1.一种太阳能电池，其特征在于，包含：
基板，排列有单位太阳能电池区域，该单位太阳能电池区域由电池单元区域和配线区域构成；
第一半导体层，形成在所述基板上，并且在所述基板的所述配线区域上形成第一沟槽；
第二半导体层，形成在所述第一沟槽以及所述第一半导体层上，并且在所述基板的所述配线区域上形成第二沟槽，以露出所述第一半导体层的一部分；
第三半导体层，形成在所述第二半导体层上，并且在所述基板的所述配线区域上形成第三沟槽，以露出所述第二半导体层的一部分；以及
电极层，形成在所述第三半导体层上，通过所述第二沟槽而与所述第一半导体层连接。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，
在所述基板和所述第一半导体层之间还形成有抗反射层。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，
所述抗反射层包括所述第一沟槽延伸的结构。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，
所述抗反射层是氮化硅(SiNx)或氮化钛(TiNx)。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，
所述第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层是n、i、p或p、i、n。
6.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤(a)，提供排列有单位太阳能电池区域的基板，该单位太阳能电池区域由电池单元区域和配线区域构成；
步骤(b)，在所述基板上形成第一半导体层；
步骤(c)，第一蚀刻工序：在所述配线区域上蚀刻所述第一半导体层，以形成与相邻的其他单位太阳能电池区域分离的第一沟槽；
步骤(d)，在包含所述第一半导体层的基板上依次形成第二半导体层以及第三半导体层；
步骤(e)，第二蚀刻工序：在所述第三半导体层上形成第一掩膜层，并 且在所述配线区域上，利用所述第一掩膜层同时蚀刻所述第三半导体层以及所述第二半导体层，以形成露出所述第一半导体层的一部分的第二沟槽；
步骤(f)，去除所述第一掩膜层，并且在包含所述第三半导体层的基板上形成电极层；
步骤(g)，第三蚀刻工序：在所述电极层上形成第二掩膜层，并且在所述配线区域上，利用所述第二掩膜层同时蚀刻所述电极层以及所述第三半导体层，以形成露出所述第二半导体层的一部分的第三沟槽；以及
步骤(h)，去除所述第二掩膜层。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：
在所述基板和所述第一半导体层之间形成抗反射层。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
通过所述第一蚀刻工序，所述抗反射层与所述第一半导体层同时蚀刻，以延伸形成所述第一沟槽。
9.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
所述抗反射层由氮化硅(SiNx)或氮化钛(TiNx)形成。
10.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
所述第一沟槽通过激光划片方法蚀刻。
11.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
所述第二沟槽以及所述第三沟槽通过湿蚀刻方法蚀刻。
12.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
所述第一、第二、第三蚀刻工序在所述基板的上部进行。
13.根据权利要求6的太阳能电池的制造方法，其特征在于
所述电极层由透明导电材料或金属材料或者它们的层叠结构形成。
14.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
所述第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层形成为n、i、p或p、i、n。