贴片式软恢复塑封二极管的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种贴片式软恢复塑封二极管，属于半导体器件【技术领域】。其由上、下铜支架、焊片、镀镍铁合金片、芯片、非空腔塑封体和极性标识构成，铜支架的圆头处先一次焊接镀镍铁合金片，上下两个带镀镍铁合金片的铜支架二次焊接连芯片引出二极管的正负电极。上下两个连接芯片的带镀镍铁合金片的铜支架圆头处、芯片和焊接层模塑封装在塑封体中。与现有技术相比本实用新型二极管使用时具有软度大，反向恢复冲击电流小，反向恢复损耗小、塑封管体温度低，可靠性高的优点。
【专利说明】贴片式软恢复塑封二极管
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体器件【技术领域】，尤其是涉及一种塑封二极管。
【背景技术】
[0002]当前，电子整机的贴装化技术发展日新月异，对电子元器件的贴片化、小型化、高速度、高可靠、低功耗、节能环保等方面提出了更高的要求，也是电子元器件为满足电子整机需求大力发展的方向。
[0003]传统的快恢复塑封二极管，在高频率电路中使用时，存在反向恢复冲击电流大，恢复特性的软度小，反向恢复损耗大，二极管塑封管体温度高，二极管容易发生早期失效，可靠性降低的现象。
实用新型内容
[0004]本实用新型目的是克服已有技术的不足，提供一种反向恢复冲击电流小，恢复时间短，反向恢复损耗小、高温特性良好、可靠性高的软恢复塑封二极管。
[0005]本实用新型贴片式软恢复塑封二极管，由上、下铜支架、焊片、镀镍铁合金片、芯片、非空腔塑封体和极性标识构成，所述上、下铜支架的圆头处先通过焊片一次焊接镀镍铁合金片；所述上、下两个带有焊接的镀镍铁合金片的铜支架圆头再通过焊片二次焊接连接芯片，并引出二极管的正负电极；所述上、下两个连接芯片的带镀镍铁合金片、铜支架圆头、芯片和焊接片模塑封装在非空腔塑封体中。
[0006]所述晶圆片为N型闻阻娃单晶晶圆片。
[0007]所述晶圆片采用P+-N_-N+结构和深扩散，P+结深度达到80 um，N+深度达到60 um，N-高阻区厚度为70-80um。
[0008]所述晶圆片内惨杂有钼和金。
[0009]所述芯片是具有软恢复特性的晶圆片，分割为多个二极管的软恢复芯片，其内部晶圆片的直径为7.62cm,最终达到厚度220um，优选N型高阻硅单晶晶圆片，采用P+-N__N+结构和深扩散，P+结深达到80 um，N+最终深度达到60 um，高阻区厚度N_70_80um。本技术方案因高阻区电阻率高、厚度薄，PN结深度深，较好的解决了 VR、TRR、VF三者之间的关系，二极管的反向电压VR高，正向压降VF小；通过在晶圆片中掺杂钼、金混合“杂质”，形成符合中心，缩短少子寿命，从而反向恢复时间TRR极限小，二极管正向过渡到反向时，PN结的积累电荷少，反向冲击电流小，反向恢复时间短，得到了软恢复特性，在高频电路使用时二极管的恢复特性的软度大，反向恢复损耗小，二极管塑封管体温度低，可靠性高。
[0010]所述镀镍铁合金片形状优选为圆形状，其直径与铜支架的圆头直径相等，厚0.2mm，采用冷冲压成型。
[0011]由于铜支架圆片之间置入镀镍铁合金片，上下两个铜支架之间的宽度比已有的铜支架之间的宽度宽，铜支架的圆头上表面距非空腔塑封体表面的距离缩短了，使非空腔塑封体施加在芯片的热应力减小，且两个镀镍铁合金片、芯片共同分担了塑封体的热应力，大大缓解了热应力对硅芯片的冲击，二极管的高温特性好，可靠性高。
