VDDH1与第一 地轨VSSH1串联，起到降低该区域泄流通路导通电阻目的。电源钳位电路EP由一组RC电 路控制的M0S管结构组成：其中RC控制电路由控制电阻R。和控制电容C。组成，分别优选 为lkQ和10fF为例；M0S管结构中钳位泄放NM0S管丽2漏端接第一电源轨VDDH1，源端与 体端接第一地轨VSSH1，栅端接三级串联反相器INV后分别通过控制电容C。与第二电源轨 VDDH2连接，通过控制电阻R。与第二地轨VSSH2连接，优选的钳位泄放NM0S管丽2的宽长 比为200um: lum ;其中三级反相器由三级串联的CMOS电路组成，其中每一级CMOS电路中有 一个NM0S管及一个PM0S管串联组成，每个NM0S管宽长比为20um:0. 5um、PM0S管宽长比为 40um:0. 5um〇
[0037] 该区域中ESD保护结构中的第一电源轨保护电路EV1为第一输入和输出金属焊盘 对第一电源轨VDDH1的保护结构；第一地轨保护电路EG2为第一输入和输出金属焊盘对第 一地轨VSSH1的保护结构。
[0038] 本优选实例中，优选的在第一输入与输出金属焊盘与传感器内核控制与读出电路 的连接通路上设置限流电阻R，以R = 100 Ω为例，能够起到抑制ESD电流进入传感器内核 控制与读取电路损伤器件的作用。
[0039] 本优选实例中，第一电源轨保护电路EV1分别由十组宽长比为5〇Um:2um的并联 pMOS管MP组成；pMOS管MP的栅端、源端与体端接第一电源轨VDDH1，漏端接第一输入或输 出金属焊盘；第一地轨保护电路EG1分别由十组宽长比为50um:2um的并联nMOS管丽组 成；nMOS管MN栅端、源端与体端接第一地轨VSSH1，漏端接第一输入或输出金属焊盘。
[0040] 如图4所示，第二区域B中第二信号输入端与第二输入金属焊盘连接，并联对第二 电源轨VDDH2及第二地轨VSSH2的第二电源轨保护电路EV2和第二地轨保护电路EG2 ;本 优选结构中第二电源轨VDDH2与第二地轨VSSH2间串联的电源钳位电路EP ;电源钳位电路 EP将第二电源轨VDDH2与第二地轨VSSH2串联，起到耦合两条电源轨，降低该区域泄流通 路导通电阻目的，电源钳位电路EP与第一区域A中结构完全相同，仅将第一区域A中EP结 构所有接第一电源轨VDDH1的位置替换为第二区域B中第二电源轨VDDH2、第一地轨VSSH1 的位置替换为第二地轨VSSH2即可。
[0041] 该区域中ESD保护结构中第二电源轨保护电路EV2为第二输入金属焊盘对第二电 源轨VDDH2的保护结构；第二地轨保护电路EG2为第二输入金属焊盘对第二地轨VSSH2的 保护结构。
[0042] 本优选实例中，第二电源轨保护电路EV2由一组P型二极管pdio组成，优选的 面积为200um 2,其阳极接第二电源轨VDDH2、阴极接第二输入金属焊盘；第二地轨保护电路 EG2由一组N型二极管ndio组成，优选的面积为200um2,其阳极接第二输入金属焊盘、阴极 接第二地轨VSSH2。
[0043] 如图5所示，第三区域C中连接第一地轨VSSH1与第二地轨VSSH2为一组并联对 向的第一二极管D1与第二二极管D2。第一二极管D1由一组P型二极管pdio组成，优选 的，面积为500um 2,其阳极接VSSH1、阴极接VSSH2 ;第二二极管D2由一组N型二极管ndio 组成，优选的面积为500um2,其阳极接VSSH2、阴极接VSSH1。
[0044] (二）应用条件
[0045] 第一区域A中第一电源轨VDDH1连接传感器内核控制与读出电路的外部最高供电 电平金属焊盘，第一地轨VSSH1连接传感器内核控制与读出电路的外部最低供电电平传感 器，该区域中，最高输入与输出信号电平值不高于第一电源轨VDDH1的电平值，如图6所不， 即Vin彡VDDHl、Vout彡VDDH1。第二区域B中第二电源轨VDDH2的总线端悬空，第二地轨 VSSH2连接全芯片最低供电电平金属焊盘，该区域中，第二输入金属焊盘提供用于传感器像 素单元独立供电的高于第一电源轨VDDH1的供电电平，如图6所示，即Vin>VDDHl。
