一种具有透明电极的铟镓砷光电探测器的制造方法与工艺

文档序号:11412000阅读:来源:国知局
一种具有透明电极的铟镓砷光电探测器的制造方法与工艺

技术特征:
1.一种具有透明电极的铟镓砷光电探测器,包括从下而上设置的背金属电极、N型InP衬底、非掺杂InP缓冲层、本征InGaAs吸收层、P型InP帽层、正电极和钝化层,其特征在于:所述正电极为透明电极,由石墨烯构成,通过化学气相沉积转移法制备;首先,选用一N型掺杂的InP衬底,在其上通过外延生长非掺杂InP缓冲层、本征InGaAs吸收层、P型掺杂InP帽层;选用一表面有二氧化硅的硅衬底,在其上蒸镀300nm的金属镍,然后放置在化学气相沉积反应室内;加热到900℃,在氩气气氛下,通入甲烷和氢气,生成石墨烯;反应完成后,将生...
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