[0012]本实用新型由于采用以上结构和技术方案，与已有技术相比具有高的反向电压VR(1000V以上)、较小的VF、极限小的反向恢复时间Trr，在使用时二极管的恢复特性的软度大，反向恢复损耗小，高温特性好，可靠性高。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型贴片式软恢复塑封二极管的铜支架结构示意图；
[0014]图2为图1所示贴片式软恢复塑封二极管的内部焊接结构示意图；
[0015]图3为图2所示贴片式软恢复塑封二极管的外形俯视图；
[0016]图4为图2所示贴片式软恢复塑封二极管的立体结构示意图；
[0017]图5为本实用新型中芯片内晶圆片的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图对本实用新型作详细说明:
[0019]图中:1、上铜支架，2、下铜支架，3、铜支架圆头，4、镀镍铁合金片，5、焊片，6、芯片，7、非空腔塑封体，8、极性标识，9、正负极导体，10、【高阻层，11、P+层，12、N+层。
[0020]其包括上下铜支架、焊片、镀镍铁合金片、芯片和非空腔塑封体。所述铜支架的圆头处先一次焊接镀镍铁合金片，上下两个带镀镍铁合金片的铜支架二次焊接连芯片弓I出二极管的正负电极。上下两个连接芯片的带镀镍铁合金片的铜支架圆头处、芯片和焊接层模塑封装在塑封体中。所述镀镍铁合金片形状优选为圆形状，其直径与铜支架的圆头直径相等，厚0.2mm，采用冷冲压成型。铜支架置入镀镍铁合金片，上下两个铜支架之间的宽度比已有的铜支架之间的宽度宽，铜支架的圆头上表面到非空腔塑封体表面的距离缩短了。所述芯片内晶圆片的直径在7.62cm,最终达到厚度220um，优选N型高阻硅单晶晶圆片，采用P+-N_-N+结构和深扩散，P+结深达到80 um，N+最终深度达到60 um,高阻区厚度N_70_80um。
[0021]以上所述的实施例，只是本实用新型较优选的【具体实施方式】之一，本领域的技术人员在本实用新型技术方案范围内进行的通常变化和替换都应该包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种贴片式软恢复塑封二极管，由上、下铜支架、焊片、镀镍铁合金片、芯片、非空腔塑封体和极性标识构成，其特征在于:所述上、下铜支架的圆头处先通过焊片一次焊接镀镍铁合金片；所述上、下两个带有焊接的镀镍铁合金片的铜支架圆头再通过焊片二次焊接连接芯片，并引出二极管的正负电极；所述上、下两个连接芯片的带镀镍铁合金片、铜支架圆头、芯片和焊接片模塑封装在非空腔塑封体中。
2.根据权利要求1所述的贴片式软恢复塑封二极管，其特征在于:所述镀镍铁合金片呈圆形，其直径与铜支架的圆头直径相等，厚0.2mm，为冷冲压成型镀镍铁合金片。
3.根据权利要求1所述的贴片式软恢复塑封二极管，其特征在于:所述芯片是具有软恢复特性的晶圆片，直径为7.62cm，厚度为220um。
4.根据权利要求3所述的贴片式软恢复塑封二极管，其特征在于:所述晶圆片为N型高阻硅单晶晶圆片。
5.根据权利要求3或4所述的贴片式软恢复塑封二极管，其特征在于:所述晶圆片采用P+-N_-N+结构和深扩散，P+结深度达到80 um，N+深度达到60 um, N_高阻区厚度为70_80um。
6.根据权利要求3或4所述的贴片式软恢复塑封二极管，其特征在于:所述晶圆片内掺杂有钼和金。
【文档编号】H01L23/28GK204045564SQ201420507903
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年9月4日 优先权日:2014年9月4日
【发明者】张录周, 夏媛毓, 杨玉杰, 王兴超, 林延峰, 高洋, 张刚, 刘元美 申请人:山东沂光电子股份有限公司