贴片式led封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种贴片式LED封装结构，包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于所述散热器的中轴上，所述散热器及所述LED芯片上设有镀银层。本实用新型省略了繁杂的中间环节，整体制作成本大幅下降，产品的一致性得到提高；热阻明显下降，相同功率下体积大大缩小，寿命得以延长，亮度得到提升，光衰速度变慢。
【专利说明】贴片式LED封装结构
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及LED封装【技术领域】，特别涉及一种LED封装结构。
【背景技术】
[0002] 为了避免LED芯片发出的光被金属基板吸收，造成光损失。目前业界的做法，是在 金属基板的表面镀银。利用银的高反射率特性，将射到基板表面的光线反射到LED芯片和 硅胶层。由于有机硅胶较高的透湿透氧性，在LED光源使用过程中，空气中的硫元素会透过 硅胶，渗入封装体内部。硫元素进入封装体后会与基板表面的银发生反应，生成黑色的硫化 银。例如2012年5月23号授权的专利号为ZL201120356103. 3实用新型，揭示了一种贴片 LED的封装结构。该LED封装结构包括：LED芯片、基板、镀银层，所述LED芯片设置在所述 的基板的上表面，所述的镀银层涂在所述基板的上表面，分别连接所述LED芯片的各电极， 该镀银层将LED芯片发出的光线充分反射，提高了 LED光源的质量。
[0003] 由此可知，由于该LED封装技术，在基板上表面镀银，该银反射层会与进入LED封 装结构的空气中的硫元素发化学反应生成黑色的硫化银。导致基板反射区域变黑，造成LED 光源光通量降低。而且由于银层直接位于LED芯片下，银层反射回来的光大部分再次进入 LED芯片，这就会导致LED芯片过热，影响LED的使用寿命。因此，LED封装结构的防止硫化 和过热的问题已经成为LED封装技术的主要的技术问题。 实用新型内容
[0004] 本实用新型针对上述现有技术存在的问题作出改进，即本实用新型要解决的技术 问题是提供一种贴片式LED封装结构，这种贴片式LED封装结构提高了散热。
[0005] 为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：
[0006] -种贴片式LED封装结构，包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于所述散热器 的中轴上，所述散热器及所述LED芯片上设有镀银层。
[0007] 所述LED芯片包括至少一 P极与一 N极，所述P极与N极分别设置于所述LED芯 片上。
[0008] 所述LED芯片通过共晶焊或粘胶定位于所述散热器上。
[0009] 所述散热器包括绝缘层和导电层，所述绝缘层和所述导电层设置于所述散热器与 所述LED芯片之间。
[0010] 本实用新型一种贴片式LED封装结构，省略了繁杂的中间环节，整体制作成本大 幅下降，产品的一致性得到提高；热阻明显下降，相同功率下体积大大缩小，寿命得以延长， 亮度得到提升，光衰速度变慢；镀银层与本结构的巧妙设置有效的防止了硫化，使LED向大 功率照明发展的技术上升到了一个新的台阶。
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用 新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
[0012] 图1是本实用新型一种实施方式的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013] 如图1所示，本实用新型公开一种LED封装结构，包括LED芯片21和散热器232， LED芯片21设于散热器232的中轴上，散热器232及LED芯片21上设有镀银层。
[0014] 芯片21的P极与N极均设置于远离散热器232的一侧，即芯片的顶部，该P极与N 极直接通过超声焊分别引出。当该芯片21与芯片21间距离较短时，可用金线、铝线、铜线 等通过超声焊进行连接。该散热器232由铜材料或铝材料制作。
[0015] LED芯片21通过共晶焊或粘胶定位于散热器232上。
[0016] 散热器232包括绝缘层和导电层，绝缘层和导电层设置于散热器232与LED芯片 之21间。
[0017] 芯片与芯片通过超声焊进行电性连接时，为提高安全系数，线与散热器232间增 加一绝缘层。导电层之上再增加一保护层，即设置镀银层。散热器232中轴上设置反光层， 反光层可用抛光法、涂层法，液体法，溅射法、真空镀层法（蒸化真空沉积法）、电镀、氧化方 式制成。当为铝材散热器时，并通过氧化的方法制作反光层时，该氧化层进一步通过离子封 孔、染色处理，提高美观效果，具有与芯片发光色相同的颜色时，提高反光效果。
[0018] 当该贴片式LED封装结构包括多颗LED芯片21串并联电连接时，与电源连接线对 应的LED芯片21之P极与N极由该导电层引出，非与电源连接线对应的LED芯片21之P 极与N极由超声焊引出。
[0019] 同时，该LED封装结构也适用于其他大功率芯片，包括不限于LED、功率集成电路、 大功率稳压电源、大功率音响芯片、CPU等高功率芯片的散热封装。
[0020] 以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参 照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以 对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡 在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用 新型的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种贴片式LED封装结构，其特征在于：包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于 所述散热器的中轴上，所述散热器及所述LED芯片上设有镀银层。
2. 根据权利要求1所述的贴片式LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片包括至少 一 P极与一 N极，所述P极与N极分别设置于所述LED芯片上。
3. 根据权利要求1所述的贴片式LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片通过共晶 焊或粘胶定位于所述散热器上。
4. 根据权利要求2所述的贴片式LED封装结构，其特征在于：所述散热器包括绝缘层 和导电层，所述绝缘层和所述导电层设置于所述散热器与所述LED芯片之间。
【文档编号】H01L33/48GK203895496SQ201420222388
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年4月30日 优先权日:2014年4月30日
【发明者】周峰 申请人:扬州新思路光电科技有限公司