[0046] 具体的，基于0· 35um标准CMOS图像传感器制程技术，设定全芯片中传感器控制与 读出电路的工作电压为：VDDH1 = 3. 3V、VSSH1 = 0V、Vinl = 0 ?3. 3V、VQUtl = 0 ?3. 3V，则 如图1所示，若实现像素单元高动态响应输出特性，则像素单元部分供电Vp_ piMl与VKST需 设定为高于3. 8V，因此Vin2 = 0?4V、VSSH2 = 0V、VDDH2悬空。采用本发明所述的方案， 可在保证传感器电气连接特性正确的情况下，实现像素单元高动态输出所需的供电输入要 求，并利用第三区域C的一组对向二极管，实现电路电源域A与像素单元电源域B的噪声串 扰隔离，这是因为电源轨中的高频噪声分量一般为微伏至毫伏级，而二极管在正偏条件下 也需要0. 7V左右的电压才能保证导通状态，因此可阻隔高频噪声通过第一电源轨VSSH1向 高精度像素单元第二地轨VSSH2的串扰，进一步提升传感器的动态响应能力。
[0047] 而当ESD事件发生时，以最坏泄流条件为例，即静电应力发生在某一数字控制信 号金属焊盘与像素单元供电金属焊盘间，若按常规传感器中的ESD保护结构，其数字控制 电源域与像素单元供电电源域电气断连，则电应力发生时，无法形成ESD电流泄放回路，导 致内部器件烧毁失效。而采用本发明所述的方案布局全芯片ESD结构后，如图6所示，其中 典型ESD电流泄放路径如下：ESD电流通过第一区域A的第一输入金属焊盘一第一区域A 的第一电源轨保护电路EV1 -第一区域A的第一电源轨VDDH1 -第一区域A的电源钳位电 路EP -第一区域A的第一地轨VSSH1 -第三区域C中二极管D2 -第二区域B的第二地轨 VSSH2-第二区域B的电源钳位电路EP-第二区域B的第二电源轨VDDH2-第二区域B的 第二电源轨保护电路EV2 -第二区域B的第二输入金属焊盘一芯片外。
[0048] 实验结果表示，基于本发明设计的ESD保护结构传感器芯片，可实现传感器中像 素单元2V电压输出、300uV本底噪声的能力，其像素单元本征动态范围高达76dB，而全芯片 ESD防护能力在HBM条件下通过2000V标准，远高于常规ESD布局条件下的图像传感器光电 与ESD性能指标。解决了混合电压图像传感器中不同电源域间噪声串扰或无法形成ESD泄 流通路的问题，提升了混合电压图像传感器电路抑噪及全芯片ESD防护能力。
[0049] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求范围所做的均等变化与 修饰，皆应属本发明权利要求的涵盖范围。
【权利要求】
1. 一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构，其特征在于，包括用于对传感器内核控 制与读出电路进行供电和保护的第一区域A，用于对传感器像素单元进行供电和保护的第 二区域B;所述的传感器内核控制与读出电路用于控制传感器像素单元，所述的传感器像 素单元向传感器内核控制与读出电路输出采集到的光电信号； 所述的第一区域A包括分别连接在传感器内核控制与读出电路上的第一输入金属焊 盘和第一输出金属焊盘，用于供电的第一电源轨VDDH1和第一地轨VSSH1 ;第一输入金属焊 盘和第一输出金属焊盘分别与第一电源轨VDDH1和第一地轨VSSH1之间并联第一电源轨保 护电路EV1和第一地轨保护电路EG1 ;第一输入金属焊盘连接第一信号输入端，第一输出金 属焊盘连接第一信号输出端； 所述的第一电源轨VDDH1连接传感器内核控制与读出电路的外部最高供电电平金属 焊盘；第一地轨VSSH1连接传感器内核控制与读出电路的外部最低供电电平金属焊盘，第 一区域A中最高输入与输出信号电平值不高于VDDH1电平值； 所述的第二区域B包括连接在传感器像素单元上的第二输入金属焊盘，用于供电的第 二电源轨VDDH2和第二地轨VSSH2 ;第二输入金属焊盘分别与第二电源轨VDDH2和第二地 轨VSSH2之间并联第二电源轨保护电路EV2和第二地轨保护电路EG2 ;第二输入金属焊盘 连接第二信号输入端； 所述的第二电源轨VDDH2总线端悬空，第二地轨VSSH2连接全芯片最低供电电平金属 焊盘，第二区域B中第二输入金属焊盘提供用于传感器像素单元独立供电的高于第一电源 轨VDDH1的供电电平； 所述的第一地轨VSSH1和第二地轨VSSH2相连接。
2. 根据权利要求1所述的一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构，其特征在于，还包 括用于连接第一地轨VSSH1和第二地轨VSSH2的第三区域C ;第三区域C由连接第一地轨 VSSH1与第二地轨VSSH2的一组对向并联第一二极管D1与第二二极管D2组成。
