技术总结
本申请提供了一种finFET器件及其制作方法。该制作方法包括：在衬底上设置鳍片和氧化层，鳍片内掺杂有第一杂质离子且形成依次靠近衬底设置的第一轻掺杂区、重掺杂阱区和第二轻掺杂区；在鳍片上设置栅极结构和侧墙；以栅极结构和侧墙为掩膜，刻蚀鳍片以在鳍片上形成凹陷部，凹陷部的顶面位于重掺杂阱区中；对凹陷部进行第二杂质离子注入形成离子注入区，第二杂质离子为第一杂质离子的反型离子；以及在离子注入区设置源极和漏极。上述制作方法不会影响原有的改善短沟道效应的作用，而且有效减小了重掺杂的存在导致的源极、漏极与衬底之间漏电流。
技术研发人员：宋化龙;蒲月皎
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510158698
技术研发日：2015.04.03
技术公布日：2016.11.23