技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上形成有伪栅极结构；在半导体衬底上形成层间介电层，以填充伪栅极结构之间的间隙；去除伪栅极结构，形成沟槽；实施第一预处理，以改善沟槽的侧壁和底部表面状况；在沟槽底部形成界面层，并实施第二预处理，以改善界面层的表面特性；在沟槽的侧壁和界面层的顶部形成高k介电层；在高k介电层上形成覆盖层，其中，形成覆盖层之前，还包括实施第三预处理的步骤，以提升高k介电层的质量，形成覆盖层之后，还包括实施第四预处理的步骤，将氧驱入高k介电层中以减少氧空位缺陷。根据本发明，可以明显改善形成的界面层和高k介电层的质量，提升器件的可靠性。
技术研发人员：赵杰;肖莉红
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510340966
技术研发日：2015.06.18
技术公布日：2016.12.28