高功率塑封瞬时抑制二极管的制作方法
【专利摘要】本实用新型提出了一种高功率塑封瞬时抑制二极管，包括：两个晶粒、位于晶粒之间的铜粒、两根铜引线和塑封体，晶粒位于铜引线之间，并通过焊料与铜引线焊接，铜粒两侧分别设置有第一焊片和第二焊片，第一焊片和第二焊片分别与相邻的晶粒焊接，铜粒、第一焊片和第二焊片呈圆柱体结构，第一焊片和第二焊片的直径小于铜粒的直径。本实用新型结构简单、有耐高压的特点，元件的性能也比较稳定，提高了产品的市场竞争力。
【专利说明】高功率塑封瞬时抑制二极管【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体元器件，特别是指一种高功率塑封瞬时抑制二极管。
【背景技术】
[0002]普通塑封瞬时抑制二极管是一种半导体整流器件，广泛应用于各种高频电源、汽车等消费电子、消毒器、电脑显示器、负离子发生器、以及高档的电蚊拍等设施中。普通塑封瞬时抑制二极管，瞬时电压较低，一般在36V-200V，随着近年来航空、航天对瞬时电压抑制二极管的瞬时功率提出了更高的要求，目前的普通塑封瞬时抑制二极管系列产品己远远不能满足要求。为此需要研制瞬态功率更大的瞬时抑制二极管。
实用新型内容
[0003]本实用新型提出一种高功率塑封瞬时抑制二极管，解决了现有技术中二极管的功率和耐压能力低的问题。
[0004]本实用新型的技术方案是这样实现的:
[0005]高功率塑封瞬时抑制二极管，包括:两个晶粒、位于晶粒之间的铜粒、两根铜引线和塑封体，晶粒位于铜引线之间，并通过焊料与铜引线焊接，铜粒两侧分别设置有第一焊片和第二焊片，第一焊片和第二焊片分别与相邻的晶粒焊接，铜粒、第一焊片和第二焊片呈圆柱体结构，第一焊片和第二焊片的直径小于铜粒的直径。 [0006]优选的，第一焊片和第二焊片通过焊锡膏分别与相邻的晶粒焊接。
[0007]优选的，铜粒直径为2.07-2.46mm，厚度为0.52mm。
[0008]优选的，第一焊片和第二焊片的直径为0.80-0.91mm，厚度为2.20-0.23mm。
[0009]优选的，铜引线的塑封段上设置有凸台。
[0010]本实用新型在双晶粒之间增加一个铜粒，形成一种串联结构，铜粒可以释放热量，加快热能释放，极大的提升了塑封瞬时抑制二极管的功率及耐压能力。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1为本实用新型的平面结构示意图；
[0013]图2为图1所示铜粒的结构示意图。
[0014]图中:
[0015]1、铜引线；2、焊料；3、晶粒；4、铜粒；5、第一焊片；6、塑封体；7、第二焊片。
【具体实施方式】[0016]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0017]如图1和图2所示，本实用新型的一种高功率塑封瞬时抑制二极管，包括塑封体6、两个晶粒3、两根铜引线I以及位于两个晶粒3之间的铜粒4，晶粒3位于两根铜引线I的端面之间，分别通过焊料2与铜引线I焊接，钝化层(未示出)将两根铜引线I端面间的晶粒3以及焊料层包裹在其中，而整个二极管除铜引线I的端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体6内，其中铜粒4两侧分别设置有第一焊片5和第二焊片7，第一焊片5和第二焊片7分别与相邻的晶粒3焊接，本实用新型采用焊锡膏进行焊接，其中钝化层为聚酞亚胺涂层胶。优选的，为了防止铜引线I松动，在两根铜引线I的塑封段上分别设置有凸台，将凸台塑封在塑封体6中，增强塑封体6的密封性能。
[0018]如图2所示，铜粒4呈圆柱体结构，铜粒4的两个分别设置有呈圆柱体结构的第一焊片5和第二焊片7，第一焊片5和第二焊片7的直径小于铜粒4的直径，优选的，铜粒4的直径D为2.07-2.46mm,厚度LI为0.52mm,第一焊片5和第二焊片7的直径Dl为
0.80-0.91mm,第一焊片5的厚度L2和第二焊片7的厚度L3为2.20-0.23mm,此外本实用新型不限定于铜粒4的个数。
[0019]本实用新型在双晶粒3之间增加铜粒4，形成一种串联结构，铜粒4可以释放热量，加快热能释放，极大的提升了塑封瞬时抑制二极管的功率及耐压能力本实用新型的结构简单、有耐高压的特点，元件的性能也比较稳定，提高了产品的市场竞争力。
[0020]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.高功率塑封瞬时抑制二极管，其特征在于，包括:两个晶粒、位于所述两个晶粒之间的铜粒、两根铜引线和塑封体，所述两个晶粒位于所述两根铜引线之间，并通过焊料与所述铜引线焊接，所述铜粒两侧分别设置有第一焊片和第二焊片，所述第一焊片和所述第二焊片分别与相邻的晶粒焊接，所述铜粒、所述第一焊片和所述第二焊片呈圆柱体结构，所述第一焊片和所述第二焊片的直径小于所述铜粒的直径。
2.根据权利要求1所述的高功率塑封瞬时抑制二极管，其特征在于，所述第一焊片和所述第二焊片通过焊锡膏分别与相邻的所述晶粒焊接。
3.根据权利要求2所述的高功率塑封瞬时抑制二极管，其特征在于，所述铜粒直径为2.07-2.46mm,厚度为 0.52mm。
4.根据权利要求2所述的高功率塑封瞬时抑制二极管，其特征在于，所述第一焊片和所述第二焊片的直径为0.80-0.91mm，厚度为2.20-0.23mm。
5.根据权利要求3或4任一所述的高功率塑封瞬时抑制二极管，其特征在于，所述铜引线的塑封段上设置有凸台。
【文档编号】H01L23/373GK203746839SQ201420015895
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2014年1月10日 优先权日:2014年1月10日
【发明者】董志强 申请人:海湾电子(山东)有限公司