1.一种半导体结构，包括：
衬底，包括第一半导体材料并且具有第一有源区和第二有源区；
第一鳍式半导体部件，包括第二半导体材料并且形成在所述第一有源区中；以及
第二鳍式半导体部件，包括所述第二半导体材料并且形成在所述第二有源区中，
其中，所述第一鳍式半导体部件是拉伸应变的并且所述第二鳍式半导体部件是压缩应变的。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一半导体材料与所述第二半导体材料不同。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第二半导体材料是具有比Si更高的迁移率的任何半导体材料。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第二半导体材料选自由SiGe、Ge、GeSn、InGaP、InAs、InP、InGaAs、GaAs、InSb、GaSb、和AlGaAs组成的组。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：
第一应变松弛缓冲部件和第二应变松弛缓冲部件，所述第一应变松弛缓冲部件和所述第二应变松弛缓冲部件分别形成在所述第一有源区和所述第二有源区内，从而使得所述第一应变松弛缓冲部件位于所述第一鳍式半导体部件和所述衬底之间，并且所述第二应变松弛缓冲部件位于所述第二鳍式半导体部件和所述衬底之间，其中，所述第一应变松弛缓冲部件和所述第二应变松弛缓冲部件均包括第三半导体材料。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第一半导体材料、所述第二半导体材料和所述第三半导体材料均彼此不同。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第三半导体材料是Si1-xGex并且所述第二半导体材料是Si1-yGey，其中，x<1并且x<y。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，n型finFET形成在所述 第一鳍式半导体部件上，并且p型finFET形成在所述第二鳍式半导体部件上。
9.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：
接收半导体衬底，所述半导体衬底包括第一半导体材料并且具有多个隔离部件，从而限定第一有源区和第二有源区；
同时形成位于所述第一有源区中的包括第二半导体材料的第一鳍式部件和位于所述第二有源区中的包括所述第二半导体材料的第二鳍式部件；
在所述半导体衬底的表面上形成图案化的热掩模，从而使得所述第一鳍式部件暴露；以及
对所述第一鳍式部件实施退火工艺以反转所述第一鳍式部件中的应变。
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
在半导体衬底上形成第一鳍式部件和第二鳍式部件，其中，所述第一鳍式部件和所述第二鳍式部件具有第一类型的应变；
在所述半导体衬底上形成图案化的热掩模，从而使得所述第一鳍式部件暴露；以及
使用所述图案化的热掩模实施退火工艺，从而使得所述第一鳍式部件从所述第一类型的应变被反转成与所述第一类型的应变相反的第二类型的应变，而所述第二鳍式部件在整个所述退火工艺中保持所述第一类型的应变。