1.一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法，其特征在于，包括：
提供硅片，所述硅片表面固定有已完成表面工艺的晶圆；
利用减薄工艺，对所述硅片远离所述晶圆的一面进行减薄，
当硅片远离所述晶圆的一面减薄至露出所述晶圆时，取下所述晶圆；
当硅片远离所述晶圆的一面减薄至距离所述晶圆剩余有预设厚度时，利用腐蚀工艺，对减薄后的硅片进行腐蚀，露出所述晶圆，取下所述晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当硅片远离所述晶圆的一面减薄至露出所述晶圆时，所述晶圆被减薄的厚度不大于100微米。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设厚度不大于30微米。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供硅片，所述硅片表面固定有已完成表面工艺的晶圆之后，利用减薄工艺，对所述硅片远离所述晶圆的一面进行减薄之前，还包括：
提供载盘；
将所述硅片的固定有晶圆的一面粘贴在所述载盘上；
将所述载盘安装在减薄机上。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述取下所述晶圆之前，还包括:
将所述晶圆与所述载盘分离。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将所述硅片的固定有晶圆的一面粘贴在所述载盘上，具体为：
对所述载盘进行加热；
将石蜡涂在所述载盘上；
将所述硅片的固定有晶圆的一面与所述载盘涂有石蜡的一面接触并粘贴。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将所述硅片的固定有晶圆的一面与所述载盘涂有石蜡的一面接触并粘贴之后，还包括：
对所述硅片进行压片处理。
8.根据权利要求5或7所述的方法，其特征在于，所述将所述晶圆与所述载盘分离，具体为通过加热工艺将所述晶圆与所述载盘分离。
9.根据权利要求5或7所述的方法，其特征在于，将所述晶圆与所述载盘分离之后还包括：
去除所述晶圆表面残留的石蜡。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，去除所述晶圆表面残留的石蜡具体为：
利用丙酮溶液去除所述晶圆表面残留的石蜡。