1.一种集成电路装置，包括：
半导体衬底；
第一线结构，所述第一线结构被设置在所述半导体衬底上，所述第一线结构具有两个端部部分以及位于所述两个端部部分之间的第一凹陷部分，所述凹陷部分限定第一凹陷，其中，所述凹陷部分被设置在所述第一凹陷与所述半导体衬底之间；
第二线结构和第三线结构，所述第二线结构和所述第三线结构沿所述第一线结构的相对侧被设置在所述半导体衬底上，所述第二线结构和所述第三线结构与所述第一线结构间隔开，以限定所述第二线结构与所述第一线结构之间的第一间隙以及所述第三线结构与所述第一线结构之间的第二间隙；
隔离层，所述隔离层被设置在所述第一间隙和所述第二间隙中并且还被设置在所述第一凹陷中，所述隔离层具有在所述第一凹陷中限定第二凹陷的第二凹陷部分；以及
熔断器结构，所述熔断器结构被设置在所述第二凹陷中，其中所述隔离层的部分被设置在所述熔断器结构与所述第一线结构之间。
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述隔离层的所述部分是第一部分，所述隔离层的第二部分被设置在所述熔断器结构与所述第二线结构之间，并且所述隔离层的第三部分被设置在所述熔断器结构与所述第三线结构之间。
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述熔断器结构的表面与所述隔离层的距所述半导体衬底最远的表面大致共面。
4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述熔断器结构与所述第二线结构之间的距离和所述熔断器结构与所述第三线结构之间的距离基本相同。
5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述熔断器结构具有10-15nm的宽度。
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述第二线结构和所述第三线结构提供一个或多个晶体管的栅极结构。
7.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，所述两个端部部分的表面与所述熔断器结构的表面和所述隔离层的表面大致共面。
8.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，所述第二线结构的表面与所述熔断器结构的表面和所述隔离层的表面大致共面。
9.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，所述第三线结构的表面与所述熔断器结构的表面、所述隔离层的表面以及所述第二线结构的表面大致共面。
10.根据权利要求3所述的集成电路装置，还包括被设置在所述熔断器结构的表面上的电路由构件。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的集成电路装置，其中，所述第一凹陷部分包括多晶硅。
12.根据权利要求11所述的集成电路装置，其中，所述端部部分包括金属。
13.根据权利要求12所述的集成电路装置，其中，所述熔断器结构包括钨。
14.根据权利要求1至10中任一项所述的集成电路装置，其中，所述隔离层包括氮化硅、碳化硅或氮氧化硅。
15.根据权利要求11所述的集成电路装置，其中，所述隔离层包括氮化硅。
16.一种用于形成集成电路装置的方法，包括：
在半导体衬底上形成具有两个端部部分以及位于所述两个端部部分之间的凹陷部分的第一线结构，其中，所述第一线结构被设置在两个第二线结构之间并且与所述两个第二线结构间隔开，以限定所述第一线结构与所述两个第二线结构中的第一个第二线结构之间的第一间隙，以及所述第一线结构与所述两个第二线结构中的第二个第二线结构之间的第二间隙，所述凹陷部分限定第一凹陷，并且所述凹陷部分被设置在所述第一凹陷与所述半导体衬底之间；
在所述第一线结构和所述第二线结构上沉积隔离材料，以使得所述隔离材料基本填充所述第一间隙和所述第二间隙和以及所述第一凹陷，并且所述隔离材料具有在所述第一凹陷中限定第二凹陷的凹陷部分；以及
在所述第二凹陷中形成熔断器结构，其中，所述隔离材料的部分被设置在所述熔断器结构与所述第一线结构之间。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，沉积所述隔离材料包括通过保形沉积技术来沉积所述隔离材料，并且形成所述熔断器结构包括在所述第二凹陷中沉积金属。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括：
在沉积所述金属之前，在所述隔离材料上沉积牺牲材料以填充所述第二凹陷；以及
从所述第二凹陷移除所述牺牲材料。
19.根据权利要求17所述的方法，还包括：
从所述半导体衬底移除所述第二线结构中的至少一个，以在所述隔离材料中留下相应的间隙；以及
在所述间隙中形成导电的线结构。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的方法，其中，形成所述第一线结构包括：
在所述半导体衬底上淀积多晶硅层；以及
对所述多晶硅层进行图案化，以形成所述第一间隙和所述第二间隙。
21.一种集成电路(IC)系统，包括：
电路板；以及
封装组件，所述封装组件与所述电路板耦合，所述封装组件包括管芯，所述管芯具有：
半导体衬底；
第一线结构，所述第一线结构被设置在所述半导体衬底上，所述第一线结构具有两个端部部分以及位于所述两个端部部分之间的第一凹陷部分，所述凹陷部分在朝向所述半导体衬底的方向上限定第一凹陷；
第二线结构和第三线结构，所述第二线结构和所述第三线结构沿所述第一线结构的相对侧被设置在所述半导体衬底上，所述第二线结构和所述第三线结构与所述第一线结构间隔开，以限定所述第二线结构与所述第一线结构之间的第一间隙以及所述第三线结构与所述第一线结构之间的第二间隙；
隔离层，所述隔离层被设置在所述第一间隙和所述第二间隙中并且还被设置在所述第一凹陷中，所述隔离层具有在所述第一凹陷中限定第二凹陷的第二凹陷部分；以及
熔断器结构，所述熔断器结构被设置在所述第二凹陷中，其中，所述隔离层的部分被设置在所述熔断器结构与所述第一线结构之间。
22.根据权利要求21所述的集成电路(IC)系统，其中，所述隔离层的所述部分是第一部分，所述隔离层的第二部分被设置在所述熔断器结构与所述第二线结构之间，所述隔离层的第三部分被设置在所述熔断器结构与所述第三线结构之间。
23.根据权利要求21所述的集成电路(IC)系统，其中，所述熔断器结构的表面与所述隔离层距所述半导体衬底最远的表面大致共面。
24.根据权利要求21至23中任一项所述的集成电路(IC)系统，其中，所述熔断器结构与所述第二线结构之间的距离和所述熔断器结构与所述第三线结构之间的距离基本相同。
25.根据权利要求21至23中任一项所述的集成电路(IC)系统，其中，所述第一凹陷部分包括多晶硅，并且所述端部部分包括金属。