一种晶硅太阳能电池的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种晶硅太阳能电池，包括Ag背电极、Al背电场、P型硅、N型发射极、钝化膜和Ag正电极，Ag正电极上设有镂空部，镂空部为银导线，使Ag正电极全导通。采用本实用新型，可在相同的Ag电极功能之下成功的大幅降低Ag导电浆料的使用量，Ag导电浆料使用量的降幅高达40.23%。而且，该晶硅太阳能电池的制造成本低，制备方法简单，适用于工业化大规模的生产。
【专利说明】—种晶硅太阳能电池
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及太阳能电池【技术领域】，尤其涉及一种晶硅太阳能电池。
【背景技术】
[0002]传统晶体硅太阳能电池的制造工序包括制绒、扩散、去PSG、镀减反膜、电极制备。电极制作是电池生产的最后一道工序，它承担着收集硅片中的载流子并将其输送至外部电路的责任，因此电极材料的选择和制备工艺直接影响着太阳能电池的各项性能，是太阳能电池制程中的关键环节之一。传统的晶体硅太阳能电池在硅片正面形成Ag电极，在硅片背面形成Ag背电极和Al背场。由于Ag具有在所有金属中电阻率最低，欧姆接触好，可焊性强、电极制备工艺成熟等优点，使得Ag电极太阳能电池的各项性能优异，受到广大企业的青睐。
[0003]但是Ag为贵金属，其大约占电池总成本的12%，占非硅成本的30%，是电池制造成本的重要组成部分，使得太阳能电池的成本居高不下。因此，为使晶硅太阳能电池成为未来重要的能源组成，必须大幅降低Ag的成本。然而，成本的降低取决于Ag导电浆料的使用量。因此，低耗量的正面Ag电极技术将会是未来的技术主流。
实用新型内容
[0004]本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种晶硅太阳能电池，可以有效降低Ag导电浆料的使用量。
[0005]本实用新型所要解决的技术问题还在于，提供一种晶硅太阳能电池，其制备方法简单，适用于工业化大规模的生产。
[0006]为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种晶硅太阳能电池，包括Ag背电极、Al背电场、P型硅、N型发射极、钝化膜和Ag正电极，所述Ag正电极上设有镂空部，所述镂空部为银导线，使所述Ag正电极全导通。
[0007]作为上述方案的改进，所述Ag正电极上设有5-9个镂空部。
[0008]作为上述方案的改进，所述Ag正电极上设有7个镂空部。
[0009]作为上述方案的改进，所述镂空部为矩形。
[0010]作为上述方案的改进，所述镂空部的宽度为8_12mm。
[0011]作为上述方案的改进，所述镂空部的宽度为9.5mm。
[0012]作为上述方案的改进，所述镂空部的厚度为0.05-0.2mm。
[0013]作为上述方案的改进，所述镂空部的厚度为0.1mm。
[0014]作为上述方案的改进，所述钝化膜为氧化硅钝化膜、氮化硅钝化膜或者氧化硅-氮化硅复合膜；所述钝化膜的厚度为10-70nm。
[0015]作为上述方案的改进，所述P型硅为正方形硅片。
[0016]实施本实用新型，具有如下有益效果:
[0017]本实用新型提供了一种晶硅太阳能电池，其Ag正电极上设有镂空部，镂空部为银导线，使Ag正电极全导通。具体的，Ag正电极上优选设有7个9.5mm X0.1mm的镂空部，镂空部依顺序分布在正面Ag电极上。
[0018]这样，与现有技术相比，本实用新型可在相同的Ag电极功能之下成功的大幅降低Ag导电浆料的使用量，Ag导电浆料使用量的降幅高达40.23%。而且，该晶硅太阳能电池的制造成本低，制备方法简单，适用于工业化大规模的生产。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1是本实用新型晶硅太阳能电池的结构示意图；
[0020]图2是图1所示Ag正电极的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
[0022]参见图1至图2，本实用新型提供了一种晶硅太阳能电池，由下往上依次包括Ag背电极1、Al背电场2、P型硅3、N型发射极4、钝化膜5和Ag正电极6，所述Ag正电极6上设有镂空部61，镂空部61为银导线，使Ag正电极6全导通。镂空部61依顺序分布在正面Ag电极上。
[0023]具体的,所述Ag正电极6上优选设有5-9个镂空部61,但不限于此。更佳的,所述Ag正电极6上设有7个镂空部61。
[0024]所述镂空部61优选为矩形，但不限于此。
[0025]所述镂空部61的宽度优选为8_12mm，但不限于此。更佳的，所述镂空部61的宽度为 9.5mmο
[0026]所述镂空部61的厚度优选为0.05-0.2mm，但不限于此。更佳的，所述镂空部61的厚度为0.1mm。
[0027]本实用新型Ag正电极6上优选设有7个9.5mm Χ0.Imm的镂空部61，镂空部61依顺序分布在正面Ag电极上。这样，与现有技术相比，本实用新型可在相同的Ag电极功能之下成功的大幅降低Ag导电浆料的使用量，Ag导电浆料使用量的降幅高达40.23%。而且，该晶硅太阳能电池的制造成本低，制备方法简单，适用于工业化大规模的生产。
[0028]进一步，所述P型硅3优选为正方形硅片。具体的，作为本实用新型一实施例，P型娃3的尺寸为156mm x 156mm,但不限于此。
[0029]需要说明的是，所述镂空部61的个数、宽度和厚度可以根据P型硅3的实际尺寸而进行调整，其实施方式并不局限于本实用新型所举实施例。
[0030]所述N型发射极4的控制方块电阻为50-120欧/ 口。
[0031 ] 所述钝化膜5可以为氧化硅钝化膜、氮化硅钝化膜或者氧化硅-氮化硅复合膜，但不限于此。所述钝化膜5的厚度优选为10-70nm。
[0032]以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种晶娃太阳能电池，包括Ag背电极、Al背电场、P型娃、N型发射极、钝化膜和Ag正电极，其特征在于，所述Ag正电极上设有镂空部，所述镂空部为银导线，使所述Ag正电极全导通。
2.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述Ag正电极上设有5-9个镂空部。
3.如权利要求2所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述Ag正电极上设有7个镂空部。
4.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述镂空部为矩形。
5.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述镂空部的宽度为8-12mm。
6.如权利要求5所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述镂空部的宽度为9.5_。
7.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述镂空部的厚度为0.05-0.2mm。
8.如权利要求7所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述镂空部的厚度为0.1mm。
9.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述钝化膜为氧化硅钝化膜、氮化硅钝化膜或者氧化硅-氮化硅复合膜； 所述钝化膜的厚度为10-70nm。
10.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述P型硅为正方形硅片。
【文档编号】H01L31/068GK204118082SQ201420404072
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年7月22日 优先权日:2014年7月22日
【发明者】秦崇德, 方结彬, 石强, 何达能, 陈刚 申请人:广东爱康太阳能科技有限公司