一种硅衬底缺陷检测方法
【专利摘要】本发明涉及一种硅衬底缺陷检测方法，包括如下步骤：将硅圆片上所需分析的区域用金刚刀划分成一定尺寸样品；在塑料量杯中倒入适量的HF，并将其放人超声清洗机中震荡；将样品放入盛有HF酸的量杯中，进行超声腐蚀；将超声腐蚀之后的样品用清水冲洗，并用氮气枪吹干；用扫描电子显微镜对样品进行缺陷观察。本发明方法简单、易操作，检测快速、有效。
【专利说明】一种硅衬底缺陷检测方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制备及缺陷检测【技术领域】，尤其涉及一种硅衬底缺陷检测方法。
【背景技术】
[0002]现在半导体行业发展的非常迅速，半导体工厂之间的竞争也越发激烈。为了更好的发展，各公司都在努力追求器件的质量和成品率。影响半导体器件成品率和性能的因素中最重要的一个因素就是衬底材料的晶体缺陷。因此，晶体缺陷的检测也就越来越被重视。晶体缺陷检测的主要目的是通过实验判断是否出现缺陷，并针对产生的缺陷进行工艺生产上的调整，达到尽量减小晶体缺陷的概率，提高产品的成品率。
[0003]在理想完整晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。晶体缺陷的存在，对于半导体器件的性能会有很大的影响。因此，对它们的研究是十分重要的。通常按照缺陷在空间分布的情况，可以把晶体结构中存在的缺陷分为点缺陷，线缺陷，面缺陷和体缺陷。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种方法简单、易操作，检测快速、有效的硅衬底缺陷检测方法。
[0005]本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种硅衬底缺陷检测方法，包括如下步骤:
[0006]将硅圆片上所需分析的区域用金刚刀划分成一定尺寸样品；
[0007]在塑料量杯中倒入适量的HF，并将其放人超声清洗机中震荡；
[0008]将样品放入盛有HF酸的量杯中，进行超声腐蚀；
[0009]将超声腐蚀之后的样品用清水冲洗，并用氮气枪吹干；
[0010]用扫描电子显微镜对样品进行缺陷观察。
[0011]在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
[0012]进一步，所述将硅圆片上所需分析的区域用金刚刀划分成一定尺寸样品步骤的具体实现如下:
[0013]将硅圆片上所需分析的区域用金刚刀划分成2?4cm宽、5cm长的样品。
[0014]进一步，所述在塑料量杯中倒入适量的HF，并将其放人超声清洗机中震荡步骤的具体实现如下:
[0015]在塑料量杯中倒入适量质量分数为30%?50%的HF，并将其放人超声清洗机中震荡15?30min。
[0016]进一步，所述将样品放入盛有HF酸的量杯中，进行超声腐蚀步骤的具体实现如下:
[0017]将样品放入盛有HF酸的量杯中，进行超声腐蚀I?5min ；
[0018]腐蚀过程中防止样品曝于空气中和人为接触。
[0019]本发明的有益效果是:
[0020]1.方法简单、易操作；
[0021]2.检测快速、有效。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1为本发明一种硅衬底缺陷检测方法流程示意图。
【具体实施方式】
[0023]以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0024]如图1所示，一种硅衬底缺陷检测方法，包括如下步骤:
[0025]将硅圆片上所需分析的区域用金刚刀划分成一定尺寸样品；
[0026]在塑料量杯中倒入适量的HF，并将其放人超声清洗机中震荡；
[0027]将样品放入盛有HF酸的量杯中，进行超声腐蚀；
[0028]将超声腐蚀之后的样品用清水冲洗，并用氮气枪吹干；
[0029]用扫描电子显微镜对样品进行缺陷观察。
[0030]实施例1:
[0031]将硅圆片上所需分析的区域用金刚刀划分成2cm宽、5cm长的样品；在塑料量杯中倒入适量质量分数为30%的HF，并将其放人超声清洗机中震荡15min ;将样品放入盛有HF酸的量杯中，进行超声腐蚀Imin ;腐蚀过程中防止样品曝于空气中和人为接触；将超声腐蚀之后的样品用清水冲洗，并用氮气枪吹干；用扫描电子显微镜对样品进行缺陷观察。
[0032]实施例2:
[0033]将硅圆片上所需分析的区域用金刚刀划分成3cm宽、5cm长的样品；在塑料量杯中倒入适量质量分数为40%的HF，并将其放人超声清洗机中震荡20min ;将样品放入盛有HF酸的量杯中，进行超声腐蚀3min ;腐蚀过程中防止样品曝于空气中和人为接触；将超声腐蚀之后的样品用清水冲洗，并用氮气枪吹干；用扫描电子显微镜对样品进行缺陷观察。
[0034]实施例3:
[0035]将硅圆片上所需分析的区域用金刚刀划分成4cm宽、5cm长的样品；在塑料量杯中倒入适量质量分数为50%的HF，并将其放人超声清洗机中震荡30min ;将样品放入盛有HF酸的量杯中，进行超声腐蚀5min ;腐蚀过程中防止样品曝于空气中和人为接触；将超声腐蚀之后的样品用清水冲洗，并用氮气枪吹干；用扫描电子显微镜对样品进行缺陷观察。
[0036]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种硅衬底缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤: 将硅圆片上所需分析的区域用金刚刀划分成一定尺寸样品； 在塑料量杯中倒入适量的HF，并将其放人超声清洗机中震荡； 将样品放入盛有HF酸的量杯中，进行超声腐蚀； 将超声腐蚀之后的样品用清水冲洗，并用氮气枪吹干； 用扫描电子显微镜对样品进行缺陷观察。
2.根据权利要求1所述一种硅衬底缺陷检测方法，其特征在于，所述将硅圆片上所需分析的区域用金刚刀划分成一定尺寸样品步骤的具体实现如下: 将硅圆片上所需分析的区域用金刚刀划分成2?4cm宽、5cm长的样品。
3.根据权利要求1所述一种硅衬底缺陷检测方法，其特征在于，所述在塑料量杯中倒入适量的HF，并将其放人超声清洗机中震荡步骤的具体实现如下: 在塑料量杯中倒入适量质量分数为30%?50%的HF，并将其放人超声清洗机中震荡15 ?30mino
4.根据权利要求1所述一种硅衬底缺陷检测方法，其特征在于，所述将样品放入盛有HF酸的量杯中，进行超声腐蚀步骤的具体实现如下: 将样品放入盛有HF酸的量杯中，进行超声腐蚀I?5min ； 腐蚀过程中防止样品曝于空气中和人为接触。
【文档编号】H01L21/66GK104392944SQ201410567777
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2014年10月22日 优先权日:2014年10月22日
【发明者】周祖渝 申请人:重庆市旭星化工有限公司