3. 根据权利要求2所述的一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构，其特征在于，第 一二极管D1由一组P型二极管pdio组成，其中pdio的阳极接第一地轨VSSH1，第二地轨阴 极接VSSH2 ; 第二二极管D2由一组N型二极管ndio组成，其中ndio的阳极接第二地轨VSSH2,阴极 接第一地轨VSSH1。
4. 根据权利要求2或3所述的一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构，其特征在于， 第一电源轨VDDH1和第一地轨VSSH1之间串联电源钳位电路EP ;第二电源轨VDDH2和第二 地轨VSSH2之间串联电源钳位电路EP。
5. 根据权利要求4所述的一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构，其特征在于，当 ESD事件发生时，ESD电流泄放路径依次通过如下结构：ESD电流通过第一区域A的第一输 入金属焊盘、第一区域A的第一电源轨保护电路EV1、第一区域A的第一电源轨VDDH1、第一 区域A的电源钳位电路EP、第一区域A的第一地轨VSSH1、第三区域C中二极管D2、第二区 域B的第二地轨VSSH2、第二区域B的电源钳位电路EP、第二区域B的第二电源轨VDDH2、第 二区域B的第二电源轨保护电路EV2、第二区域B的第二输入金属焊盘最后到芯片外。
6. 根据权利要求4所述的一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构，其特征在于，所述 的电源钳位电路EP由一组RC电路控制的M0S管结构组成，RC电路由控制电阻&和控制电 容C。组成；MOS管结构包括钳位泄放NMOS管丽2和反相器INV ; 当电源钳位电路EP置于第一区域A中时，钳位泄放NM0S管丽2的漏端接第一电源轨 VDDH1，源端与体端接第一地轨VSSH1 ;栅端接三级串联反相器INV后分别通过控制电容Cc 与第一电源轨VDDH1连接，通过控制电阻R。与第一地轨VSSH1连接； 当电源钳位电路EP置于第二区域B中时，钳位泄放NM0S管丽2的漏端接第二电源轨 VDDH2,源端与体端接第二地轨VSSH2 ;栅端接三级串联反相器INV后分别通过控制电容Cc 与第二电源轨VDDH2连接，通过控制电阻Rc与第二地轨VSSH2连接。
7. 根据权利要求1所述的一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构，其特征在于，第一 输入金属焊盘和第一输出金属焊盘分别通过限流电阻R与传感器内核控制与读出电路连 接。
8. 根据权利要求1所述的一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构，其特征在于，第一 电源轨保护电路EV1由多组并联的相同尺寸pMOS管MP组成；其中pMOS管MP栅端、源端与 体端接第一电源轨VDDH1，漏端接第一输入金属焊盘或第一输出金属焊盘； 第一地轨保护电路EG1由多组并联的相同尺寸nMOS管MN组成，其中nMOS管MN栅端， 源端与体端接第一地轨VSSH1连接，漏端接第一输入金属焊盘或第一输出金属焊盘。
9. 根据权利要求1所述的一种图像传感器抑噪全芯片ESD保护结构，其特征在于，第二 电源轨保护电路EV2由一组P型二极管pdio组成，其中pdio的阳极接第二地轨VDDH2,阴 极接第二输入金属焊盘； 第二地轨保护电路EG2由一组N型二极管ndio组成，其中ndio的阳极接第二输入金 属焊盘，阴极接第二地轨VSSH2。
【文档编号】H01L27/146GK104157664SQ201410438156
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年8月29日 优先权日:2014年8月29日
【发明者】张冰, 谭瑞, 李娜, 曹琛 申请人:中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所