1.一种机械卡盘，包括基座和卡环，晶片放置于所述基座上；所述卡环压住所述晶片上表面的边缘区域；其特征在于，在所述基座的整个上表面上设置有第一绝缘层，且在所述卡环表面至少与所述晶片上表面相接触的位置设置有第二绝缘层。
2.根据权利要求1所述的机械卡盘，其特征在于，所述基座和卡环采用金属材料制作；
所述第一绝缘层采用在所述基座的与所述晶片下表面相接触的表面上进行氧化处理的方式获得；
所述第二绝缘层采用在所述卡环的与所述晶片上表面相接触的表面上进行氧化处理的方式获得。
3.根据权利要求2所述的机械卡盘，其特征在于，所述基座和卡环采用铝制作，所述第一绝缘层和第二绝缘层为氧化铝；或者，
所述基座和卡环采用铜制作，所述第一绝缘层和第二绝缘层为氧化铜。
4.根据权利要求1所述的机械卡盘，其特征在于，所述第一绝缘层及所述第二绝缘层均采用陶瓷材料制作。
5.根据权利要求1所述的机械卡盘，其特征在于，在所述卡环上还设置有用于增加所述卡环重量的配重件。
6.根据权利要求5所述的机械卡盘，其特征在于，所述配重件所采用的材料包括铜和/或不锈钢。
7.根据权利要求1所述的机械卡盘，其特征在于，所述第一绝缘层和第二绝缘层各自厚度的取值范围在50～100um。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的机械卡盘，其特征在于，在所述卡环和基座之间还设置有等电位环，且在所述等电位环上设置有诱电线圈，所述诱电线圈用于在所述卡环压住所述晶片时，使所述基座与所述卡环电连接。
9.一种半导体加工设备，其包括反应腔室和机械卡盘，所述机械卡盘用于将晶片固定在所述反应腔室内，其特征在于，所述机械卡盘采用权利要求1-8任意一项所述的机械卡盘。