技术总结
本公开内容的实施例描述了用于集成(IC)电路器件中放入过电流熔断器的技术和构件。在一个实施例中，管芯的器件层可以包括在相对端部部分之间具有凹陷部分的第一线结构以及位于第一线结构的相对侧上的两个第二线结构。隔离材料可以被设置在线结构之间的间隙中以及由凹陷部分限定的第一凹陷中。隔离材料可以具有在第一凹陷中限定第二凹陷的凹陷部分，并且熔断器结构可以被设置在第二凹陷中。还可以描述和/或请求保护其它实施例。
技术研发人员：李呈光;W·M·哈菲兹;C-H·简
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2014.11.26
技术公布日：2019.02.19